【技术实现步骤摘要】
本技术涉及氢气进气结构，具体是一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构。
技术介绍
1、采用晶圆质子辐照工艺能够将氢(质子)、氦原子核注入器件，选择合适的能量和剂量，将质子注入所需要的深度(精确到μm)。质子辐照产生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,在具有低阳极发射效率结构的高压功率快恢复二极管中实现了更好的综合性能的优化。
2、晶圆质子辐照对束流的品质及稳定性要求非常高，产生束流的关键部件之一是多峰场负氢离子源系统，即氢气在离子源内部形成等离子体，通过电场引出后产生束流。
3、通过对多峰场负氢离子源的氢气进气结构研究一方面可以提高束流品质，另一方面可以提高束流的稳定性。
4、因此，研究多峰场负氢离子源的氢气进气结构，进行提高束流的稳定性，是目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、技术目的：提供一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，以解决现有技术存在的上述问题。
2、技术方案：一种用于晶圆质子辐照的多峰...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征是：所述环形氢气分配管道(4)设置在所述离子源本体内部。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征是：所述离子源本体包括上部以及与所述上部连接的下部；
4.根据权利要求3所述的一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征是：所述密封法兰一(2)和密封法兰二(3)设置在所述上部与下部连接处。
5.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征是：所述环形氢气分配管道(4)设置在所述离子源本体内部。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆质子辐照的多峰场负氢离子源氢气进气结构，其特征是：所述离子源本体包...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯斌，李怡波，李明玥，胡云凯，桂正亚，沈轩宇，李非易，刘辉，
申请(专利权)人：国电投核力创芯无锡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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