半导体装置制造方法及图纸

提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。半导体装置包括：氧化物、氧化物上的第一导电体、第二导电体及第一绝缘体、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及第二绝缘体及第三导电体上的第四绝缘体。第四绝缘体与第二绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触。第一绝缘体具有分别与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的区域。氧化物包含铟、镓、铝及锌。第一绝缘体及第四绝缘体都包含铝及氧。第四绝缘体具有非晶结构。氧化物具有铝的浓度从氧化物的底面向氧化物的顶面变高的浓度梯度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及一种金属氧化物的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置以及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

1、近年来，已对半导体装置进行开发，主要使用lsi、cpu、存储器等。cpu是包括将半导体晶片加工来形成芯片而成的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

4.一种半导体装置，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，

7.一种半导体装置，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

4.一种半导体装置，包括：

5.根据权利要求4所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤暁，高桥正弘，奥野直树，马场晴之，国武寛司，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：