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提供一种晶体管的电特性不均匀小的半导体装置。半导体装置包括：氧化物、氧化物上的第一导电体、第二导电体及第一绝缘体、第一导电体及第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及第二绝缘体及第三导电体上的第四绝缘...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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