一种铜系金属膜蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术涉及化学蚀刻液技术领域，尤其涉及IPC C09K13领域，更具体的，涉及一种铜系金属膜蚀刻液组合物。按重量百分比计，组分包括：双氧水5‑25％，螯合剂2.5‑4％，抗蚀剂0.01‑1.0％，蚀刻添加剂0.01‑3％，沉淀抑制剂0.01‑3％，稳定剂0.01‑2％，氟系化合物0.005‑1％，去离子水补足余量。所述蚀刻液组合物可有效地去除钼和钼合金膜的残留物，可以实现Rework工艺(晶圆被返回掩膜工艺),使蚀刻工艺中可能发生的电气和物理不良最小化，从而确保稳定的TFT‑LCD特性和降低成本的技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学蚀刻液，尤其涉及ipc c09k13领域，更具体的，涉及一种铜系金属膜蚀刻液组合物。

技术介绍

1、半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程包括蚀刻工序，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。为了确保稳定薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)特性和降低成本的技术，对于蚀刻液组合物的要求正在提高，现有的蚀刻液组合物通常采用双氧水和磷酸的组合，并使用抗蚀剂、螯合剂和氟基化合物进行蚀刻，但当铜浓度过高时，铜的蚀刻特性与初始值有很大差异。同时长时间使用高浓度，会在蚀刻剂设备中产生沉淀物富集，易导致工艺不良和清洗设备的额外费用。

2、kr101529733b1公开了一种用于cu基金属膜的蚀刻剂组合物，包括：过氧化氢(h2o2)、有机酸、磷酸盐化合物等，当使用蚀刻剂组合物对铜-钼膜层进行蚀刻时，形成了线性良好的锥形剖面。然而，当进行钼-铌(mo-nb)的钼基金属膜和cu基金属膜的批量蚀刻时，蚀刻速率变得缓慢，钼-铌(mo-nb)的钼基金属膜未被蚀刻，或者产生了残本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，按重量百分比计，包括：双氧水5-25％，螯合剂2.5-4％，抗蚀剂0.01-1.0％，蚀刻添加剂0.01-3％，沉淀抑制剂0.01-3％，稳定剂0.01-2％，氟系化合物0.005-1％，去离子水补足余量。

2.根据权利要求1所述的一种铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物按重量百分比计，包括：双氧水12-20％，螯合剂2-4％，抗蚀剂0.05-0.2％，蚀刻添加剂0.2-1％，沉淀抑制剂0.1-1.5％，稳定剂0.1-0.6％，氟系化合物0.02-0.1％，去离子水补足余量。

3.根据权利要求2所述的一种铜系金...

【技术特征摘要】

1.一种铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，按重量百分比计，包括：双氧水5-25％，螯合剂2.5-4％，抗蚀剂0.01-1.0％，蚀刻添加剂0.01-3％，沉淀抑制剂0.01-3％，稳定剂0.01-2％，氟系化合物0.005-1％，去离子水补足余量。

2.根据权利要求1所述的一种铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物按重量百分比计，包括：双氧水12-20％，螯合剂2-4％，抗蚀剂0.05-0.2％，蚀刻添加剂0.2-1％，沉淀抑制剂0.1-1.5％，稳定剂0.1-0.6％，氟系化合物0.02-0.1％，去离子水补足余量。

3.根据权利要求2所述的一种铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂包括氨基三亚甲基膦酸、亚氨基乙酸、硝基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基三腈亚硝基戊酸、1-羟基乙烷-1,1-二膦酸、乙二胺四亚甲基膦酸、二亚乙基三氨基五甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、和甘氨酸中的至少一种。

4.根据权利要求1或3所述的一种铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述抗蚀剂包括杂环芳香族化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩庆，谢一泽，李闯，张红伟，胡天齐，黄海东，刘长乐，任亚国，徐帅，
申请(专利权)人：四川和晟达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：