超结MOSFET及其制备方法技术

本申请公开了一种超结MOSFET及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成第一N型外延层；在所述第一N型外延层中形成P柱的第一部分；在所述第一N型外延层上方形成第二N型外延层；在所述第二N型外延层中形成第一N型掺杂区和所述P柱的第二部分，其中，所述P柱的第二部分位于所述P柱的第一部分的上方且与所述P柱的第一部分连接；在所述P柱的第二部分的上部形成第一P型掺杂区，在所述第二N型外延层上方形成栅介质层和栅极，在所述第一P型掺杂区上部形成源区。根据本申请的超结MOSFET及其制备方法，能够显著降低制备难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种超结mosfet及其制备方法。

技术介绍

1、超结mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)在传统平面vd-mosfet结构基础上，增加了p柱(pillar)，以改善纵向电场强度，降低导通电阻。

2、目前，常规的超结mosfet在形成p柱时，通常采用的方案是先在外延层中形成沟槽，然后在沟槽中形成整个p柱。其存在沟槽深宽比大，沟槽和p柱形成困难等工艺问题。

3、因此需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、为了至少部分地解决上述问题，根据本专利技术的第一方面，提供了一种超结mosfet的制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超结MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种超结mosfet的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛艺祯，陈一，
申请(专利权)人：芯联先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：