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本申请公开了一种超结MOSFET及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成第一N型外延层；在所述第一N型外延层中形成P柱的第一部分；在所述第一N型外延层上方形成第二N型外延层；在所述第二N型外延层中形成第一N型掺杂区和所述P...
该专利属于芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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