半导体激光器及其控制方法和激光设备技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体激光器及其控制方法和激光设备，半导体激光器包括多个发光单元，每个发光单元包括衬底、第一、第二电极以及底部DBR层、有源层、氧化层、顶部DBR层和浮栅结构层；氧化层上形成有氧化限制孔；顶部DBR层包括：主体区；第一注入区，设置在主体区远离有源层的一侧；第二注入区，位于顶部DBR层远离有源层的一端，且被第一注入区围绕；第二注入区在氧化层上的正投影环绕氧化限制孔；浮栅结构层设置在顶部DBR层远离有源层的表面且与第一注入区电连接；其中第一电极电连接衬底；第二电极电连接第二注入区。本发明专利技术实施例提供的半导体激光器，发光单元可被编辑，能根据不同需求进行选择编辑，制造更方便。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体激光器及其控制方法，以及一种激光设备。

技术介绍

1、vcsel(vertical-cavity surface-emitting laser，垂直腔面发射激光器)是一种出光方向垂直于谐振腔表面的激光器，具有阈值电流小、发散角小且光斑呈现圆形对称性、易二维集成等优点而被广泛应用，现有技术中vcsel设计完成之后，同一颗vcsel芯片上的点亮光窗位置被固定，因此在设计和制造之前需要根据不同客户的不同需求进行差异化作业。但不同客户对芯片的光型、是否可寻址等有不同的需求，导致针对不同客户需求进行专门的开发时制造和研发成本较高。

技术实现思路

1、因此，为克服现有技术中的vcsel在设计完成之后点亮光窗位置被固定而导致制造和研发成本高的问题，本专利技术实施例提供了一种半导体激光器，其发光单元可被编辑，能够根据不同需求进行选择编辑，制造更方便。

2、本专利技术的一个实施例提供一种半导体激光器，包括多个发光单元，每个所述发光单元包括第一电极、第二电极、衬底以及依次在衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括多个发光单元，每个所述发光单元包括第一电极、第二电极、衬底以及依次在所述衬底上叠层的底部DBR层、有源层、顶部DBR层和浮栅结构层，所述底部DBR层和所述顶部DBR层之一为P型DBR层，每个所述发光单元还包括位于所述有源层和所述P型DBR层之间的氧化层，所述氧化层上形成有氧化限制孔；所述底部DBR层的掺杂类型为第一掺杂型，所述顶部DBR层包括：

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述浮栅结构层包括在所述顶部DBR层上依次叠层的隧穿层、浮栅层、第一绝缘层和栅电极。

3.如权利要求2所述半导体激光器，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括多个发光单元，每个所述发光单元包括第一电极、第二电极、衬底以及依次在所述衬底上叠层的底部dbr层、有源层、顶部dbr层和浮栅结构层，所述底部dbr层和所述顶部dbr层之一为p型dbr层，每个所述发光单元还包括位于所述有源层和所述p型dbr层之间的氧化层，所述氧化层上形成有氧化限制孔；所述底部dbr层的掺杂类型为第一掺杂型，所述顶部dbr层包括：

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述浮栅结构层包括在所述顶部dbr层上依次叠层的隧穿层、浮栅层、第一绝缘层和栅电极。

3.如权利要求2所述半导体激光器，其特征在于，所述多个发光单元内的第一注入区相互连通，所述复位电极设置在任意一个发光单元中所述第一注入区远离所述主体区的表面。

4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述底部dbr层为n型dbr层，所述顶部dbr层为p型dbr层；所述第一注入区为n型轻掺区，所述第二注入区为p型重掺区；或者，所述底部dbr层为p型dbr层，所述顶部dbr层为n型dbr层；所述第一注入区为p型轻掺区，所述第二注入区为n型重掺区。

5.如权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，每个发光单元内，所述顶部dbr层还包括场效应管区，所述场效应管区设置在所述主体区远离所述有源层的一侧，且所述场效应管区分别与所述第一注入区和所述第二注入区隔离，所述场效应管...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈宏勋，姜驰，曾评伟，范纲维，陈柏翰，
申请(专利权)人：泉州市三安光通讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：