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本发明实施例提供一种半导体激光器及其控制方法和激光设备,半导体激光器包括多个发光单元,每个发光单元包括衬底、第一、第二电极以及底部DBR层、有源层、氧化层、顶部DBR层和浮栅结构层;氧化层上形成有氧化限制孔;顶部DBR层包括:主体区;第一注...该专利属于泉州市三安光通讯科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泉州市三安光通讯科技有限公司授权不得商用。
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本发明实施例提供一种半导体激光器及其控制方法和激光设备,半导体激光器包括多个发光单元,每个发光单元包括衬底、第一、第二电极以及底部DBR层、有源层、氧化层、顶部DBR层和浮栅结构层;氧化层上形成有氧化限制孔;顶部DBR层包括:主体区;第一注...