【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳纳米管制备，尤其涉及一种碳纳米管制备工艺。
技术介绍
1、碳纳米管是一种有碳原子搭建而成的圆柱形纳米结构，它与石墨，石墨烯，富勒烯等同为碳的同素异形体；作为一种新发现的一维纳米材料，碳纳米管受到了广泛关注。
2、在结构上，碳纳米管可以看作是由一层石墨烯沿不同方向卷曲而成，其卷曲方向决定了碳纳米管的类型，通常以卷曲方向ch或者一组整数对(n,m)来表示碳纳米管的类型。
3、现有技术中常见的碳纳米管制备方式主要包括电弧放电法，激光烧蚀法，化学气相沉积法，这些方法的共同点是通过向碳源添加能量，使碳源分解为可以用于生长碳纳米管的含碳基团或单个c原子，外加能量的来源可以是电弧放电产生的电能,cvd产生的热能，或激光产生的高强度光，在制备过程中，最常用到的是化学气相沉积法。
4、化学气相沉积法是利用过渡金属如铁，镍，钴等作为催化剂，通过高温裂解甲烷，乙炔，一氧化碳等碳源气体得到碳原子，随后碳纳米管在纳米尺度的催化剂颗粒上生长，其中mwcnt通常在较低温度下形成，而swcnt则需要较高温度，目前关于cvd生长碳纳米管的机制有两种，包括vls和vss，vls机理中，碳源经裂解得到的碳原子先溶解渗透到催化剂中形成液体的亚稳态碳化物，并在催化剂颗粒中不断扩散，最终由于溶解的碳原子出现过饱和，从而在催化剂表面析出形成碳纳米管；在vss机理中，碳源经裂解形成的碳原子直接以碳的形式沉积在催化剂上，在催化剂表面形成碳纳米管，此外，在碳纳米管生长过程中还存在是顶部生长还是底部生长的问题，化学气相沉积法制的的
5、在现有技术制备碳纳米管时，在镀膜前，需要对硅片进行清洗和清理，单现有技术中一般有人工使用夹取工具夹持硅片放入氢氟酸溶液中进行冲刷清洗，且清洗后还有人工使用去离子水对硅片进行二次清洗，在清洗完成后，还要使用高纯度氮气进行吹干，操作步骤可能比较繁琐，工作效率有待进一步提高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了解决
技术介绍
中提出的工作效率有待进一步提高的问题，而提出的一种碳纳米管制备工艺。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种碳纳米管制备工艺，具体包括以下步骤：
4、步骤一、将硅基片放入超声波清洗机中进行清洗；
5、步骤二、使用光刻机对清洗后的硅基片进行光刻处理；
6、步骤三、使用清洗装置对光刻后的硅基片进行清理；
7、步骤四、将清洗后的硅基片放入真空镀膜机中进行镀膜处理；
8、步骤五、清洗镀膜后硅片上的光刻胶和金属层；
9、步骤六、将清洗后硅片放入微波等离子增强化学气相沉积系统中，加热后析出碳纳米管。
10、优选的，所述步骤三中的清洗装置包括机体，所述机体上固定连接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆驱动端固定连接有推杆，所述推杆上固定连接有吸盘，所述机体上还固定连接有放置盘，所述放置盘上卡接有清洗盒，所述清洗盒位于所述吸盘正下方。
11、进一步的，所述机体上固定连接有第一驱动筒，所述第一驱动筒底部固定连接有第一连接管，所述第一驱动筒侧壁上固定连接有第二连接管，所述第二连接管远离第一驱动筒的一端朝向所述吸盘。
12、进一步的，所述机体上固定连接有第二驱动筒，所述第二驱动筒底部固定连接有第三连接管，所述第二驱动筒侧壁上固定连接有第四连接管，所述第四连接管和所述第二连接管对称设置，且所述第四连接管远离第二驱动筒的一端朝向所述吸盘。
13、更进一步的，所述第一驱动筒中滑动连接有第一滑塞，所述第一滑塞上固定连接有第一连接杆，所述第一连接杆远离第一滑塞的一端和所述推杆固定相连。
14、更进一步的，所述第二驱动筒中滑动连接有第二滑塞，所述第二滑塞上固定连接有第二连接杆，所述第二连接杆远离第二滑塞的一端和所述推杆固定相连。
15、更进一步的，所述放置盘上开设有卡槽，所述卡槽内底壁上固定连接有第一磁铁，所述清洗盒底部固定连接有第二磁铁，所述第一磁铁和第二磁铁相吸。
16、为了能使第一滑塞快速复位，再进一步的，所述第一滑塞上固定连接有第一弹簧，所述第一弹簧远离第一滑塞的一端固定连接在第一驱动筒的内顶壁上。
17、为了能使第二滑塞快速复位，再进一步的，所述第二滑塞上固定连接有第二弹簧，所述第二弹簧远离第二滑塞的一端固定连接在第二驱动筒内顶壁上。
18、进一步的，所述机体顶部固定连接有负吸泵，所述负吸泵驱动端固定连接有抽气管，所述抽气管和所述吸盘相连通。
19、与现有技术相比，本专利技术提供了一种碳纳米管制备工艺，具备以下有益效果：
20、1、该碳纳米管制备工艺，通过工艺中的清洗装置在硅片进行镀膜前进行清洗，能够有效的祛除硅基片上的氧化硅，同时还能清洗掉硅基片上可能存在的微颗粒，通过去除硅基片上的氧化硅和微颗粒，进而能够硅基片表面的整洁度，进而保证后续的镀膜质量；
21、2、该碳纳米管制备工艺，通过在清洗的过程中，使用离子水将会冲刷硅片，进而能够冲刷掉硅片上残留的氢氟酸溶液，通过将硅片上残留的氢氟酸溶液冲下，进而能够保证硅片后续镀膜质量和镀膜效果，同时还能够将氮气喷出，喷出的气体将吹击在硅片上，进而能够将硅片上残留的去离子水珠吹散，能够加速去离子水的挥发，进一步提高了对硅片的清理效果，通过该清洗装置对硅片进行清洗、清理，省去了繁琐的操作步骤，工作效率有效的得到了提高。
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1.一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述步骤三中的清洗装置包括机体(2)，所述机体(2)上固定连接有电动伸缩杆(1)，所述电动伸缩杆(1)驱动端固定连接有推杆(101)，所述推杆(101)上固定连接有吸盘(4)，所述机体(2)上还固定连接有放置盘(5)，所述放置盘(5)上卡接有清洗盒(3)，所述清洗盒(3)位于所述吸盘(4)正下方。
3.根据权利要求2所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述机体(2)上固定连接有第一驱动筒(9)，所述第一驱动筒(9)底部固定连接有第一连接管(701)，所述第一驱动筒(9)侧壁上固定连接有第二连接管(903)，所述第二连接管(903)远离第一驱动筒(9)的一端朝向所述吸盘(4)。
4.根据权利要求2所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述机体(2)上固定连接有第二驱动筒(10)，所述第二驱动筒(10)底部固定连接有第三连接管(801)，所述第二驱动筒(10)侧壁上固定连接有第四连接管(1003)，所述第四连接管(1003)和所
5.根据权利要求3所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述第一驱动筒(9)中滑动连接有第一滑塞(901)，所述第一滑塞(901)上固定连接有第一连接杆(1011)，所述第一连接杆(1011)远离第一滑塞(901)的一端和所述推杆(101)固定相连。
6.根据权利要求4所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述第二驱动筒(10)中滑动连接有第二滑塞(1001)，所述第二滑塞(1001)上固定连接有第二连接杆(1012)，所述第二连接杆(1012)远离第二滑塞(1001)的一端和所述推杆(101)固定相连。
7.根据权利要求2所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述放置盘(5)上开设有卡槽(501)，所述卡槽(501)内底壁上固定连接有第一磁铁(5011)，所述清洗盒(3)底部固定连接有第二磁铁(301)，所述第一磁铁(5011)和第二磁铁(301)相吸。
8.根据权利要求5所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述第一滑塞(901)上固定连接有第一弹簧(902)，所述第一弹簧(902)远离第一滑塞(901)的一端固定连接在第一驱动筒(9)的内顶壁上。
9.根据权利要求6所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述第二滑塞(1001)上固定连接有第二弹簧(1002)，所述第二弹簧(1002)远离第二滑塞(1001)的一端固定连接在第二驱动筒(10)内顶壁上。
10.根据权利要求1所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述机体(2)顶部固定连接有负吸泵(6)，所述负吸泵(6)驱动端固定连接有抽气管(601)，所述抽气管(601)和所述吸盘(4)相连通。
...【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，具体包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述步骤三中的清洗装置包括机体(2)，所述机体(2)上固定连接有电动伸缩杆(1)，所述电动伸缩杆(1)驱动端固定连接有推杆(101)，所述推杆(101)上固定连接有吸盘(4)，所述机体(2)上还固定连接有放置盘(5)，所述放置盘(5)上卡接有清洗盒(3)，所述清洗盒(3)位于所述吸盘(4)正下方。
3.根据权利要求2所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述机体(2)上固定连接有第一驱动筒(9)，所述第一驱动筒(9)底部固定连接有第一连接管(701)，所述第一驱动筒(9)侧壁上固定连接有第二连接管(903)，所述第二连接管(903)远离第一驱动筒(9)的一端朝向所述吸盘(4)。
4.根据权利要求2所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述机体(2)上固定连接有第二驱动筒(10)，所述第二驱动筒(10)底部固定连接有第三连接管(801)，所述第二驱动筒(10)侧壁上固定连接有第四连接管(1003)，所述第四连接管(1003)和所述第二连接管(903)对称设置，且所述第四连接管(1003)远离第二驱动筒(10)的一端朝向所述吸盘(4)。
5.根据权利要求3所述的一种碳纳米管制备工艺，其特征在于，所述第一驱动筒(9)中滑动连接有第一滑塞(901)，所述第一滑塞(901)上固定连接有第一连接杆(1011...
【专利技术属性】
技术研发人员：过宾，韩畅，侯耀民，汪斌，潘树泉，
申请(专利权)人：研亿泰安电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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