【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳电池，具体而言，涉及一种不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法。
技术介绍
1、在一些太阳电池的制备工艺中，需要在透明导电薄膜的表层先进行pvd溅射，沉积用于导电的铜种子层。然后在铜种子层上进行图形化工艺，然后电镀铜栅线和锡栅线。
2、但是，在图形化工艺和电镀栅线等工艺过程中，可能会出现图形化质量和电镀栅线质量较差的情况，会形成不良太阳电池。因此，有必要提供一种不良太阳电池的回收方法。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法，以部分或全部地改善相关技术中不良太阳电池的回收问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种不良太阳电池的回收方法，太阳电池包括电池基片，电池基片的表层为透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有铜栅线和位于铜栅线表面的锡栅线；回收方法包括：利用第一药水浸泡太阳电池去除锡栅线，形成第一预处理片；利用第二药水浸泡第一预处理片去除铜栅线，形成第二预处理片；利用有机溶剂浸泡第二预处理片，去除含...
【技术保护点】
1.一种不良太阳电池的回收方法，所述太阳电池包括电池基片，所述电池基片的表层为透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层上设置有铜栅线和位于所述铜栅线表面的锡栅线；其特征在于，所述回收方法包括：
2.根据权利要求1所述的回收方法，其特征在于，所述第二酸的浓度为0.08-0.12mol/L。
3.根据权利要求1所述的回收方法，其特征在于，所述有机酸选自甲基磺酸、柠檬酸或草酸中的至少一种；
4.根据权利要求3所述的回收方法，其特征在于，所述利用第一药水浸泡所述太阳电池去除锡栅线的方法包括：将所述太阳电池浸泡于45-50℃的所述第一药水中3-5m
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【技术特征摘要】
1.一种不良太阳电池的回收方法，所述太阳电池包括电池基片，所述电池基片的表层为透明导电薄膜层，所述透明导电薄膜层上设置有铜栅线和位于所述铜栅线表面的锡栅线；其特征在于，所述回收方法包括：
2.根据权利要求1所述的回收方法，其特征在于，所述第二酸的浓度为0.08-0.12mol/l。
3.根据权利要求1所述的回收方法，其特征在于，所述有机酸选自甲基磺酸、柠檬酸或草酸中的至少一种；
4.根据权利要求3所述的回收方法，其特征在于，所述利用第一药水浸泡所述太阳电池去除锡栅线的方法包括：将所述太阳电池浸泡于45-50℃的所述第一药水中3-5min。
5.根据权利要求1所述的回收方法，其特征在于，所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘卓冰，周华，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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