System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法技术_技高网

不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法技术

技术编号:40524529 阅读:8 留言:0更新日期:2024-03-01 13:43
一种不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法,属于太阳电池技术领域。不良太阳电池的回收方法包括:利用第一药水浸泡太阳电池去除锡栅线,形成第一预处理片;利用第二药水浸泡第一预处理片去除铜栅线,形成第二预处理片;利用有机溶剂浸泡第二预处理片,去除含碳残留物,获得电池基片。其中,第一药水包括有机酸,第二药水包括氧化剂和第二酸。利用本申请示例提供的回收方法,可以对回收的电池基片进行在生产,且再生产获得的太阳电池具有较高的效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳电池,具体而言,涉及一种不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法


技术介绍

1、在一些太阳电池的制备工艺中,需要在透明导电薄膜的表层先进行pvd溅射,沉积用于导电的铜种子层。然后在铜种子层上进行图形化工艺,然后电镀铜栅线和锡栅线。

2、但是,在图形化工艺和电镀栅线等工艺过程中,可能会出现图形化质量和电镀栅线质量较差的情况,会形成不良太阳电池。因此,有必要提供一种不良太阳电池的回收方法。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种不良太阳电池的回收方法和太阳电池的制备方法,以部分或全部地改善相关技术中不良太阳电池的回收问题。

2、第一方面,本申请实施例提供了一种不良太阳电池的回收方法,太阳电池包括电池基片,电池基片的表层为透明导电薄膜层,透明导电薄膜层上设置有铜栅线和位于铜栅线表面的锡栅线;回收方法包括:利用第一药水浸泡太阳电池去除锡栅线,形成第一预处理片;利用第二药水浸泡第一预处理片去除铜栅线,形成第二预处理片;利用有机溶剂浸泡第二预处理片,去除含碳残留物,获得电池基片。其中,第一药水包括有机酸,第二药水包括氧化剂和第二酸。

3、在上述实现过程中,利用含有有机酸的第一药水浸泡不良的太阳电池,第一药水中的有机酸会与锡栅线快速反应去除锡栅线,基本不会损伤透明导电薄膜,形成第一预处理片。然后,利用含有第二酸和氧化剂的第二药水浸泡去除锡栅线后的第一预处理片,第二药水中的氧化剂和无机酸,会氧化铜栅线并在酸性环境中去除铜栅线,形成第二预处理片。然后利用有机溶剂浸泡第二预处理片,有机溶剂可以快速去除残留在透明导电薄膜上的含碳残留物,基本不会损伤透明导电薄膜,可以获得可回收利用的含有透明导电薄膜的电池基片。

4、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,第二酸的浓度为0.08-0.12mol/l。

5、在上述实现过程中,利用氧化剂与浓度为0.08-0.12mol/l的第二酸进行配合,能够在去除铜栅线的同时,还能降低第二药水对透明导电薄膜的损坏程度。

6、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,有机酸选自甲基磺酸、柠檬酸或草酸中的至少一种。

7、在上述实现过程中,甲基磺酸、柠檬酸或草酸等有机酸能够与锡栅线中的金属锡快速反应,去除锡栅线。

8、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,第一药水还包括第一表面活性剂。

9、可选的,第一表面活性剂选自非离子表面活性剂。

10、在上述实现过程中,在第一药水中添加非离子表面活性剂等第一表面活性剂,可以利用第一表面活性剂将有机酸与锡反应后的产物从第一预处理片的表面分离,避免产物附着在第一预处理片的表面形成杂质,影响回收获得的电池基片的质量。

11、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,利用第一药水浸泡太阳电池去除锡栅线的方法包括:将太阳电池浸泡于45-50℃的第一药水中3-5min。

12、在上述实现过程中,利用第一药水浸泡太阳电池去除锡栅线时,将太阳电池浸泡于45-50℃的第一药水中3-5min,可以提高第一药水与锡栅线的反应速率,减少浸泡时间,降低第一药水对透明导电薄膜的损伤,提高回收获得的电池基片的质量。

13、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,第二酸选自h2so4、h3po4、ch3cooh甲酸和乙酸中的至少一者。

14、在上述实现过程中,利用0.08-0.12mol/l的h2so4、h3po4和ch3cooh、甲酸和乙酸中的至少一者,可以在与氧化剂的配合作用下快速地去除铜栅线,且基本不会损坏透明导电薄膜,能够提高回收获得的电池基片的质量。

15、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,氧化剂选自过氧化氢或过硫酸氢中的至少一种。

16、可选的,氧化剂的浓度为14-22g/l。

17、在上述实现过程中,利用14-22g/l的过氧化氢或过硫酸氢等氧化剂,可以在酸性环境下快速地催化铜栅线反应,降低第一预处理片的浸泡时间,降低第二药水对透明导电氧化物的损伤,还能减小引入新的杂质元素的几率。

18、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,利用第二药水浸泡第一预处理片去除铜栅线的方法包括:将第一预处理片浸泡于30-35℃的第二药水中3-5min。

19、在上述实现过程中,利用第二药水浸泡第一预处理片去除铜栅线时,将第一预处理片浸泡于30-35℃的第二药水中3-5min,可以提高第二药水与铜栅线的反应速率,减少浸泡时间,降低第二药水对透明导电薄膜的损伤,提高回收获得的电池基片的质量。

20、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,包括二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵中的至少一种。

21、在上述实现过程中,包含有二甲基亚砜和甲基氢氧化铵等的有机溶剂浸泡第二预处理片,可以去除第二预处理片表面残留的含碳残留物,提高回收获得的电池基片的质量。

22、结合第一方面,本申请可选的实施方式中,有机溶剂还包括第二表面活性剂。

23、可选的,第二表面活性剂选自阴离子表面活性剂。

24、在上述实现过程中,在有机溶剂中添加阴离子表面活性剂等第二表面活性剂,可以进一步减少反应残留物附着在电池基片表面的几率,提高回收获得的电池基片的质量。

25、第二方面,本申请实施例提供了一种太阳电池的制备方法,包括:

26、根据第一方面提供的回收方法制得电池基片,在电池基片的表面溅射金属种子层,在金属种子层上涂敷感光胶,曝光显影形成栅线槽,在栅线槽内电镀栅线。

27、在上述实现过程中,利用第一方面回收获得的电池基片进行金属种子层的制备,然后在金属种子层上涂敷感光胶,曝光显影形成栅线槽,在栅线槽内电镀栅线,可以形成新的太阳电池,实现回收获得的电池基片的再生产。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种不良太阳电池的回收方法,所述太阳电池包括电池基片,所述电池基片的表层为透明导电薄膜层,所述透明导电薄膜层上设置有铜栅线和位于所述铜栅线表面的锡栅线;其特征在于,所述回收方法包括:

2.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述第二酸的浓度为0.08-0.12mol/L。

3.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述有机酸选自甲基磺酸、柠檬酸或草酸中的至少一种;

4.根据权利要求3所述的回收方法,其特征在于,所述利用第一药水浸泡所述太阳电池去除锡栅线的方法包括:将所述太阳电池浸泡于45-50℃的所述第一药水中3-5min。

5.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述第二酸选自H2SO4、H3PO4、CH3COOH、甲酸和乙酸中的至少一者。

6.根据权利要求5所述的回收方法,其特征在于,所述氧化剂选自过氧化氢或过硫酸氢中的至少一种;

7.根据权利要求6所述的回收方法,其特征在于,所述利用第二药水浸泡所述第一预处理片去除所述铜栅线的方法包括:将所述第一预处理片浸泡于30-35℃的所述第二药水中3-5min。

8.根据权利要求1-7任一项所述的回收方法,其特征在于,所述有机溶剂包括二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的回收方法,其特征在于,所述有机溶剂还包括第二表面活性剂;

10.一种太阳电池的制备方法,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种不良太阳电池的回收方法,所述太阳电池包括电池基片,所述电池基片的表层为透明导电薄膜层,所述透明导电薄膜层上设置有铜栅线和位于所述铜栅线表面的锡栅线;其特征在于,所述回收方法包括:

2.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述第二酸的浓度为0.08-0.12mol/l。

3.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述有机酸选自甲基磺酸、柠檬酸或草酸中的至少一种;

4.根据权利要求3所述的回收方法,其特征在于,所述利用第一药水浸泡所述太阳电池去除锡栅线的方法包括:将所述太阳电池浸泡于45-50℃的所述第一药水中3-5min。

5.根据权利要求1所述的回收方法,其特征在于,所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘卓冰周华
申请(专利权)人:通威太阳能成都有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1