一种覆铜金刚石热沉片的制备方法技术

本发明专利技术属于材料科学技术领域，尤其涉及一种覆铜金刚石热沉片的制备方法，包括：在金刚石热沉片的每一面分别依次溅射氮化铝膜层、纯金属钛层和铜层，制得预制件；将预制件放入真空退火炉内退火，得到退火后的预制件，将退火后的预制件进行电镀覆铜，制得覆铜金刚石热沉片。本发明专利技术推出了金刚石覆铜的工艺，在金刚石上经过复杂工艺镀上不同的缓冲层，最后在表面覆铜。经过缓冲层的缓冲，每层之间的线膨胀系数差异低于膨胀开裂的临界值，使得每层材料都能良好贴合连接，使得表面的覆铜层保持完整性能和状态，可用于与芯片等元件的焊接，并且在焊接之后不会因为线膨胀系数的差异性而导致开裂等情况发生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料科学，具体涉及一种覆铜金刚石热沉片的制备方法。

技术介绍

1、金刚石拥有极高的热导率，是用于制作热沉片的优越材料。但是因为金刚石和大多数材料的线膨胀系数相差较大，当线膨胀系数相差过大时，对二者的焊接影响十分严重，尤其是在元器件制造过程中，芯片的焊接稳定性极大地影响了电子元器件的寿命。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种覆铜金刚石热沉片的制备方法。

2、为实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种覆铜金刚石热沉片的制备方法，包括：

3、在金刚石热沉片的每一面分别依次溅射氮化铝膜层、纯金属钛层和铜层，制得预制件；

4、将预制件放入真空退火炉内退火，得到退火后的预制件，将退火后的预制件进行电镀覆铜，制得覆铜金刚石热沉片。

5、在一个实施例中，在金刚石热沉片的每一面分别依次溅射氮化铝膜层、纯金属钛层和铜层，制得预制件，包括：

6、将金刚石热沉片用pvd设备进行磁控溅射，使用射频溅射在其表面依次溅射氮化铝膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，在金刚石热沉片的每一面分别依次溅射氮化铝膜层、纯金属钛层和铜层，制得预制件，包括：

3.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，氮化铝膜层的厚度为500nm～800nm，纯金属钛层的厚度为400～500nm，铜层的厚度为100～150nm。

4.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，将预制件放入真空退火炉内退火，得到退火后的预制件，包括：

5.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的...

【技术特征摘要】

1.一种覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，在金刚石热沉片的每一面分别依次溅射氮化铝膜层、纯金属钛层和铜层，制得预制件，包括：

3.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，氮化铝膜层的厚度为500nm～800nm，纯金属钛层的厚度为400～500nm，铜层的厚度为100～150nm。

4.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，将预制件放入真空退火炉内退火，得到退火后的预制件，包括：

5.根据权利要求1所述的覆铜金刚石热沉片的制备方法，其特征在于，将退火后的预制件进行电镀覆铜，制得覆铜金刚石热沉片，包括：

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海浪，张星，
申请(专利权)人：化合积电厦门半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：