【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及显示的技术，尤其涉及一种驱动背板及其制作方法。
技术介绍
1、在显示面板中，集成在显示面板非显示区的栅极驱动电路是有源主动发光显示面板的重要组成部分。近年来，新型显示产业发展日新月异，对窄边框、高分辨率显示的需求日益提升，从而对栅极驱动电路中的薄膜晶体管的驱动能力有了更高的要求。此时需要设计具有更大沟道宽长比的薄膜晶体管，以提高薄膜晶体管的驱动能力，使其能够提供比较大的电流，用于为显示面板显示区的像素驱动电路提供驱动信号。
2、金属氧化物(metal oxide，mo)薄膜晶体管(thin film transistor，tft)因兼具多晶硅tft和非晶硅tft的优点，被认为是下一代显示技术中最具潜力的器件。通常，作为像素阵列驱动部分的薄膜晶体管希望具有接近或稍大于零的阈值电压。一方面可以满足增强型薄膜晶体管的特性，达到省电节能的效果；另一方面具备较高的驱动能力和器件稳定性。而作为栅极驱动电路中的薄膜晶体管希望具有相对较正的阈值电压。由于栅极驱动电路是多级逐行运行机制，只要其中某一级出现问题，后面的驱动就会出现紊乱。因此，在栅极驱动电路的设计中多通过采用较正的阈值电压来增加其应用窗口，提高驱动电路的良率。这给驱动背板上的薄膜晶体管在高质量显示中，同时满足像素阵列驱动部分的薄膜晶体管的性能要求以及栅极驱动电路中的薄膜晶体管的性能要求带来了巨大的挑战。尤其是在薄膜晶体管的有源层的材料为高迁移率金属氧化物半导体时，像素阵列驱动部分的薄膜晶体管的性能要求以及栅极驱动电路中的薄膜晶体管的性能要求的冲突现象更
技术实现思路
1、本专利技术提供一种驱动背板及其制作方法，以满足驱动背板对晶体管的不同性能要求。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种驱动背板，包括第一区和第二区，所述第二区至少部分围绕所述第一区设置；所述驱动背板还包括：
3、衬底；
4、有源层；所述有源层设置于所述衬底的一侧，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层设置于所述第一区；用于形成第一晶体管；所述第二有源层设置于所述第二区，用于形成第二晶体管；所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。
5、可选地，所述第一有源层的厚度范围为20～150nm，所述第二有源层的厚度范围为5～50nm。
6、可选地，所述有源层包括至少两层层叠设置的半导体层。
7、可选地，所述有源层的材料为(in2o3)x(mo)y(ro)z；其中，mo包括至少一种金属氧化物，ro包括至少一种稀土氧化物，x+y+z＝1。
8、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种驱动背板的制作方法，包括：
9、在衬底上形成有源层；
10、图案化所述有源层，以形成第一有源层和第二有源层；其中，所述第一有源层设置于第一区；用于形成第一晶体管；所述第二有源层设置于第二区，用于形成第二晶体管；所述第一有源层的厚度大于所述第二有源层的厚度。
11、可选地，图案化所述有源层，以形成第一有源层和第二有源层，包括：
12、在所述有源层远离所述衬底的一侧形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，沿所述有源层指向所述衬底的方向，所述第一掩膜层的垂直投影与所述第一有源层重合，所述第二掩膜层的垂直投影与所述第二有源层重合；
13、刻蚀所述有源层，以形成所述第一有源层和第二图案；
14、去除所述第二掩膜层；
15、减薄所述第二图案，以形成所述第二有源层；
16、去除所述第一掩膜层。
17、可选地，在所述有源层远离所述衬底的一侧形成第一掩膜层和第二掩膜层，包括：
18、在所述有源层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；
19、在所述光刻胶层远离所述有源层的一侧设置灰度掩膜版；
20、采用光刻工艺图案化所述光刻胶层，以形成所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的厚度。
21、可选地，去除所述第二掩膜层，包括：
22、采用等离子体工艺去除所述第二掩膜层。
23、可选地，图案化所述有源层，以形成第一有源层和第二有源层，包括：
24、在所述有源层远离所述衬底的一侧形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，沿所述有源层指向所述衬底的方向，所述第一掩膜层的垂直投影与所述第一有源层重合，所述第二掩膜层的垂直投影与所述第二有源层重合；
25、刻蚀所述有源层，以形成所述第一有源层和第二图案；
26、去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；
27、在所述第一有源层远离所述衬底的一侧形成第三掩膜层；所述第三掩膜层覆盖所述第一有源层；
28、减薄所述第二图案，以形成所述第二有源层；
29、去除所述第三掩膜层。
30、可选地，所述有源层包括至少两层层叠设置的半导体层时，在衬底上形成有源层，包括：
31、采用沉积工艺分层沉积至少两层所述半导体层。
32、本专利技术实施例的技术方案，通过在同一基板中设置两种厚度的有源层，其中第一有源层的厚度大于第二有源层的厚度，可以使得第二晶体管的阈值电压相对于第一晶体管的阈值电压正偏，从而可以改善第二晶体管的阈值电压负向偏移的现象，以提高第二晶体管的驱动能力。两种阈值电压的晶体管分别设置于驱动背板的不同功能区，一方面第一区(如像素区域)薄膜晶体管具有相对较负阈值电压，可以满足薄膜晶体管的驱动需要；另一方面第二区(如栅极驱动电路区域)薄膜晶体管具有相对较正的阈值电压，可以在同一驱动背板内满足不同性能需求的驱动设计。
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1.一种驱动背板，其特征在于，包括第一区和第二区，所述第二区至少部分围绕所述第一区设置；所述驱动背板还包括：
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一有源层的厚度范围为20～150nm，所述第二有源层的厚度范围为5～50nm。
3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述有源层包括至少两层层叠设置的半导体层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述有源层的材料为(In2O3)x(MO)y(RO)z；其中，MO包括至少一种金属氧化物，RO包括至少一种稀土氧化物，x+y+z＝1。
5.一种驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，图案化所述有源层，以形成第一有源层和第二有源层，包括：
7.根据权利要求6所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，在所述有源层远离所述衬底的一侧形成第一掩膜层和第二掩膜层，包括：
8.根据权利要求7所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，去除所述第二掩膜层，包括：
9.根据
10.根据权利要求5所述的驱动背板的制作方法，其特征在于，所述有源层包括至少两层层叠设置的半导体层时，在衬底上形成有源层，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种驱动背板，其特征在于，包括第一区和第二区，所述第二区至少部分围绕所述第一区设置；所述驱动背板还包括：
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一有源层的厚度范围为20～150nm，所述第二有源层的厚度范围为5～50nm。
3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述有源层包括至少两层层叠设置的半导体层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述有源层的材料为(in2o3)x(mo)y(ro)z；其中，mo包括至少一种金属氧化物，ro包括至少一种稀土氧化物，x+y+z＝1。
5.一种驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐华，
申请(专利权)人：深圳庸行科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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