【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种成像元件。
技术介绍
1、传统上，已知一种包括具有以矩阵状配置的多个像素的像素部的固态成像装置(例如，参见专利文献1)。固态成像装置包括ad转换部，该ad转换部用于对基于已经由设置在多个像素中的光电转换元件执行了光电转换的电气信号的模拟像素信号执行ad(模数)转换。基于由ad转换部ad转换的数字像素信号，使图像显示在显示装置等上。
2、引用文献列表
3、专利文献
4、专利文献1：日本专利申请特开第2014-023065号
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、针对设置在像素部中的多个像素的每列设置ad转换部。因此，多个ad转换部平行地配置成一行。此外，相邻的ad转换部彼此靠近地配置。ad转换部中设置的比较器具有输入电容。由于与模拟像素信号相对应的电压在经ad转换时保持在该输入电容，因此在ad转换期间施加到该输入电容的电压变动。电压变动会干扰设置在相邻ad转换部中的比较器的输入电容，并且在一些情况下会发生串扰。当在ad转换部中发生串扰时，受相邻的ad转换部影响的ad转换部(受干扰侧的ad转换部)会对通过将相邻的ad转换部的电压变动叠加在从像素输入的模拟像素信号上而获得的模拟信号执行ad转换。结果，产生如下问题：在显示装置等上显示已产生噪声的图像。
3、本技术的目的是提供一种能够减少ad转换部中的串扰的成像元件。
4、问题的解决方案
5、根据本技术实施方案的成像元件包括：第一电容，所
6、所述第一电容、所述第三电容、所述第四电容、所述第五电容、所述第七电容和所述第八电容中的每个可以包括被分割的多个分割电容，和作为所述第五电容的所述分割电容的第五分割电容可以配置成使得面对作为所述第一电容的所述分割电容的第一分割电容的数量和面对作为所述第四电容的所述分割电容的第四分割电容的数量不同。
7、作为所述第三电容的所述分割电容的第三分割电容可以聚集在所述第一区域的预定范围内，作为所述第七电容的所述分割电容的第七分割电容可以聚集在所述第二区域的预定范围内，和多个所述第三分割电容和多个所述第七分割电容可以以一一对应的关系彼此面对地配置。
8、所述成像元件还可以包括：第一切换元件，所述第一切换元件用于在所述第一电容和所述第三电容的连接和断开之间进行切换；第二切换元件，所述第二切换元件用于在所述第二电容和所述第三电容的连接和断开之间进行切换；第三切换元件，所述第三切换元件用于在两个相邻的所述第三分割电容的连接和断开之间进行切换；第五切换元件，所述第五切换元件用于在所述第五电容和所述第七电容的连接和断开之间进行切换；第六切换元件，所述第六切换元件用于在所述第六电容和所述第七电容的连接和断开之间切换；和第七切换元件，所述第七切换元件用于在两个相邻的所述第七分割电容的连接和断开之间进行切换。
9、所述第一分割电容、所述第二电容和所述第三分割电容的总数可以与作为所述第四电容的分割电容的第四分割电容的总数相同，所述第五分割电容、所述第六电容和所述第七分割电容的总数可以与作为所述第八电容的分割电容的第八分割电容的总数相同，和所述第一分割电容、所述第二电容、所述第三分割电容和所述第四分割电容的总数可以与所述第五分割电容、所述第六电容、所述第七分割电容和所述第八分割电容的总数相同。
10、多个所述第一分割电容中的每个、所述第二电容、多个所述第三分割电容中的每个、多个所述第四分割电容中的每个、多个所述第五分割电容中的每个、所述第六电容、多个所述第七分割电容中的每个以及多个所述第八分割电容中的每个具有相同的电容值。
11、多个所述第一分割电容中的每个可以包括连接到所述第一信号线的一个电极以及连接到所述第一差分放大器的所述一个输入部的另一电极，所述第二电容可以包括连接到所述参考信号生成部的一个电极以及连接到所述第一差分放大器的所述一个输入部的另一电极，多个所述第三分割电容中的每个可以包括连接到所述第三切换元件的一个电极以及连接到所述第一差分放大器的所述一个输入部的另一电极，多个所述第四分割电容中的每个可以包括连接到所述基准电位的供给部的一个电极以及连接到所述第一差分放大器的所述另一输入部的另一电极，多个所述第五分割电容中的每个可以包括连接到所述第二信号线的一个电极以及连接到所述第二差分放大器的所述一个输入部的另一电极，所述第六电容可以包括连接到所述参考信号生成部的一个电极以及连接到所述第二差分放大器的所述一个输入部的另一电极，多个所述第七分割电容中的每个可以包括连接到所述第七切换元件的一个电极以及连接到所述第二差分放大器的所述一个输入部的另一电极，和多个所述第八分割电容中的每个可以包括连接到所述基准电位的供给部的一个电极以及连接到所述第二差分放大器的所述另一输入部的另一电极。
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1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第四电容的所述第一子区域沿着所述第一列区域的所述列方向布置在所述第三电容和所述第一电容之间。
3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第四电容的所述第二子区域沿着所述第一列区域的所述列方向布置在所述第一差分晶体管和所述第一电容之间。
4.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一晶体管包括第一分割晶体管和第二分割晶体管，且所述第二晶体管沿着所述第一列区域的所述列方向布置在所述第一分割晶体管和所述第二分割晶体管之间。
5.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述第八电容的所述第二子区域沿着所述第二列区域的所述列方向布置在所述第二差分晶体管和所述第四电容之间。
7.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述第三晶体管包括第一分割晶体管和第二分割晶体管，且所述第四晶体管沿着所述第二列区域的所述列方向布置在所述第一分割晶体管和所述第二分割晶体管之间。
8.根据权利要求7所述的
9.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述第四电容的所述第一子区域小于所述第八电容的所述第一子区域，且所述第四电容的所述第二子区域大于所述第八电容的所述第二子区域。
10.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述基准电位是接地电位。
...【技术特征摘要】
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第四电容的所述第一子区域沿着所述第一列区域的所述列方向布置在所述第三电容和所述第一电容之间。
3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第四电容的所述第二子区域沿着所述第一列区域的所述列方向布置在所述第一差分晶体管和所述第一电容之间。
4.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一晶体管包括第一分割晶体管和第二分割晶体管，且所述第二晶体管沿着所述第一列区域的所述列方向布置在所述第一分割晶体管和所述第二分割晶体管之间。
5.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：
6.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述第八电容的所述第二子区域沿着所述第二列区域的所述列方向布置在所述第二差分晶体管和所述第四电容之间。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：马上崇，矢津田宏智，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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