【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空微纳电子源的，更具体地，涉及一种集成栅极电子源的排布方法及真空电子设备。
技术介绍
1、p型半导体中电子是少数载流子，制备于p型半导体衬底上的场发射阴极具有饱和发射特性，可提供稳定的场发射电流。集成电子抽取栅极的基于p型半导体衬底的场发射电子源，可作为高性能电子源应用于高时间/空间分辨率电子显微成像、微纳真空三极管、高通量电子束光刻、高精度电离真空计、微推力器电荷中和器和高能量分辨率质谱仪等领域。
2、在本领域常见基于p型半导体衬底的集成“并联矩形”栅电极板的方阵电子源设计中，为获得较大的发射电流密度，场发射阴极方阵密排于栅电极板中的小部分区域。因此，栅电极板在平面上可分为场发射阴极方阵外与方阵内两个区域，其中方阵外的区域面积占总栅电极板面积的大部分，其下方反型层电流是阵列场发射电流的主要电子供应来源。这些反型层电子沿电子浓度梯度最大的方向扩散输运，大部分分配至输运距离最短(即位于方阵边缘)的场发射阴极。方阵内部的各个场发射阴极只能得到其周围小面积区域(以场发射阴极间距为边长的正方形)反型层电子供应场发射，...
【技术保护点】
1.一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于：所述栅电极板(1)的形状为圆形，若干个所述场发射阴极(2)均匀排列在一个与所述栅电极板(1)同心的圆周上。
3.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于：所述栅电极板(1)的形状为正方形，若干个所述场发射阴极(2)呈方阵排列；位于方阵边缘的场发射阴极(2)到所述栅电极板(1)边界的最短距离均等于方阵中相邻场发射阴极间距的一半。
4.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于：所述栅电极板(1)的形状为圆形，若干个所述场发射阴极(2)均匀排列在一个与所述栅电极板(1)同心的圆周上。
3.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于：所述栅电极板(1)的形状为正方形，若干个所述场发射阴极(2)呈方阵排列；位于方阵边缘的场发射阴极(2)到所述栅电极板(1)边界的最短距离均等于方阵中相邻场发射阴极间距的一半。
4.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其特征在于：若干个所述场发射阴极(2)呈方阵排列，所述栅电极板(1)包括位于方阵外部四周的矩形区域(12)、及分别连接在所述矩形区域(12)与所述场发射阴极(2)之间的独立引线(13)，所述独立引线(13)的长度和面积相等或最大限度接近。
5.根据权利要求1所述的一种集成栅极电子源的排布方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：佘峻聪，陈阳，黄一峰，陈军，邓少芝，许宁生，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：
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