【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种移位寄存器单元和显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的不断发展，显示产品的应用领域越来越广泛，人们对显示产品的显示质量要求也越来越高。为了进一步缩窄显示装置的边框宽度，提升显示产品的驱动性能，一般采用goa(gate on array)技术，这种goa技术是将栅极驱动电路集成在显示产品中阵列基板的周边区域，这样在外接电路仅提供几路控制信号的基础上，采用与薄膜晶体管同样制程的工艺制作出该栅极驱动电路，即可实现逐行扫描驱动功能。
2、栅极驱动电路一般包括多个级联的移位寄存器单元，移位寄存器单元中包括多个薄膜晶体管。相关技术中，薄膜晶体管的特性对移位寄存器单元输出的栅极驱动信号的稳定性具有一定的影响，从而影响了显示产品的显示质量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种移位寄存器单元和显示装置，用于调整薄膜晶体管的特性，使移位寄存器单元能够输出稳定的栅极驱动信号，从而保证显示产品的显示质量。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术的第一方面提供一种移位寄存器单元，包括：至少一个漏电吸收单元，控制信号端，第一信号端，第二信号端和第三信号端；所述漏电吸收单元包括漏电吸收节点，第一传输子单元，第二传输子单元和吸收子单元；
4、所述第一传输子单元分别与所述控制信号端，所述第一信号端和所述漏电吸收节点耦接，用于在所述控制信号端的控制下，控制导通或断开所述第一信号端与所述漏电吸收节点
5、所述第二传输子单元分别与所述控制信号端，所述第二信号端和所述漏电吸收节点耦接，用于在所述控制信号端的控制下，控制导通或断开所述第二信号端与所述漏电吸收节点之间的电连接；
6、所述吸收子单元分别与所述第二信号端，所述第三信号端和所述漏电吸收节点耦接，用于在所述第二信号端的控制下，控制导通或断开所述第三信号端与所述漏电吸收节点之间的电连接。
7、可选的，所述第一传输子单元包括第一控制晶体管，所述第二传输子单元包括第二控制晶体管，所述吸收子单元包括第三控制晶体管；所述第三控制晶体管的沟道宽长比大于所述第一控制晶体管的沟道宽长比，和/或，所述第三控制晶体管的沟道宽长比大于所述第二控制晶体管的沟道宽长比；
8、所述第一控制晶体管的栅极与所述控制信号端耦接，所述第一控制晶体管的第一极与所述第一信号端耦接，所述第一控制晶体管的第二极与所述漏电吸收节点耦接；
9、所述第二控制晶体管的栅极与所述控制信号端耦接，所述第二控制晶体管的第一极与所述漏电吸收节点耦接，所述第二控制晶体管的第二极与所述第二信号端耦接；
10、所述第三控制晶体管的栅极与所述第二信号端耦接，所述第三控制晶体管的第一极与所述漏电吸收节点耦接，所述第三控制晶体管的第二极与所述第三信号端耦接。
11、可选的，对应于第一个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第一输出控制节点，所述第一信号端包括第一电平信号输入端，所述第二信号端包括栅极驱动信号输出端，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
12、可选的，对应于第二个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第二输出控制节点，所述第一信号端包括第一电平信号输入端，所述第二信号端包括第一输出控制节点，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
13、可选的，所述移位寄存器单元还包括第二节点控制单元，第一时钟信号输入端和起始信号输入端；所述第二节点控制单元分别与所述第一时钟信号输入端，所述起始信号输入端和所述第二输出控制节点耦接，用于在所述第一时钟信号输入端的控制下，控制导通或断开所述起始信号输入端和所述第二输出控制节点之间的电连接。
14、可选的，对应于第三个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第一时钟信号输入端，所述第一信号端包括起始信号输入端，所述第二信号端包括第二输出控制节点，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
15、可选的，所述移位寄存器单元还包括第一节点控制单元，所述第一节点控制单元分别与第一电平信号输入端，第三电平信号输入端和起始信号输入端耦接；用于在所述第一电平信号输入端和所述起始信号输入端的控制下，控制导通或断开所述第三电平信号输入端与所述第一输出控制节点之间的电连接。
16、可选的，所述移位寄存器单元还包括第一电平信号输入端，第三电平信号输入端，第一输出控制节点，第二输出控制节点，第三节点，第一输出单元，第二输出单元，第一节点控制单元，第二节点控制单元，第三节点控制单元；
17、所述第一输出单元分别与第一电平信号输入端，栅极驱动信号输出端和第一输出控制节点耦接，用于在所述第一输出控制节点的控制下，控制导通或断开所述第一电平信号输入端与所述栅极驱动信号输出端之间的电连接；
18、所述第二输出单元分别与第三电平信号输入端，栅极驱动信号输出端和第二输出控制节点耦接，用于在所述第二输出控制节点和所述栅极驱动信号输出端的控制下，控制导通或断开所述第三电平信号输入端与所述栅极驱动信号输出端之间的电连接；
19、第一节点控制单元分别与第一输出控制节点，第二输出控制节点和第一电平信号输入端耦接，用于在所述第二输出控制节点的控制下，控制导通或断开所述第一输出控制节点与所述第一电平信号输入端之间的电连接；第一节点控制单元还分别与第二时钟信号输入端和第三节点耦接，用于在所述第三节点和所述第二时钟信号输入端的控制下，控制导通或断开所述第二时钟信号输入端与所述第一输出控制节点之间的电连接；
20、第二节点控制单元分别与第一输出控制节点，第二输出控制节点，第三节点，第一电平信号输入端和第二时钟信号输入端耦接，用于在所述第一输出控制节点，所述第三节点，和所述第二时钟信号输入端的控制下，控制导通或断开所述第一电平信号输入端与所述第二输出控制节点之间的电连接；所述第二节点控制单元还分别与第一时钟信号输入端和起始信号输入端耦接，用于在所述第一时钟信号输入端的控制下，控制导通或断开所述起始信号输入端与所述第二输出控制节点之间的电连接；
21、所述第三节点控制单元分别与第三节点，第一时钟信号输入端，第二输出控制节点和第三电平信号输入端耦接，用于在所述第二输出控制节点的控制下，控制导通或断开所述第一时钟信号输入端与所述第三节点之间的电连接；还用于在所述第一时钟信号输入端的控制下，控制导通或断开所述第三电平信号输入端与所述第三节点之间的电连接。
22、可选的，所述第二节点控制单元包括第八晶体管，第九晶体管和第四个所述漏电吸收单元，所述第八晶体管的栅极与所述第三节点耦接，所述第八晶体管的第一极与所述第一电平信号输入端耦接，所述第八晶体管的第二极与所述第九晶体管的第一极耦接，所述第九晶体管的栅极与所述第二时钟信号输入端耦接；对应于第四个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第一输出控制节点，所述第一信号端包括第二输出控制节点，所述第二信号端包括所述第九晶体管的第二极本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：至少一个漏电吸收单元，控制信号端，第一信号端，第二信号端和第三信号端；所述漏电吸收单元包括漏电吸收节点，第一传输子单元，第二传输子单元和吸收子单元；
2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一传输子单元包括第一控制晶体管，所述第二传输子单元包括第二控制晶体管，所述吸收子单元包括第三控制晶体管；所述第三控制晶体管的沟道宽长比大于所述第一控制晶体管的沟道宽长比，和/或，所述第三控制晶体管的沟道宽长比大于所述第二控制晶体管的沟道宽长比；
3.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，对应于第一个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第一输出控制节点，所述第一信号端包括第一电平信号输入端，所述第二信号端包括栅极驱动信号输出端，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
4.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，对应于第二个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第二输出控制节点，所述第一信号端包括第一电平信号输入端，所述第二信号端包括第一输出控制节点，所述第三信号端包括第三电平信号输入端
5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第二节点控制单元，第一时钟信号输入端和起始信号输入端；所述第二节点控制单元分别与所述第一时钟信号输入端，所述起始信号输入端和所述第二输出控制节点耦接，用于在所述第一时钟信号输入端的控制下，控制导通或断开所述起始信号输入端和所述第二输出控制节点之间的电连接。
6.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，对应于第三个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第一时钟信号输入端，所述第一信号端包括起始信号输入端，所述第二信号端包括第二输出控制节点，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第一节点控制单元，所述第一节点控制单元分别与第一电平信号输入端，第三电平信号输入端和起始信号输入端耦接；用于在所述第一电平信号输入端和所述起始信号输入端的控制下，控制导通或断开所述第三电平信号输入端与所述第一输出控制节点之间的电连接。
8.根据权利要求2或6所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第一电平信号输入端，第三电平信号输入端，第一输出控制节点，第二输出控制节点，第三节点，第一输出单元，第二输出单元，第一节点控制单元，第二节点控制单元，第三节点控制单元；
9.根据权利要求8所述的移位寄存器单元，其特征在于，
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的移位寄存器单元。
...【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：至少一个漏电吸收单元，控制信号端，第一信号端，第二信号端和第三信号端；所述漏电吸收单元包括漏电吸收节点，第一传输子单元，第二传输子单元和吸收子单元；
2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一传输子单元包括第一控制晶体管，所述第二传输子单元包括第二控制晶体管，所述吸收子单元包括第三控制晶体管；所述第三控制晶体管的沟道宽长比大于所述第一控制晶体管的沟道宽长比，和/或，所述第三控制晶体管的沟道宽长比大于所述第二控制晶体管的沟道宽长比；
3.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，对应于第一个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第一输出控制节点，所述第一信号端包括第一电平信号输入端，所述第二信号端包括栅极驱动信号输出端，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
4.根据权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，对应于第二个所述漏电吸收单元，所述控制信号端包括第二输出控制节点，所述第一信号端包括第一电平信号输入端，所述第二信号端包括第一输出控制节点，所述第三信号端包括第三电平信号输入端。
5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第二节点控制单元，第一时钟信号输入端和起始信号输入端；所述第二节点控制单元分别与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀，颜俊，樊聪，刘佳，魏春丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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