【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，更具体地说，它涉及一种ldo线性瞬态增强电路、芯片及电子设备。
技术介绍
1、在集成电路芯片中，为了防止电源电压上下电瞬态变化时，ldo(低压差线性稳压器)电路因某个支路瞬态电流不足或者过大，导致ldo输出异常的情况发生，例如过高或者过低，通常在电路中设计一种ldo线性瞬态增强电路用来补偿或者分流瞬态电流，以稳定支路电流，稳定ldo输出。而ldo线性瞬态增强电路的功能是：当电源电压瞬间上下电时，提供额外的瞬态补偿电流，驱动ldo功率管栅端，来及时导通或者关断ldo功率管来提供合适的负载电流，从而稳定电源急速上下电时ldo的输出，缩短ldo稳定所需时间，避免ldo输出过高或者过低，影响后续电路的正常工作。
2、现有的ldo线性瞬态增强电路一般使用多个电容和电流镜电路、和运放实现电压检测，如图1所示。在电源电压vin瞬间减小时，功率管mp的栅源电压差vgs减小，则功率管提供的导通电流减小，即对外输出负载电流il减小，则vout下降；此时运放检测到vout小于vref，放大两者之差，产生vpluse，而vpluse又通过电容cp1耦合到pm2管栅端，则增大了其源极与栅极的差值vgs，则idspm2增大，并通过电流镜电路nm2、nm3镜像为idsnm2，idsnm2增大，则功率管mp栅端的寄生电容cp的泄放电流idsnm1增加，则可以加快功率管mp栅端电压下降，增大其vgs，增大导通电流，提供足够的负载电流il，从而避免了ldo输出vout电压过低，上述所描述的idspm2、idsnm2、idsnm1
3、然而，上述的ldo线性瞬态增强电路存在以下缺点：1、需要额外的运放amp放大vout的变化量和常导通电流镜支路pm2、nm3，则此运放和电流镜支路不仅增加了电路复杂度，而且一直消耗静态电流，产生较大的功耗浪费；2、ldo瞬态响应时间受到运放工作带宽和摆率制约，不能及时为功率管提供足够的驱动电流，增加了ldo瞬态响应时间。因此，如何研究设计一种能够克服上述缺陷的ldo线性瞬态增强电路、芯片及电子设备是我们目前急需解决的问题。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的不足，本专利技术的目的是提供一种ldo线性瞬态增强电路、芯片及电子设备，不需要使用额外的运放和常开电流镜偏置电路，仅仅用电阻、电容、mos管、二极管，实现低功耗、低成本、高可靠性、易扩展的ldo线性瞬态增强电路，特别适用于ldo芯片的瞬态摆率增强电路。
2、本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
3、第一方面，提供了一种ldo线性瞬态增强电路，包括低压差线性稳压器和电流镜偏置电路，所述低压差线性稳压器的电源电压vin与电流镜偏置电路之间设置有瞬态增强电路；
4、所述瞬态增强电路包括单向导电件、电容cp1、电阻res1和mos管pm2；
5、所述单向导电件的输入端连接电源电压vin，输出端连接mos管pm2的源极；
6、所述mos管pm2的栅极通过电阻res1连接电源电压vin，以及漏极连接电流镜偏置电路；
7、所述电容cp1的一端连接单向导电件的输出端，另一端接地。
8、进一步的，所述电源电压vin瞬间上升时，mos管pm2截止，通过单向导电件对电容cp1充电存储电荷，电流镜偏置电路中无电流；
9、所述电源电压vin瞬间下降时，mos管pm2导通，电容cp1通过mos管pm2对地泄放电流，电流镜偏置电路中产生瞬间大电流，增大低压差线性稳压器中电容cp通过mos管nm1对地的泄放电流，加快功率管mp的栅源电压vgs的增加，以提供足够的负载电流il来维持低压差线性稳压器的输出电压vout的稳定；
10、以及，所述电源电压vin静态工作时，mos管pm2、mos管nm2和mos管nm3处于截止状态，消耗静态电流为0。
11、进一步的，所述单向导电件为二极管diode或包含二极管的mos管；
12、所述二极管diode的正极对应单向导电件的输入端，二极管diode的负极对应单向导电件的输出端。
13、进一步的，所述电流镜偏置电路由mos管nm2和mos管nm3构成，且mos管nm2和mos管nm3之间连接的中点通过电阻res3接地。
14、进一步的，所述mos管nm2与mos管nm3之间镜像电流的比例依据补偿参数进行确定。
15、进一步的，所述单向导电件的输出端与mos管pm2的源极之间连接有电阻res2；
16、所述电流镜偏置电路的中点通过电阻res3接地；
17、其中，所述电阻res1、电阻res3和电容cp1组合构成rc延时电路，以调节放电时间。
18、进一步的，所述低压差线性稳压器由mos管nm1、nm4、pm1和mp以及偏置源idc、vbiase1、vbiase2和vset构成。
19、进一步的，所述电源电压vin静态工作时，mos管pm2处于截止状态，消耗静态电流为0。
20、第二方面，提供了一种集成电路芯片，该芯片包括至少一个如第一方面所述的一种ldo线性瞬态增强电路。
21、第三方面，提供了一种电子设备，该电子设备配置有至少一个如第二方面所述的一种集成电路芯片。
22、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
23、1、本专利技术提供的一种ldo线性瞬态增强电路，不需要使用额外的运放和常开电流镜偏置电路，仅仅用电阻、电容、mos管、二极管，实现低功耗、低成本、高可靠性、易扩展的ldo线性瞬态增强电路，特别适用于ldo芯片的瞬态摆率增强电路；
24、2、本专利技术节省了电路面积和电路功耗，瞬态响应时间不受运放建立时间限制，能够更快实现对ldo瞬态变化的响应；
25、3、本专利技术不需要常导通的电流镜偏置电路，可以避免ldo稳态工作时电流的消耗，特别是高压电路中，可以极大的节省功耗；
26、4、本专利技术针对不同的ldo瞬态补偿电流的需求，只需调整电流镜结构中mos管nm2、nm3的比例以及cp1的大小即可，不需要以往ldo线性瞬态增强电路结构中额外调整运放的复杂电路结构，简单易迁移。
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1.一种LDO线性瞬态增强电路，包括低压差线性稳压器和电流镜偏置电路，其特征是，所述低压差线性稳压器的电源电压VIN与电流镜偏置电路之间设置有瞬态增强电路；
2.根据权利要求1所述的一种LDO线性瞬态增强电路，其特征是，所述电源电压VIN瞬间上升时，MOS管PM2截止，通过单向导电件对电容CP1充电存储电荷，电流镜偏置电路中无电流；
3.根据权利要求1所述的一种LDO线性瞬态增强电路，其特征是，所述单向导电件为二极管diode或包含二极管的MOS管；
4.根据权利要求1所述的一种LDO线性瞬态增强电路，其特征是，所述电流镜偏置电路由MOS管NM2和MOS管NM3构成，且MOS管NM2和MOS管NM3之间连接的中点通过电阻RES3接地。
5.根据权利要求4所述的一种LDO线性瞬态增强电路，其特征是，所述MOS管NM2与MOS管NM3之间镜像电流的比例依据补偿参数进行确定。
6.根据权利要求1所述的一种LDO线性瞬态增强电路，其特征是，所述单向导电件的输出端与MOS管PM2的源极之间连接有电阻RES2；
7.根据
8.一种集成电路芯片，其特征是，该芯片包括至少一个如权利要求1-7任意一项所述的一种LDO线性瞬态增强电路。
9.一种电子设备，其特征是，该电子设备配置有至少一个如权利要求8所述的一种集成电路芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种ldo线性瞬态增强电路，包括低压差线性稳压器和电流镜偏置电路，其特征是，所述低压差线性稳压器的电源电压vin与电流镜偏置电路之间设置有瞬态增强电路；
2.根据权利要求1所述的一种ldo线性瞬态增强电路，其特征是，所述电源电压vin瞬间上升时，mos管pm2截止，通过单向导电件对电容cp1充电存储电荷，电流镜偏置电路中无电流；
3.根据权利要求1所述的一种ldo线性瞬态增强电路，其特征是，所述单向导电件为二极管diode或包含二极管的mos管；
4.根据权利要求1所述的一种ldo线性瞬态增强电路，其特征是，所述电流镜偏置电路由mos管nm2和mos管nm3构成，且mos管nm2和mos管nm3之间连接的中点通过电阻res3接地。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：张杏月，
申请(专利权)人：成都芯进电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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