System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 发光和受保护的纳米颗粒,其制造方法及其在光电子器件辐射转换器中的应用技术_技高网
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发光和受保护的纳米颗粒,其制造方法及其在光电子器件辐射转换器中的应用技术

技术编号:40491711 阅读:4 留言:0更新日期:2024-02-26 19:21
本发明专利技术涉及一种受保护且发光的纳米颗粒(5a),其由以发光芯(1)形式的发光纳米颗粒(8a)组成,所述芯(1)涂覆有至少一个氧化保护层(3),所述纳米颗粒(5a)还包括由移植到所述氧化保护层(3)的表面的第二配体(6)形成的层(4)。本发明专利技术还涉及一种用于生成该纳米颗粒(5a)的方法以及将其用于光电子器件辐射转换器的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种发光和受保护的纳米颗粒(5a、5b),其由以发光芯(1)形式的发光纳米颗粒(8a、8b)组成,所述发光芯任选地全部或部分地涂覆有结合到所述芯(1)的表面的第一配体(7)的层(2),所述芯(1),在适用的情况下,所述第一配体(7)的所述层(2)涂覆有至少一个氧化保护层(3),其特征在于,所述纳米颗粒(5a、5b)还包括由移植到所述氧化保护层(3)的表面的第二配体(6)形成的层(4)。

2.根据权利要求1所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述芯(1)选自量子点、金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒、硅纳米颗粒、锗纳米颗粒、纳米磷光体、稀土纳米颗粒和碳点。

3.根据权利要求2所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述芯(1)是量子点。

4.根据权利要求3所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述量子点包括至少一种半导体纳米晶体,所述半导体纳米晶体选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AIN、AIP、AIS、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、InGaN、GaNP、GaNAs、GaPAs、AINP、AlNAs、AlPAs、InAIPAs、SbTe、PbSe、GaSe、PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnTe和PbSnTe。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米颗粒(5b),其特征在于,所述芯(1)完全或部分地涂覆有被结合到所述芯(1)的表面的第一配体(7)的层(2),并且所述第一配体(7)是以下化学式(I)的化合物:

6.根据权利要求5所述的纳米颗粒(5b),其特征在于,所述芯(1)是量子点,并且结合到所述芯(1)的表面的所述第一配体(7)选自十八烷基胺、十二硫醇、三辛基膦、硫辛酸、三辛基膦氧化物、月桂胺、9-十八碳烯酸和油酸。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)的厚度在1nm和400nm之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)包括彼此叠加的多个层,优选在1层和100层之间。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)是单独或作为其混合物的金属氧化物、金属氮化物或氧氮化物的层。

10.根据权利要求9所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)包括选自单独或作为其混合物的Al2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、ZnO、B2O3、Co2O3、Cr2O3、CuO、Fe2O3、Ga2O3、HfO2、In2O3、MgO、Nb2O5、NiO、SnO2、Ta2O5和HfO2中的至少一种金属氧化物。

11.根据权利要求10所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)包括以下两层:

12.根据权利要求10所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)包括彼此叠加的以下两层的交替:

13.根据权利要求1至12中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,由移植到所述氧化保护层(3)的表面的所述第二配体(6)形成的所述层(4)的所述第二配体(6)是硅烷,优选具有以下化学式(II)的硅烷:

14.根据权利要求13所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述第二配体(6)是以下化学式(III)的硅烷:

15.一种根据权利要求1至14中任一项所述的发光和受保护的纳米颗粒(5a、5b)在有机或无机非水溶剂中的分散。

16.根据权利要求15所述的分散,其特征在于,所述溶剂选自氯仿、甲苯、己烷、2-甲氧基-1-甲基乙酸乙酯(缩写为PGMEA)、乙酸乙酯、乙腈和乙醇。

17.根据权利要求15或16所述的分散,其特征在于,所述纳米颗粒(5a、5b)在所述分散中的浓度在1mg/mL和900mg/mL之间,优选在100mg/mL和500mg/mL之间。

18.一种树脂组合物,其特征在于,其包含根据权利要求1至14中任一项所述的发光和受保护的纳米颗粒(5a、5b)。

19.根据权利要求18所述的树脂组合物,其特征在于,所述树脂是光敏或热敏树脂,优选选自乙烯基酯、环氧丙烯酸酯、聚酰亚胺和不饱和聚酯树脂的树脂。

20.根据权利要求18或19所述的树脂组合物,其特征在于,以相对于所述组合...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光和受保护的纳米颗粒(5a、5b),其由以发光芯(1)形式的发光纳米颗粒(8a、8b)组成,所述发光芯任选地全部或部分地涂覆有结合到所述芯(1)的表面的第一配体(7)的层(2),所述芯(1),在适用的情况下,所述第一配体(7)的所述层(2)涂覆有至少一个氧化保护层(3),其特征在于,所述纳米颗粒(5a、5b)还包括由移植到所述氧化保护层(3)的表面的第二配体(6)形成的层(4)。

2.根据权利要求1所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述芯(1)选自量子点、金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒、硅纳米颗粒、锗纳米颗粒、纳米磷光体、稀土纳米颗粒和碳点。

3.根据权利要求2所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述芯(1)是量子点。

4.根据权利要求3所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述量子点包括至少一种半导体纳米晶体,所述半导体纳米晶体选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、gan、gap、gaas、gasb、ain、aip、ais、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ingan、ganp、ganas、gapas、ainp、alnas、alpas、inaipas、sbte、pbse、gase、pbs、pbse、pbte、sns、snte和pbsnte。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米颗粒(5b),其特征在于,所述芯(1)完全或部分地涂覆有被结合到所述芯(1)的表面的第一配体(7)的层(2),并且所述第一配体(7)是以下化学式(i)的化合物:

6.根据权利要求5所述的纳米颗粒(5b),其特征在于,所述芯(1)是量子点,并且结合到所述芯(1)的表面的所述第一配体(7)选自十八烷基胺、十二硫醇、三辛基膦、硫辛酸、三辛基膦氧化物、月桂胺、9-十八碳烯酸和油酸。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)的厚度在1nm和400nm之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)包括彼此叠加的多个层,优选在1层和100层之间。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)是单独或作为其混合物的金属氧化物、金属氮化物或氧氮化物的层。

10.根据权利要求9所述的纳米颗粒(5a、5b),其特征在于,所述氧化保护层(3)包括选自单独或作为其混合物的al2o3、sio2、tio2、zro2、zno、b2o3、co2o3、cr2o3、cuo、fe2o3、ga2o3、hfo2、in2o3、mgo、nb2o5、nio、sno2、ta2o5和hfo2中的至少一种金属氧化物。

11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:埃莉奥诺拉·加罗尼克里斯托夫·林切诺
申请(专利权)人:艾利迪公司
类型:发明
国别省市:

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