包括发光二极管的彩色显示光电设备制造技术

本说明书涉及一种光电设备(10)，其包括具有轴向配置的第一三维发光二极管、第二三维发光二极管和第三三维发光二极管。每个发光二极管包括半导体元件(20、22、24)和位于半导体元件上的有源区。每个半导体元件对应于微米线、纳米线、纳米或微米范围的圆锥形或截头圆锥形元件。第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管被配置为分别以第一波长、第二波长和第三波长发射第一辐射、第二辐射和第三辐射。第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管的半导体元件分别具有第一直径、第二直径和第三直径(D1，D2，D3)。第一直径(D1)小于第二直径(D2)，并且第二直径(D2)小于第三直径(D3)，第一波长大于第三波长，并且第二波长大于第一波长。于第一波长。于第一波长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括发光二极管的彩色显示光电设备
[0001]本专利申请要求法国专利申请FR20/09895的优先权，该申请通过引用并入本文。


[0002]本专利技术总体上涉及包括纳米线或微米线类型的三维半导体元件的光电设备及其制造方法，并且更具体地涉及能够显示图像的光电设备，特别是显示屏或图像投影设备。

技术介绍

[0003]图像的像素对应于光电设备显示或捕获的图像的单位元素。对于彩色图像的显示，光电设备通常包括用于图像的每个像素的显示的至少三个部件，也被称为显示子像素，每个组件基本上以单一颜色(例如，红色、绿色和蓝色)发射光辐射。由三个显示子像素发射的辐射的叠加为观察者提供了对应于显示图像的像素的彩色感觉。在这种情况下，由用于显示图像的像素的三个显示子像素形成的组件被称为光电设备的显示像素。
[0004]存在包括基于III
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V化合物的纳米线或微米线型的三维半导体元件的光电设备，其能够形成所谓的三维发光二极管。发光二极管包括有源区，该有源区是发光二极管的由发光二极管提供的大部分电磁辐射从其发射的区域。三维发光二极管可以以所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光电设备(10)，包括具有轴向配置的第一三维发光二极管、第二三维发光二极管和第三三维发光二极管，每个发光二极管包括半导体元件(20、22、24)和位于所述半导体元件上的有源区(76)，每个半导体元件对应于微米线、纳米线、纳米或微米范围的圆锥形元件，或纳米或微米范围的截头圆锥形元件，所述第一发光二极管被配置为以第一波长发射第一辐射，所述第一发光二极管的所述半导体元件具有第一直径(D1)，所述第二发光二极管被配置为以第二波长发射第二辐射，所述第二发光二极管的所述半导体元件具有第二直径(D2)，以及所述第三发光二极管被配置为以第三波长发射第三辐射，所述第三发光二极管的所述半导体元件具有第三直径(D3)，所述第一直径(D1)小于所述第二直径(D2)，并且所述第二直径(D2)小于所述第三直径(D3)，所述第一波长大于所述第三波长，并且所述第二波长大于所述第一波长。2.根据权利要求1所述的光电设备，其中，所述第一直径(D1)在80nm至150nm之间变化。3.根据权利要求1或2所述的光电设备，其中，所述第二直径(D2)在200nm至350nm之间变化。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电设备，其中，所述第三直径(D3)在370nm至500nm之间变化。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电设备，其中，所述第一波长在510nm至570nm的范围内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电设备，其中，所述第二波长在600nm至720nm的范围内。7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电设备，其中，所述第三波长在430nm至490nm的范围内。8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电设备(10)，包括键合到第二电子电路(14)的第一光电电路(12)，所述第二电子电路(14)包括导电垫(62)，所述第一光电电路包括像素，并且对于每个像素包括：
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第一导电层(18)；
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对于所述第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管中的每一个，所述半导体元件(20、22、24)垂直于所述第一导电层延伸，并且与所述第一导电层接触，并且所述有源区(76)位于所述半导体元件的与所述第一电导层相对的端部上；以及
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电耦合到所述导电垫(62)的第二导电层、第三导电层、第四导电层和第五导电层(42、44、46、48)，所述第二导电层(42)被耦合到所述第一发光二极管的有源区(76)，所述第三导电层(44)被耦合到所述第二发光二极管的有源区(76)，所述第四导电层(46)被耦合到所述第三发光二极管的有源区(76)，以及所述第五导电层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈赫迪，
申请(专利权)人：艾利迪公司，
类型：发明
国别省市：