【技术实现步骤摘要】
本技术涉及照明,尤其涉及一种可吸收杂光的光源。
技术介绍
1、中国技术专利cn21793379u公开了一种矩阵式led光源,包括:基板;基板表面设置有与基板电连接的led芯片矩阵组,led芯片矩阵组包括多个led芯片;led芯片表面设有荧光片,其中荧光片包括设置于底层的荧光胶层和设置于表面的保护胶层;所述led芯片以及荧光片组成发光体,发光体的侧面设有白胶层。
2、该led光源需要设置黑墙胶层用于吸附杂光,结构较为复杂,成本相对较高。因此,需要提供一种可吸收杂光的光源,能够解决现有技术中需要通过设置黑墙胶层吸附杂光导致结构复杂、成本高的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种可吸收杂光的光源,能够解决现有技术中需要通过设置黑墙胶层吸附杂光导致结构复杂、成本高的问题。
2、本技术是这样实现的:
3、一种可吸收杂光的光源,包括上板、下板、发光芯片和封装胶;上板安装在下板的上表面上,上板上形成有通孔,通孔在下板的顶部形成封装容腔;下板的上表面上形成有布线,布线位于封装容腔的底部,发光芯片安装在下板的上表面上且位于封装容腔内,使发光芯片上的电极通过金线与下板上的布线电气连接;封装胶填充在通孔内,使发光芯片通过封装胶封装在封装容腔内,封装胶的顶部形成有下沉式胶面。
4、所述的下沉式胶面高于发光芯片且低于上板的顶面,形成下沉式结构。
5、所述的下沉式胶面的边缘处呈斜面结构向上板的顶面边缘处斜向上延伸,使下沉式胶面罩盖在封装容
6、所述的通孔的长度和宽度分别大于发光芯片的长度和宽度,发光芯片位于通孔的中心处。
7、所述的通孔的深度与上板的厚度一致,且通孔的深度大于发光芯片的厚度与下沉式胶面的下沉深度之和。
8、所述的上板的长度和宽度分别与下板的长度和宽度一致,上板与下板连接形成支架。
9、本技术与现有技术相比,具有以下有益效果:
10、1、本技术由于设有封装胶,通过下沉式胶面对靠近中部的发光芯片的发射光线进行直接透射和折射后透射,同时对靠近边缘处的发光芯片的发射光线进行反射,反射至上板后由上板吸收,保证发光芯片的光束直接透射出封装胶,光源集中,光束质量高,杂光被有效吸收。
11、2、本技术由于设有上板和下板,上板通过胶合的方式与下板连接形成支架,并通过上板上带有的通孔为发光芯片的封装提供空间,同时利用上板和下板的吸光材料保证对发光芯片的杂光的有效吸收,无需单独设置黑墙胶层,在保证光束质量的同时降低了封装成本,简化了封装工序和结构。
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1.一种可吸收杂光的光源,其特征是:包括上板(1)、下板(2)、发光芯片(3)和封装胶(4);上板(1)安装在下板(2)的上表面上,上板(1)上形成有通孔(101),通孔(101)在下板(2)的顶部形成封装容腔;下板(2)的上表面上形成有布线(201),布线(201)位于封装容腔的底部,发光芯片(3)安装在下板(2)的上表面上且位于封装容腔内,使发光芯片(3)上的电极通过金线(5)与下板(2)上的布线(201)电气连接;封装胶(4)填充在通孔(101)内,使发光芯片(3)通过封装胶(4)封装在封装容腔内,封装胶(4)的顶部形成有下沉式胶面(401)。
2.根据权利要求1所述的可吸收杂光的光源,其特征是:所述的下沉式胶面(401)高于发光芯片(3)且低于上板(1)的顶面,形成下沉式结构。
3.根据权利要求1或2所述的可吸收杂光的光源,其特征是:所述的下沉式胶面(401)的边缘处呈斜面结构向上板(1)的顶面边缘处斜向上延伸,使下沉式胶面(401)罩盖在封装容腔的顶部。
4.根据权利要求1所述的可吸收杂光的光源,其特征是:所述的通孔(101)的长度和
5.根据权利要求1或4所述的可吸收杂光的光源,其特征是:所述的通孔(101)的深度与上板(1)的厚度一致,且通孔(101)的深度大于发光芯片(3)的厚度与下沉式胶面(401)的下沉深度之和。
6.根据权利要求1所述的可吸收杂光的光源,其特征是:所述的上板(1)的长度和宽度分别与下板(2)的长度和宽度一致,上板(1)与下板(2)连接形成支架。
...【技术特征摘要】
1.一种可吸收杂光的光源,其特征是:包括上板(1)、下板(2)、发光芯片(3)和封装胶(4);上板(1)安装在下板(2)的上表面上,上板(1)上形成有通孔(101),通孔(101)在下板(2)的顶部形成封装容腔;下板(2)的上表面上形成有布线(201),布线(201)位于封装容腔的底部,发光芯片(3)安装在下板(2)的上表面上且位于封装容腔内,使发光芯片(3)上的电极通过金线(5)与下板(2)上的布线(201)电气连接;封装胶(4)填充在通孔(101)内,使发光芯片(3)通过封装胶(4)封装在封装容腔内,封装胶(4)的顶部形成有下沉式胶面(401)。
2.根据权利要求1所述的可吸收杂光的光源,其特征是:所述的下沉式胶面(401)高于发光芯片(3)且低于上板(1)的顶面,形成下沉式结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员:于睿璞,
申请(专利权)人:上海恩弼科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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