【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，且特别是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
1、显示面板包括薄膜晶体管基板、对向基板和电连接至薄膜晶体管基板的多个发光元件。发光元件是利用的薄膜晶体管基板的薄膜晶体管来驱动。若发光元件为电流驱动元件，薄膜晶体管需提供较大的开电流。为增加薄膜晶体管的开电流，可缩短薄膜晶体管的通道长度。一般而言，薄膜晶体管的通道长度多由薄膜晶体管的栅极线宽来决定。但受限于黄光制作工艺能力，栅极线宽的缩减有限，造成薄膜晶体管的开电流无法进一步提升。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法，能制作出通道长度短的薄膜晶体管。
2、本专利技术提供一种薄膜晶体管，通道长度短且开电流大。
3、本专利技术的薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：在基板上形成本征半导体层；进行第一离子注入，以于本征半导体层形成第一重掺杂区和第一重掺杂区外的本征区；在第一重掺杂区及本征区上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成准栅极，其中第一重掺杂区包括第一部及第...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该源极及该漏极在第一方向上排列，该第一重掺杂区的该第一部与该栅极具有重叠区，该重叠区在该第一方向上的长度大于该本征区在该第一方向上的长度。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括：
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该栅极具有相对的第一边缘及第二边缘，该本征区和该轻掺杂区的分界实质上与该栅极的该第一边缘切齐，且该栅极的该第二边缘重叠于该第一重掺杂区的该第一部。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该源极及该漏极在第一方向上排列，该第一重掺杂区的该第一部与该栅极具有重叠区，该重叠区在该第一方向上的长度大于该本征区在该第一方向上的长度。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括：
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该栅极具有相对的第一边缘及第二边缘，该本征区和该轻掺杂区的分界实质上与该栅极的该第一边缘切齐，且该栅极的该第二边缘重叠于该第一重掺杂区的该第一部。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该栅极具有相对的第一边缘及第二边缘，该源极及该漏极在第一方向上排列，该第一重掺杂区的该第二部与该第二重掺杂区的分...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄雅琴，苏婉菁，何毅达，孙铭伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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