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本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，其中该薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极、源极及漏极。半导体层具有第一重掺杂区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、本征区及轻掺杂区。栅极遮蔽本征区及第一重掺杂区的第一部。第一重掺杂区的第二部位于栅极的面积...
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