高精度电容测量电路及测量方法技术

本发明专利技术揭示了一种高精度电容测量电路及测量方法，待测电容的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，所述测量电路包括电阻及V/I源，所述电阻的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，所述V/I源的正极和负极分别与第一端口和第二端口相连，所述电阻的第一端与第一端口之间和/或电阻的第二端与第二端口之间设有第一开关K1，所述待测电容的第一端与第一端口之间和/或待测电容的第二端与第二端口之间设有第二开关K2，所述电阻用于降低电路的极点，增加电路阻抗随频率的衰减速度。本发明专利技术利用设备上现有的低精度V/I源，在不额外增加外挂模块和器件的情况下，即可实现pF级精度的电容测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电路测试，具体涉及一种高精度电容测量电路及测量方法。

技术介绍

1、受限于ate设备只能提供很有限的低精度v/i源(mv&ua级精度)和低频信号源(频率小于100khz)，在ate(automatic test equipment)设备上进行电容的精确测量一直是芯片测试的难点。

2、现有技术中电容测量方法通常为电流充电法，参图1所示，对待测电容给定一个恒流i，采样两个时间点t1、t2下的电压v1、v2，利用c＝i*δt/δv计算得到待测电容值。电流充电法受电流及时间的测量精度影响极大，在现有ate设备上受限于v/i源采样精度只能进行nf级的电容测量，且测量误差在100pf量级，无法实现10pf量级及pf量级的电容精确测量。

3、另外，在ate设备上引入专用的附加模块可进行高精度电容的间接测量，但该附加模块内部集成复杂的电桥等高精度测量辅助电路，使用成本高昂，使用步骤复杂，且无法将电路集成到待测试pcb上进行在线测量。

4、因此，针对上述技术问题，有必要提供一种高精度电容测量电路及测量方法。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高精度电容测量电路，其特征在于，待测电容的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，所述测量电路包括电阻及V/I源，所述电阻的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，所述V/I源的正极和负极分别与第一端口和第二端口相连，所述电阻的第一端与第一端口之间和/或电阻的第二端与第二端口之间设有第一开关K1，所述待测电容的第一端与第一端口之间和/或待测电容的第二端与第二端口之间设有第二开关K2，所述电阻用于降低电路的极点，增加电路阻抗随频率的衰减速度。

2.根据权利要求1所述的高精度电容测量电路，其特征在于，所述待测电容的容值为0～100pF，所述电阻的阻值为100K o...

【技术特征摘要】

1.一种高精度电容测量电路，其特征在于，待测电容的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，所述测量电路包括电阻及v/i源，所述电阻的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，所述v/i源的正极和负极分别与第一端口和第二端口相连，所述电阻的第一端与第一端口之间和/或电阻的第二端与第二端口之间设有第一开关k1，所述待测电容的第一端与第一端口之间和/或待测电容的第二端与第二端口之间设有第二开关k2，所述电阻用于降低电路的极点，增加电路阻抗随频率的衰减速度。

2.根据权利要求1所述的高精度电容测量电路，其特征在于，所述待测电容的容值为0～100pf，所述电阻的阻值为100k ohm～1m ohm，所述v/i源提供信号的频率为0～5k hz；和/或，

3.根据权利要求1所述的高精度电容测量电路，其特征在于，所述待测电容的第一端与第一端口之间在邻近第一端口处设有第二开关k21；和/或，

4.一种高精度电容测量方法，其特征在于，待测电容的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，电阻的第一端和第二端分别与第一端口和第二端口相连，v/i源的正极和负极分别与第一端口和第二端口相连，电阻的第一端与第一端口之间和/或电阻的第二端与第二端口之间设有第一开关k1，待测电容的第一端与第一端口之间和/或待测电容的第二端与第二端口之间设有第二开关k2，所述测量方法包括以下步骤：

5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：帅浩，吕振，雷彬，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技上海有限责任公司，
类型：发明
国别省市：