【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种调试装置，尤其涉及一种安装在内存条插槽的调试装置，还进一步涉及采用了所述安装在内存条插槽的调试装置的调试方法。
技术介绍
1、目前在个人电脑和服务器中，有时会遇到特殊的部件组合搭配在一起工作异常的问题，比如在处理器、内存、显卡和电源模组等部件搭配在一起后出现工作异常的问题，但是任意一个部件其实都是正常的，即把其中一个部件切换一下厂家或型号则能正常工作，这种特殊的现象简称为系统共振现象，属于系统兼容中的现象之一。
2、目前，行业内普遍通过修改可支持产品的部件列表或者默认配置来回避这种情况。或者修改pcb电路板来兼容更多种配置情况。但是，这种修改pcb电路板的做法，一方面，若要进行修改，则对应的硬件主板电路必然需要面临新一轮pcb电路板设计、pcb电路板制作以及pcb电路板验证，需要花费大量的人力和物力，且周期长；另一方面，还可能会导致需要更换主板供应商等问题，给产品的稳定性带来不确定的影响，还可能会造成经济损失的问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是需要提供一种安装在内存条插槽的调试装置，进而能够通过自带的内存条插槽实现控制参数的调试，以便在不修改产品的原始设计基础上，满足系统兼容性的调试需求，且无需更换产品自身的硬件设计，有效地降低了产品的成本并缩短了研发周期。在此基础上，还进一步提供一种采用了所述安装在内存条插槽的调试装置的调试方法。
2、对此，本专利技术提供一种安装在内存条插槽的调试装置，包括：电源端、负载控制电路、电
3、本专利技术的进一步改进在于，所述mcu主控单元包括调试控制接口，所述调试控制接口通过gpio总线连接至所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端。
4、本专利技术的进一步改进在于，所述mcu主控单元还包括usb接口，所述mcu主控单元通过所述usb接口连接至终端设备，所述终端设备包括电脑，连接操作便捷。
5、本专利技术的进一步改进在于，所述负载控制电路包括四路相互并联的阻性负载接入回路，第一路阻性负载接入回路包括电阻r1、mos开关管q1、电阻r5和电阻r6，所述mos开关管q1的g极通过所述电阻r6连接至所述mcu主控单元，所述mos开关管q1的g极与所述电阻r6的连接点与所述电阻r5的一端相连接，所述mos开关管q1的s极和所述电阻r5的另一端与所述电源端相连接，所述mos开关管q1的d极通过所述电阻r1接地。
6、本专利技术的进一步改进在于，四路所述阻性负载接入回路分别包括功率为5w、10w、20w和50w的电阻。
7、本专利技术的进一步改进在于，所述电容控制电路包括四路相互并联的容性负载接入回路，第一路容性负载接入回路包括电阻r13、mos开关管q5、电阻r14和电容c1，所述mos开关管q5的g极通过所述电阻r14连接至所述mcu主控单元，所述mos开关管q5的g极与所述电阻r14的连接点与所述电阻r13的一端相连接，所述mos开关管q5的s极和所述电阻r13的另一端与所述电源端相连接，所述mos开关管q5的d极通过所述电容c1接地。
8、本专利技术的进一步改进在于，所述容性负载接入回路分别包括容值为22uf、47uf、100uf以及470uf的电容。
9、本专利技术还提供一种安装在内存条插槽的调试方法，采用了如上所述的安装在内存条插槽的调试装置，并包括以下步骤：
10、步骤s1，将所述安装在内存条插槽的调试装置插入至主板的内存条插槽中；
11、步骤s2，所述主板上电并开机；
12、步骤s3，查看操作系统日志，判断当前状态是否为正常开机，若否，则跳转至步骤s4；若是，则结束调试；
13、步骤s4，逐步调高所述电容控制电路所接入的负载容值，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，跳转至步骤s5；
14、步骤s5，调高所述电阻控制电路所接入的负载功率，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，跳转至步骤s6；
15、步骤s6，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路所接入的负载容值，并判断当前状态是否为正常开机，直到正常开机，则保存当前控制参数作为设置值，并结束调试；否则，发出错误提示信息。
16、本专利技术的进一步改进在于，判断当前状态是否为正常开机的过程包括：判断系统是否规律性重启、判断系统的硬件模组是否正常完成初始化以及判断供电支路上的电压值是否出现±5%以上的波动，若出现任意一种异常，则判断为没有正常开机，所述硬件模组包括内存模组、硬盘模组和显卡模组。
17、本专利技术的进一步改进在于，所述步骤s6中，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路所接入的负载容值，包括以下任意一个子步骤：
18、步骤s601，先调高所述电阻控制电路所接入的负载功率之后，再调高或调低所述电容控制电路所接入的负载容值；
19、步骤s602，先调高所述电容控制电路所接入的负载容值之后，再调高或调低所述电阻控制电路所接入的负载功率；
20、步骤s603，通过另一个内存条插槽插入一个所述安装在内存条插槽的调试装置，重复步骤s2至步骤s5进行再次调试。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：所述负载控制电路包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路，不同的阻性负载接入回路分别包括不同功率的电阻，以便为调试过程接入不同功率的阻性负载；所述电容控制电路包括至少两路互相并联的容性负载接入回路，不同的容性负载接入回路分别包括不同容值的电容，以便为调试过程接入不同容值的容性负载；每一路所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端分别连接至所述mcu主控单元；当首次上电时，所述mcu主控单元通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路和容性负载接入回路，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路和电容控制电路的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述mcu主控单元先读取所述设置值，并根据所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，包括：电源端、负载控制电路、电容控制电路以及MCU主控单元，所述负载控制电路的一端和电容控制电路的一端分别通过所述电源端连接至内存条插槽的电源引脚，所述负载控制电路的另一端和电容控制电路的另一端分别通过接地端连接至内存条插槽的地线；所述负载控制电路包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路，不同的阻性负载接入回路分别包括不同功率的电阻；所述电容控制电路包括至少两路互相并联的容性负载接入回路，不同的容性负载接入回路分别包括不同容值的电容；每一路所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端分别连接至所述MCU主控单元；当首次上电时，所述MCU主控单元通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路和容性负载接入回路，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路和电容控制电路的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述MCU主控单元先读取所述设置值，并根据所述设置值分别控制所述负载控制电路和电容控制电路的开关。
2.根据权利要求1所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述MCU主控单元包括调试控制接口，所述调试控制接口通过GPIO总线
3.根据权利要求1所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述MCU主控单元还包括USB接口，所述MCU主控单元通过所述USB接口连接至终端设备，所述终端设备包括电脑。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述负载控制电路包括四路相互并联的阻性负载接入回路，第一路阻性负载接入回路包括电阻R1、MOS开关管Q1、电阻R5和电阻R6，所述MOS开关管Q1的G极通过所述电阻R6连接至所述MCU主控单元，所述MOS开关管Q1的G极与所述电阻R6的连接点与所述电阻R5的一端相连接，所述MOS开关管Q1的S极和所述电阻R5的另一端与所述电源端相连接，所述MOS开关管Q1的D极通过所述电阻R1接地。
5.根据权利要求4所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，四路所述阻性负载接入回路分别包括功率为5W、10W、20W和50W的电阻。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述电容控制电路包括四路相互并联的容性负载接入回路，第一路容性负载接入回路包括电阻R13、MOS开关管Q5、电阻R14和电容C1，所述MOS开关管Q5的G极通过所述电阻R14连接至所述MCU主控单元，所述MOS开关管Q5的G极与所述电阻R14的连接点与所述电阻R13的一端相连接，所述MOS开关管Q5的S极和所述电阻R13的另一端与所述电源端相连接，所述MOS开关管Q5的D极通过所述电容C1接地。
7.根据权利要求6所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述容性负载接入回路分别包括容值为22uF、47uF、100uF以及470uF的电容。
8.一种安装在内存条插槽的调试方法，其特征在于，采用了如权利要求1至7任意一项所述的安装在内存条插槽的调试装置，并包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的安装在内存条插槽的调试方法，其特征在于，判断当前状态是否为正常开机的过程包括：判断系统是否规律性重启、判断系统的硬件模组是否正常完成初始化以及判断供电支路上的电压值是否出现±5% 以上的波动，若出现任意一种异常，则判断为没有正常开机，所述硬件模组包括内存模组、硬盘模组和显卡模组。
10.根据权利要求8所述的安装在内存条插槽的调试方法，其特征在于，所述步骤S6中，综合调整所述电阻控制电路所接入的负载功率和所述电容控制电路所接入的负载容值，包括以下任意一个子步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，包括：电源端、负载控制电路、电容控制电路以及mcu主控单元，所述负载控制电路的一端和电容控制电路的一端分别通过所述电源端连接至内存条插槽的电源引脚，所述负载控制电路的另一端和电容控制电路的另一端分别通过接地端连接至内存条插槽的地线；所述负载控制电路包括至少两路相互并联的阻性负载接入回路，不同的阻性负载接入回路分别包括不同功率的电阻；所述电容控制电路包括至少两路互相并联的容性负载接入回路，不同的容性负载接入回路分别包括不同容值的电容；每一路所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端分别连接至所述mcu主控单元；当首次上电时，所述mcu主控单元通过所述控制端关闭全部阻性负载接入回路和容性负载接入回路，并在上电完成调试后，保存所述负载控制电路和电容控制电路的当前控制参数作为设置值；当再次上电时，所述mcu主控单元先读取所述设置值，并根据所述设置值分别控制所述负载控制电路和电容控制电路的开关。
2.根据权利要求1所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述mcu主控单元包括调试控制接口，所述调试控制接口通过gpio总线连接至所述阻性负载接入回路和容性负载接入回路的控制端。
3.根据权利要求1所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述mcu主控单元还包括usb接口，所述mcu主控单元通过所述usb接口连接至终端设备，所述终端设备包括电脑。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的安装在内存条插槽的调试装置，其特征在于，所述负载控制电路包括四路相互并联的阻性负载接入回路，第一路阻性负载接入回路包括电阻r1、mos开关管q1、电阻r5和电阻r6，所述mos开关管q1的g极通过所述电阻r6连接至所述mcu主控单元，所述mos开关管q1的g极与所述电阻r6的连接点与所述电阻r5的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：许超超，
申请(专利权)人：深圳市国鑫恒运信息安全有限公司，
类型：发明
国别省市：
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