一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法技术

技术编号：40462937 阅读：9 留言：0更新日期：2024-02-22 23:17

本发明专利技术公开了一种具有新型结构的单银Low‑e薄膜的制备方法，属于玻璃薄膜制造技术领域。制得的单银Low‑e薄膜采用磁控溅射法，将纯银膜夹在氧化物膜之间，对纯银膜提供保护。舍弃了传统单银Low‑e膜系中的第二层镍铬膜，用最外层氧化锆膜弥补其损失的机械强度，提高其透过率。选用硅锆靶，在于生成的复合薄膜中同时具有氮化硅，氧化硅和氧化锆，可以解决氮化硅与氧化锆结合力不强的问题的同时不会生成多余的锆的氮化物。膜系整体厚度与传统Low‑e薄膜厚度保持不变，不会增加成本，制得的单银Low‑e薄膜具有优异的隔热效果和良好的透光性。在玻璃薄膜制造技术领域具备重要应用意义。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于玻璃薄膜制造，具体地，涉及一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法。

技术介绍

1、low-e玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异的隔热效果和良好的透光性；另外，low-e玻璃因其结构简单，节能降噪性能优秀，工艺成熟而被广泛使用于建筑幕墙。

2、low-e玻璃根据含银层数的不同可以分为单银low-e玻璃、双银low-e玻璃、三银low-e玻璃。三种low-e玻璃对太阳光的红外热能部分的阻挡依次增强，第三代超级节能三银low-e玻璃，三银low.e膜层结构中含有三个银层，有更好的遮阳性；但是双银low-e玻璃与三银low-e玻璃的技术工艺控制难度比单银大的多，对设备的要求高，成本高。

3、目前单银low-e玻璃的机械强度较差，通常会在ag薄膜层上下分别镀制一层nicr薄膜，但是nicr薄膜在增加low-e玻璃的机械强度的同时会较大的影响薄膜整体的透过率，导致单银low-e玻璃的透过率在60％-70％，机械强度与透过率不能同时满足，限制其在玻璃领域的使用。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：

3、一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法，包括以下步骤：</p>

4、s1、选用普通玻璃作为衬底，清洗干净，去除玻璃表面污渍并吹干；

5、s2、将清洗后的玻璃置入磁控溅射镀膜设备，采用旋转硅靶，中频电源，氩气为溅射气体，在真空度1下进行预溅射，预溅射结束后，通入氮气为反应气体，在真空度2下，通过磁控溅射在玻璃上沉积氮化硅薄膜；

6、s3、将步骤s2得到的玻璃传送到银靶位置，采用平面银靶，直流电源，氩气为溅射气体，在真空度1下进行预溅射，预溅射结束后，在真空度2下，通过磁控溅射在氮化硅薄膜上镀制银层；

7、s4、将步骤s3得到的玻璃到镍铬靶位置，采用平面镍铬靶，直流电源，氩气为溅射气体，在真空度1下进行预溅射，预溅射结束后，预溅射结束后，在真空度2下，通过磁控溅射在银薄膜上镀制镍铬层；

8、s5、将步骤s4得到的玻璃到硅靶位置，采用旋转硅靶，中频电源，氩气为溅射气体，在真空度1下进行预溅射，预溅射结束后，通入氮气为反应气体，在真空度2下，通过磁控溅射在镍铬膜上镀制氮化硅薄膜；

9、s6、将步骤s5得到的玻璃到硅锆靶位置，采用旋转硅锆靶，中频电源，氩气为溅射气体，在真空度1下进行预溅射，预溅射结束后，通入氮气和氧气为反应气体，在真空度2下，通过磁控溅射在氮化硅薄膜上沉积氮化硅+氧化硅+氧化锆薄膜，得到具有新型结构的单银low-e薄膜。

10、进一步地，步骤s2-s6中真空度1、真空度2分别为7*10-6torr、4.0*10-3torr。

11、进一步地，步骤s2、s5、s6中中频电源功率为5kw。

12、进一步地，步骤s3、s4中直流电源功率分别为1kw、500w。

13、进一步地，氩气、氮气、氧气的量分别为200sccm、40sccm、55sccm。

14、进一步地，步骤s2-s6磁控溅射镀制的薄膜厚度分别为30nm-60nm，8nm-10nm，1nm-2nm，30nm-45nm，10-15nm。

15、进一步地，步骤s5中的旋转硅锆靶硅锆的比例为3:7。

16、进一步地，步骤s6中的镀膜腔体要和s5的镀膜腔体间隔一到两个过渡腔体。

17、本专利技术的有益效果：

18、本专利技术制得的单银low-e薄膜采用磁控溅射法，将纯银膜夹在氧化物膜之间，对纯银膜提供保护。舍弃了传统单银low-e膜系中的第二层镍铬膜，用最外层氧化锆膜弥补其损失的机械强度，提高其透过率。旋转硅锆靶腔体之前需有一到两个隔离腔体，防止氧气流窜到旋转硅靶腔体导致银膜在没有保护层的情况下被氧化。选用硅锆靶，在于生成的复合薄膜中同时具有氮化硅，氧化硅和氧化锆，可以解决氮化硅与氧化锆结合力不强的问题的同时不会生成多余的锆的氮化物。膜系整体厚度与传统low-e薄膜厚度保持不变，不会增加成本，在玻璃薄膜制造
具备重要应用意义。

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【技术保护点】

1.一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2-S6中真空度1、真空度2分别为7*10-6Torr、4.0*10-3Torr。

3.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2、S5、S6中中频电源功率为5kW。

4.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3、S4中直流电源功率分别为1kW、500w。

5.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，氩气、氮气、氧气的量分别为200sccm、40sccm、55sccm。

6.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2-S6磁控溅射镀制的薄膜厚度分别为30nm-60nm，8nm-10nm，1nm-2nm，30nm-45nm，10-15nm。

7.根据权利要求1所述的一

8.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银Low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S6中的镀膜腔体要和S5的镀膜腔体间隔一到两个过渡腔体。

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【技术特征摘要】

1.一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s2-s6中真空度1、真空度2分别为7*10-6torr、4.0*10-3torr。

3.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s2、s5、s6中中频电源功率为5kw。

4.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银low-e薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s3、s4中直流电源功率分别为1kw、500w。

5.根据权利要求1所述的一种具有新型结构的单银low-e...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，彭塞奥，金克武，王天齐，姚婷婷，王金磊，甘治平，李刚，
申请(专利权)人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司，
类型：发明
国别省市：

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