【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超精密加工设备的，更具体地，涉及一种光电芬顿复合磁流变抛光装置及使用方法。
技术介绍
1、随着信息技术与电子技术的发展，光电器件的性能越来越优异，同时工作环境也越来越极端。这对制备光电器件的各个元件提出了更高的理化性能要求。为了适应光电器件的发展速度，光电晶片衬底材料发展到第三代宽禁带光电晶片sic、gan等，具有高硬度、高脆性、耐高温、高化学稳定性等理化特性。光电晶片衬底材料理化性能的提高使其能够应用在更加极端条件下工作的光电器件，成为人工智能、5g通讯基站、新能源汽车以及光伏发电等领域芯片的重点核心材料，但这同时也给光电晶片衬底材料的超精密加工带来了新的挑战。
2、磁流变抛光是一种利用磁性颗粒在磁场作用下定向形成磁链串并夹持非磁性磨料对工件进行加工的超精密抛光方法，能获得无或少亚表面损伤层抛光表面质量，但加工效率较低。现有一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置，包括底座、集群磁铁、自转传动组件、公转传动组件、第一驱动组件、内盛有磁流变液的抛光盘、第二驱动组件以及电芬顿组件，集群磁铁安装于自转传动组件、自转传动...
【技术保护点】
1. 一种光电芬顿复合磁流变抛光装置，其特征在于，包括夹具（1）、抛光池（2）、悬臂（3）、驱动机构（4）、分散机构（5）、磁场发生机构（6）、电场发生机构（7）、电源（8）及控制装置；所述抛光池（2）顶部开设有用于盛装抛光液的抛光槽（21）；所述悬臂（3）设于抛光槽（21）上方，所述夹具（1）设于悬臂（3）底部，所述悬臂（3）上设有向夹具（1）发出光线的发光机构（9）； 所述分散机构（5）设于悬臂（3）底部；所述磁场发生机构（6）设于抛光池（2）内，磁场发生机构（6）向抛光槽（21）内施加磁场；所述电场发生机构（7）设于抛光池（2）上，电场发生机构（7）向抛光槽（2...
【技术特征摘要】
1. 一种光电芬顿复合磁流变抛光装置，其特征在于，包括夹具（1）、抛光池（2）、悬臂（3）、驱动机构（4）、分散机构（5）、磁场发生机构（6）、电场发生机构（7）、电源（8）及控制装置；所述抛光池（2）顶部开设有用于盛装抛光液的抛光槽（21）；所述悬臂（3）设于抛光槽（21）上方，所述夹具（1）设于悬臂（3）底部，所述悬臂（3）上设有向夹具（1）发出光线的发光机构（9）； 所述分散机构（5）设于悬臂（3）底部；所述磁场发生机构（6）设于抛光池（2）内，磁场发生机构（6）向抛光槽（21）内施加磁场；所述电场发生机构（7）设于抛光池（2）上，电场发生机构（7）向抛光槽（21）内施加电场；所述驱动机构（4）与悬臂（3）动力连接，驱动机构（4）驱动悬臂（3）在抛光池（2）上方升降及驱动悬臂（3）轴向转动；所述电源（8）、磁场发生机构（6）、电场发生机构（7）、驱动机构（4）、发光机构（9）及控制装置之间均电连接。
2.根据权利要求1所述的光电芬顿复合磁流变抛光装置，其特征在于，所述发光机构（9）包括光源（91）及光线通道（92）；所述夹具（1）为透明夹具（1）；所述光线通道（92）穿设于悬臂（3），所述光源（91）设于光线通道（92）顶部，所述夹具（1）设于光线通道（92）底部，光源（91）发出的光线通过光线通道（92）照射于夹具（1）上。
3.根据权利要求1所述的光电芬顿复合磁流变抛光装置，其特征在于，所述分散机构（5）包括分散驱动件（51）及桨叶（52）；所述桨叶（52）设于分散驱动件（51）的输出端上；所述分散驱动件（51）设于悬臂（3）上。
4.根据权利要求1所述的光电芬顿复合磁流变抛光装置，其特征在于，所述抛光槽（21）内设有凸柱（22），所述凸柱（22）的外壁与抛光槽（21）的内壁之间具有间隔；所述电场发生机构（7）包括多个阳极（71）及阴极（72），多个所述阳极（71）周向设于抛光槽（21）的内壁上，且相邻两阳极（71）之间具有间隙；所述阴极（72）周向设于凸柱（22）的外壁上；所述阳极（71）、阴极（72）均与电源（8）电连接。
5.根据权利要求4所述的光电芬顿复合磁流变...
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