【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、光学传感器用于许多应用中，包含车辆导航系统、安全系统、机器人和制造自动化。光学传感器通常通过检测可见光并且根据检测到的光生成电信号来操作。在光探测与测距(lidar)系统中，光学传感器用于检测反射光，并且根据反射光确定从物体到系统的距离。
技术实现思路
1、在一个实例中，传感器芯片包含传感器像素。所述传感器像素包含雪崩光电检测器。电路邻近于所述雪崩光电检测器。所述电路耦合到所述雪崩光电检测器。隔离结构至少部分地包围所述电路并且在所述雪崩光电检测器与所述电路之间。
2、在另一实例中，光学感测系统包含传感器芯片。所述传感器芯片包含传感器像素。光学信号源生成光学信号。透镜将反射的光学信号聚焦到所述传感器芯片上。信号处理模块耦合到所述传感器芯片和所述光学信号源。所述传感器像素包含雪崩光电检测器。电路邻近于所述雪崩光电检测器。所述电路耦合到所述雪崩光电检测器。隔离结构至少部分地包围所述电路并且在所述雪崩光电检测器与所述电路之间。
3、在另一实例中，传感器芯片包含传感器阵列。所述传感器阵列包含在多个列和多个行中的传感器像素。所述传感器像素中的每一个包含雪崩光电检测器。电路邻近于所述雪崩光电检测器。所述电路耦合到所述雪崩光电检测器。隔离结构至少部分地包围所述电路并且在所述雪崩光电检测器与所述电路之间。
【技术保护点】
1.一种传感器芯片，其包括：
2.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中：
3.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述雪崩光电检测器耦合到经配置以接收电压的触点。
4.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述电路耦合到经配置以接收在大约1.5伏特到3.3伏特的范围内的电压的触点。
5.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述隔离结构包含底座和壁。
6.根据权利要求5所述的传感器芯片，其中跨越与所述传感器芯片的衬底平行的平面的所述壁的截面具有菱形形状或矩形形状。
7.根据权利要求5所述的传感器芯片，其中所述壁的所述截面具有方形形状。
8.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述隔离结构包含n型掺杂硅。
9.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述隔离结构耦合到接地端子或电压端子。
10.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述电路包含耦合到所述雪崩光电检测器的放大器。
11.根据权利要求10所述的传感器芯片，其中所述电路进一步包含反馈网络，所述反馈网络将所述放大器
12.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中：
13.根据权利要求12所述的传感器芯片，其中：
14.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述传感器像素进一步包含所述电路上方的光学屏蔽件。
15.一种光学感测系统，其包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中：
17.根据权利要求15所述的系统，其中所述雪崩光电检测器耦合到经配置以接收电压的触点。
18.根据权利要求15所述的系统，其中所述电路耦合到经配置以接收在大约1.5伏特到3.3伏特的范围内的电压的触点。
19.根据权利要求15所述的系统，其中所述隔离结构包含底座和壁。
20.根据权利要求19所述的系统，其中跨越与所述传感器芯片的衬底平行的平面的所述壁的截面具有菱形形状或矩形形状。
21.根据权利要求20所述的系统，其中所述壁的所述截面具有方形形状。
22.根据权利要求15所述的系统，其中所述隔离结构包含n型掺杂硅。
23.根据权利要求15所述的系统，其中所述传感器像素进一步包含所述电路上方的光学屏蔽件。
24.一种传感器芯片，其包括：
25.根据权利要求24所述的传感器芯片，其中所述传感器像素中的每一个中的所述电路包含耦合到所述雪崩光电检测器的放大器。
26.根据权利要求24所述的传感器芯片，其中所述传感器像素中的每一个中的所述电路进一步包含反馈网络，所述反馈网络将所述放大器的输入耦合到所述放大器的输出。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种传感器芯片，其包括：
2.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中：
3.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述雪崩光电检测器耦合到经配置以接收电压的触点。
4.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述电路耦合到经配置以接收在大约1.5伏特到3.3伏特的范围内的电压的触点。
5.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述隔离结构包含底座和壁。
6.根据权利要求5所述的传感器芯片，其中跨越与所述传感器芯片的衬底平行的平面的所述壁的截面具有菱形形状或矩形形状。
7.根据权利要求5所述的传感器芯片，其中所述壁的所述截面具有方形形状。
8.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述隔离结构包含n型掺杂硅。
9.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述隔离结构耦合到接地端子或电压端子。
10.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述电路包含耦合到所述雪崩光电检测器的放大器。
11.根据权利要求10所述的传感器芯片，其中所述电路进一步包含反馈网络，所述反馈网络将所述放大器的输入耦合到所述放大器的输出。
12.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中：
13.根据权利要求12所述的传感器芯片，其中：
14.根据权利要求1所述的传感器芯片，...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉赫米·赫扎尔，亨利·利茨曼·爱德华兹，M·阿利罗泰赫，斯里纳特·马图尔·拉马斯瓦米，B·哈龙，格尔德·舒佩纳，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：
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