【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频及微波通信，尤其涉及一种同轴微带转换电路。
技术介绍
1、在射频模组中，同轴连接器与射频模块之间通常是采用微带线进行过渡互连，同轴连接器与微带线之间采用转换电路进行过渡互连。但是，在传统的同轴微带转换电路中，在同轴线转微带线互连处引入了寄生电容效应，带来了阻抗失配效应。
2、为了补偿同轴线转微带线互连处引入的寄生电容效应，通常的做法是在同轴连接器与微带线的转换处加入空气腔体，形成空气同轴结构。
3、但是，空气同轴结构的结构复杂，在加工过程中会产生较大的加工误差，使得空气同轴结构的电磁仿真性能与实测性能不符，导致并不能很好地改善同轴线转微带线射频通路上的阻抗失配效应。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种同轴微带转换电路，用以解决现有技术中不能很好地改善同轴线转微带线射频通路上的阻抗失配效应的缺陷，实现以结构简单的同轴微带转换电路，改善同轴线转微带线射频通路上的阻抗失配效应。
2、本专利技术提供一种同轴微带转换电路，包括：微带线布线层、印制板介质层和微带线参考地层；所述印制板介质层位于所述微带线布线层和所述微带线参考地层之间；
3、所述微带线布线层包括：第一阻抗渐变线、第二阻抗渐变线、电容单元和传输线；
4、所述第一阻抗渐变线、所述第二阻抗渐变线、所述电容单元和所述传输线以串联方式依次连接；所述第一阻抗渐变线远离所述第二阻抗渐变线的一端与同轴连接器内导体连接；
5、其中，所述第一阻抗渐变线和所述
6、在一些实施例中，所述电容单元包括阻抗范围在10-20ω的微带线。
7、在一些实施例中，所述微带线布线层还包括：第一共面波导地平面、第二共面波导地平面和接地孔；
8、所述第一共面波导地平面与所述第二共面波导地平面对称分布在所述第一阻抗渐变线、所述第二阻抗渐变线、所述电容单元和所述传输线的两侧；
9、所述第一共面波导地平面的内侧和所述第二共面波导地平面的内侧均设有凹槽，所述凹槽的位置与所述电容单元的位置相对应；
10、多个所述接地孔以等间距均匀分布在所述第一共面波导地平面的内侧和所述第二共面波导地平面的内侧；
11、其中，所述第一共面波导地平面的内侧为所述第一共面波导地平面的两侧中靠近所述传输线的一侧；所述第二共面波导地平面的内侧为所述第二共面波导地平面的两侧中靠近所述传输线的一侧。
12、在一些实施例中，所述第一共面波导地平面的内侧与所述传输线之间的间距为第一间距；所述第一间距大于或等于1.5倍的所述传输线的宽度。
13、在一些实施例中，所述第一共面波导地平面的内侧的凹槽与所述电容单元之间的最小垂直间距为第二间距；所述第二间距大于或等于1倍的所述电容单元的宽度。
14、在一些实施例中，所述第一共面波导地平面内的接地孔与所述第二共面波导地平面内的接地孔以所述传输线为对称轴呈对称分布。
15、在一些实施例中，所述第一共面波导地平面内所有接地孔的中心与所述第一共面波导地平面的内侧之间的间距，以及所述第二共面波导地平面内所有接地孔的中心与所述第二共面波导地平面的内侧之间的间距，均为第三间距。
16、在一些实施例中，所述第三间距的取值范围为0.1～0.2mm。
17、在一些实施例中，所述第一共面波导地平面内相邻两个所述接地孔之间的中心间距，以及所述第二共面波导地平面内相邻两个所述接地孔之间的中心间距均为第四间距。
18、在一些实施例中，所述第四间距的取值范围为0.6～1mm。
19、本专利技术提供的同轴微带转换电路，针对传统的同轴微带转换电路中引入的电容效应，通过具有电感效应的第一阻抗渐变线与第二阻抗渐变线对该电容效应进行补偿，同时通过使第一阻抗渐变线的长度与第二阻抗渐变线的长度之和为相应频率电磁波的四分之一波长，利用四分之一波长阻抗变换特性，此时同轴线波端口产生的寄生电容效应在四分之一波长传输线处转化为寄生电感效应，引入电容单元对寄生电感效应进行相应电容补偿，通过结构简单易加工的微带线转换结构，改善了同轴线转微带线射频通路上的阻抗失配效应。
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1.一种同轴微带转换电路，其特征在于，包括：微带线布线层、印制板介质层和微带线参考地层；所述印制板介质层位于所述微带线布线层和所述微带线参考地层之间；
2.根据权利要求1所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述电容单元包括阻抗范围在10-20Ω的微带线。
3.根据权利要求1所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述微带线布线层还包括：第一共面波导地平面、第二共面波导地平面和接地孔；
4.根据权利要求3所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第一共面波导地平面的内侧与所述传输线之间的间距为第一间距；所述第一间距大于或等于1.5倍的所述传输线的宽度。
5.根据权利要求3所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第一共面波导地平面的内侧的凹槽与所述电容单元之间的最小垂直间距，为第二间距；所述第二间距大于或等于1倍的所述电容单元的宽度。
6.根据权利要求3所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第一共面波导地平面内的接地孔与所述第二共面波导地平面内的接地孔以所述传输线为对称轴呈对称分布。
7.根据权利要求3所述的同轴微带
8.根据权利要求7所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第三间距的取值范围为0.1～0.2mm。
9.根据权利要求3所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第一共面波导地平面内相邻两个所述接地孔之间的中心间距，以及所述第二共面波导地平面内相邻两个所述接地孔之间的中心间距均为第四间距。
10.根据权利要求9所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第四间距的取值范围为0.6～1mm。
...【技术特征摘要】
1.一种同轴微带转换电路，其特征在于，包括：微带线布线层、印制板介质层和微带线参考地层；所述印制板介质层位于所述微带线布线层和所述微带线参考地层之间；
2.根据权利要求1所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述电容单元包括阻抗范围在10-20ω的微带线。
3.根据权利要求1所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述微带线布线层还包括：第一共面波导地平面、第二共面波导地平面和接地孔；
4.根据权利要求3所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第一共面波导地平面的内侧与所述传输线之间的间距为第一间距；所述第一间距大于或等于1.5倍的所述传输线的宽度。
5.根据权利要求3所述的同轴微带转换电路，其特征在于，所述第一共面波导地平面的内侧的凹槽与所述电容单元之间的最小垂直间距，为第二间距；所述第二间距大于或等于1倍的所述电容单元的宽度。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴元清，张诚，杨春，尤建洁，
申请(专利权)人：网络通信与安全紫金山实验室，
类型：发明
国别省市：
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