【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种igbt导通压降实时测量电路。
技术介绍
1、功率绝缘栅双极晶体管(igbt)是中大功率变换器中最重要的器件之一。广泛应用于牵引系统、脉冲电源、高压直流断路器和固态变压器之中。根据最近的研究，34％的电源转换器故障与igbt有关。因此，许多研究者致力于提高igbt在正常和恶劣条件下的可靠性。目前，针对功率igbt器件的健康管理常常需要对器件的老化特征参数进行监测，其原理是，器件的电学或热学参数随器件老化发生规律性变化，这些参数称为老化特征参数。在这些参数中，器件的导通压降由于可直接在电力电子系统运行过程中对器件进行测量，即不停机测量而备受关注。但是，在实际的不停机测量中，测试电路需承受功率器件关断时相同的压降，通常达到几百甚至上千伏特，这无疑对测量电路提出了较高的要求。
技术实现思路
1、针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种igbt导通压降实时测量电路可以实时不停机的测量igbt器件的导通压降，并且无需引入igbt的栅极驱动信号即可实现与器件开关之间的同步。
2、为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
3、提供一种igbt导通压降实时测量电路，其包括开关器件m，m的漏极与被测igbt的集电极相连接，栅极与电阻rg的一端相连，源极与电阻r的一端相连接；电阻r的另一端分别连接电阻rg的另一端、运放x的同相输入端、二极管d3的正极和二极管d4的负极；二极管d4的正极分别连接电源-vcc、电容c2的一端
4、进一步地，开关器件m为耗尽型mos器件。
5、进一步地，二极管d1和d2为稳压二极管。
6、进一步地，二极管d3和d4为肖特基二极管。
7、进一步地，电源电压vcc的电压值大于被测igbt的导通压降。
8、本专利技术的有益效果为：本专利技术电路结构简单，不需要引入igbt的栅极驱动信号即可完成器件导通压降的实时同步测量；且本电路与igbt间的高压隔离通过开关器件实现，通过选择不同耐压值的开关器件即可实现不同高压环境下的电压测量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种IGBT导通压降实时测量电路，其特征在于，包括开关器件M，所述开关器件M的漏极与被测IGBT的集电极相连接，栅极与电阻RG的一端相连，源极与电阻R的一端相连接；所述电阻R的另一端分别连接电阻RG的另一端、运放X的同相输入端、二极管D3的正极和二极管D4的负极；所述二极管D4的正极分别连接电源-VCC、电容C2的一端和二极管D2的正极；所述二极管D2的负极接地并分别连接二极管D1的正极、电容C2的另一端和电容C1的一端；所述电容C1的另一端分别连接电源VCC、二极管D1的负极和二极管D3的负极；所述运放X的反相输入端与输出端相连并作为测量电路的输出。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT导通压降实时测量电路，其特征在于，所述开关器件M为耗尽型MOS器件。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT导通压降实时测量电路，其特征在于，所述二极管D1和D2为稳压二极管。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT导通压降实时测量电路，其特征在于，所述二极管D3和D4为肖特基二极管。
5.根据权利要求1所述的一种IGBT导通压降实时测量电路，其特
...【技术特征摘要】
1.一种igbt导通压降实时测量电路，其特征在于，包括开关器件m，所述开关器件m的漏极与被测igbt的集电极相连接，栅极与电阻rg的一端相连，源极与电阻r的一端相连接；所述电阻r的另一端分别连接电阻rg的另一端、运放x的同相输入端、二极管d3的正极和二极管d4的负极；所述二极管d4的正极分别连接电源-vcc、电容c2的一端和二极管d2的正极；所述二极管d2的负极接地并分别连接二极管d1的正极、电容c2的另一端和电容c1的一端；所述电容c1的另一端分别连接电源vcc、二极管d1的负极和二极管d3的负极；所述运放x的反相输入端...
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