【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆载盘环清洗，具体的，涉及一种晶圆载盘环的烘烤清洁方法。
技术介绍
1、晶圆载盘通常安装于mocvd腔体内部，作为衬底的载体，表面会在化学反应的过程中附着化学反应产生的化合物半导体材料。
2、如图1至图4所示，现有的一种晶圆载盘包括载盘主体1和晶圆载盘环2，晶圆载盘环2安装在载盘主体1上，载盘主体1和晶圆载盘环2配合形成容纳槽3，容纳槽3用于放置晶圆4，载盘主体1的凸台部11和晶圆载盘环2的内环部21形成放置晶圆4的平台。晶圆载盘环2可有利晶圆4的搬运，在需要搬运晶圆4时，可将晶圆载盘环2与载盘主体1分离，从而利用晶圆载盘环2的内环部21移动晶圆4，减少晶圆4的损伤。
3、对晶圆载盘上附着的沉积物进行清洁是保证mocvd工艺稳定性和产品品质的重要因素之一，因此，每次使用时，均需要进行清洁。目前广泛使用真空高温烘烤炉利用高温1300℃至1400℃，在真空环境下对晶圆载盘进行长时间烘烤。这种方式对以大部分生长和挥发温度较低的化合物半导体材料具有较好的作用。但是，现有的方法在烘烤时，对炉温的控制不够精细，容易导致能耗过高。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种可合理控制炉温以减少能耗，且可提高清洁度的晶圆载盘环的烘烤清洁方法。
2、为了实现上述主要目的，本专利技术提供的晶圆载盘环的烘烤清洁方法包括：将晶圆载盘环放入高温烘烤炉中，对高温烘烤炉的腔体进行抽真空处理；在第一预设时长内将高温烘烤炉的炉温逐步上升至第一预设温度，并以预
3、由上述方案可知，本专利技术的晶圆载盘环的烘烤清洁方法通过逐步对高温烘烤炉的炉温进行升温控制，可合理化炉温控制，减少能耗，同时，控制每个阶段的升温时间以及维持时间可有效去除晶圆载盘环上附着的不同物质。而且在不同的阶段采用不同的氮气和氢气进行吹扫，促进晶圆载盘环上附着物分解，加快分解的速率，并带走反应产生的气体或粉尘，提高清洁度。
4、进一步的方案中，对高温烘烤炉的腔体进行抽真空处理的步骤包括：将高温烘烤炉的炉温控制在预设炉温。
5、由此可见，将高温烘烤炉的炉温控制在预设炉温进行抽真空处理，可提高抽真空效果。
6、进一步的方案中，对炉温进行逐步降温直至结束烘烤进程的步骤包括：在第七预设时长内将炉温由第三预设温度下降至第四预设温度，并以预设氮气分压对晶圆载盘环进行氮气吹扫；在第八预设时长内将炉温由第四预设温度下降至第五预设温度，并以预设氮气分压对晶圆载盘环进行氮气吹扫；以预设氮气分压对晶圆载盘环进行氮气吹扫直至炉温冷却至常温。
7、由此可见，对炉温进行降温过程中，对炉温进行逐步降低以及控制每一阶段的降温时长，可合理控制降温时长，优化工艺流程。而且，在炉温进行降温过程中，对晶圆载盘环进行氮气吹扫，可将炉内的氢气等危险气体彻底排出，保障开炉时的安全性。
8、进一步的方案中，在第一预设时长内将高温烘烤炉的炉温逐步上升至第一预设温度的步骤包括：在第一预设时段内将炉温上升至第一预设升温阶段温度；在第二预设时段内将炉温由第一预设升温阶段温度上升至第一预设温度；第一预设时段与第二预设时段之和等于第一预设时长。
9、进一步的方案中，第一预设时段的取值范围是40分钟至60分钟，第一预设升温阶段温度的取值范围是300℃至400℃，第二预设时段的取值范围是30分钟至40分钟。
10、由此可见，在第一预设时长内将高温烘烤炉的炉温上升至第一预设温度时，进一步细化炉温不同上升阶段的时长，从而节省能耗。
11、进一步的方案中，在将晶圆载盘环放入高温烘烤炉中的步骤之前，还包括：利用氮气枪对晶圆载盘环进行氮气吹扫。
12、由此可见，在将晶圆载盘环放入高温烘烤炉之前，利用氮气枪对晶圆载盘环进行氮气吹扫，可吹扫晶圆载盘环表面粉尘，避免粉尘影响晶圆载盘环附着物的分解。
13、进一步的方案中，对炉温进行逐步降温直至结束烘烤进程的步骤后，还包括：使用异丙醇擦拭晶圆载盘环，并使用氮气吹扫干燥。
14、由此可见，使用异丙醇擦拭晶圆载盘环，进一步清洁晶圆载盘环，提高清洁度。
15、进一步的方案中，使用异丙醇擦拭晶圆载盘环，并使用氮气吹扫干燥的步骤后，还包括：将晶圆载盘环存放于氮气柜中。
16、由此可见，将晶圆载盘环放入氮气柜中存放，可进行干燥保存，避免受到污染。
17、进一步的方案中，混合气体中氮气的比例为90％至95％。
18、由此可见，混合气体中氮气的比例较高，可稀释氢气，避免泄露发生危险事故。
19、进一步的方案中，第一预设时长的取值范围是70分钟至100分钟，第一预设温度的取值范围是550℃至650℃，第二预设时长的取值范围是40分钟至60分钟，第三预设时长的取值范围是60分钟至80分钟，第二预设温度的取值范围是1000℃至1100℃，第四预设时长的取值范围是10分钟至20分钟，第五预设时长的取值范围是70分钟至90分钟，第三预设温度的取值范围是1300℃至1400℃，第六预设时长的取值范围是120分钟至150分钟。
20、由此可见，通过各个升温阶段的温度和时长设置，可优化炉温的控制。
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1.一种晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
7.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
9.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
10.根据权利要求1至5任一项所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的晶圆载盘环的烘烤清洁方法，其特征在于：
6.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：星钥珠海半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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