【技术实现步骤摘要】
本申请涉及但不限于半导体器件领域，尤指一种磁性随机存取存储器及其制造方法、电子设备。
技术介绍
1、磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，mram)是以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。磁场翻转mram(toggle-mram)属于磁场驱动型mram，为第一代磁性随机存取存储器。磁场翻转mram具有无限擦写次数、高温稳定性好、耐辐照等优良特性，在航空航天、汽车和电子等领域具有较大应用潜力。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
2、本申请实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法、电子设备，该磁性随机存取存储器具有存储密度高、读电流小、结构简单、制造成本低等优点。
3、本申请实施例提供了一种磁性随机存取存储器，包括：
4、多个在衬底上阵列分布的存储单元，每个所述存储单元均包括磁性隧道结和读取晶体管，所述磁性隧道结包括可以实现磁场方向反转的自由层；
5、位于同一行的存储单元的各所述磁性隧道结的一端与一条读取位线连接，各所述磁性隧道结的另一端与所述读取晶体管连接；还包括：位于所述阵列分布的存储单元的周边的在列方向依次排列的多个第一写入晶体管，每个所述第一写入晶体管与一条第一写入信号线的一端连接，该条第一写入信号线的另一端设置在所述磁性隧道结的自由层的第一侧；
6、位于所述阵列分布的存储单元的周边的在行方向依次排列的多个第二写入晶
7、每个所述磁性隧道结的自由层、设置在该自由层的第一侧的第一写入信号线、设置在该自由层的第二侧的第二写入信号线在所述衬底上的投影存在交叠区域；
8、所述第一写入信号线和所述第二写入信号线被配置为通过信号驱动所述自由层的磁场方向翻转；
9、其中，所述读取晶体管为埋栅晶体管。
10、在本申请的实施例中，所述读取晶体管可以包括源极、漏极、半导体层和栅极；
11、所述源极和所述漏极均位于衬底上并且间隔设置，所述源极和所述漏极在所述衬底上的投影无交叠；
12、所述半导体层设置在所述源极与所述漏极之间并且为环形，环形半导体层的外表面与所述源极和所述漏极接触，所述栅极位于所述环形半导体层的内部并且被所述环形半导体层围绕。
13、在本申请的实施例中，位于同一行的相邻的两个所述存储单元的所述读取晶体管可以共用一个所述源极。
14、在本申请的实施例中，所述磁性随机存取存储器还可以包括沿列方向延伸的读取字线，所述读取字线与所述栅极连接。
15、在本申请的实施例中，所述磁性隧道结还可以包括底电极和互联线，所述磁性隧道结的自由层设置在所述底电极上，所述互联线一端与所述底电极连接，所述互联线另一端与所述读取晶体管连接。
16、在本申请的实施例中，所述磁性隧道结还可以包括顶电极，所述顶电极设置在所述自由层的远离所述底电极的一侧，所述磁性隧道结可以通过所述顶电极与所述读取位线连接。
17、在本申请的实施例中，所述读取位线可以沿行方向延伸。
18、在本申请的实施例中，所述磁性随机存取存储器还可以包括第一写入信号线地址解码器及驱动器和第二写入信号线地址解码器及驱动器，所述第一写入信号线地址解码器及驱动器与所述第一写入晶体管连接，所述第二写入信号线地址解码器及驱动器与所述第二写入晶体管连接。
19、本申请实施例还提供如上本申请实施例提供的所述磁性随机存取存储器的制造方法，包括：
20、采用动态随机存取存储器的工艺平台制备得到所述读取晶体管；
21、采用动态随机存取存储器的工艺平台制备得到所述第一写入晶体管和/或所述第二写入晶体管，并将所述第一写入晶体管与所述第一写入信号线连接，以及将所述第二写入晶体管与所述第二写入信号线连接；
22、形成所述磁性隧道结，并将所述磁性隧道结一端与所述读取位线连接，所述磁性隧道结另一端与所述读取晶体管连接。
23、本申请实施例还提供一种电子设备，包括如上本申请实施例提供的所述磁性随机存取存储器。
24、本申请实施例的磁性随机存取存储器采用埋栅晶体管作为读取晶体管，可以提高读取晶体管的密度，从而提高磁性随机存取存储器的存储密度，降低磁性随机存取存储器的制造成本。
25、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种磁性随机存取存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，所述读取晶体管包括源极、漏极、半导体层和栅极；
3.根据权利要求2所述的磁性随机存取存储器，其中，位于同一行的相邻的两个所述存储单元的所述读取晶体管共用一个所述源极。
4.根据权利要求2或3所述的磁性随机存取存储器，还包括沿列方向延伸的读取字线，所述读取字线与所述栅极连接。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的磁性随机存取存储器，其中，所述磁性隧道结还包括底电极和互联线，所述磁性隧道结的自由层设置在所述底电极上，所述互联线一端与所述底电极连接，所述互联线另一端与所述读取晶体管连接。
6.根据权利要求5所述的磁性随机存取存储器，其中，所述磁性隧道结还包括顶电极，所述顶电极设置在所述自由层的远离所述底电极的一侧，所述磁性隧道结通过所述顶电极与所述读取位线连接。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的磁性随机存取存储器，其中，所述读取位线沿行方向延伸。
8.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，还包括第一写
9.根据权利要求1至8中任一项所述的磁性随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：
10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1至8中任一项所述的磁性随机存取存储器。
...【技术特征摘要】
1.一种磁性随机存取存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中，所述读取晶体管包括源极、漏极、半导体层和栅极；
3.根据权利要求2所述的磁性随机存取存储器，其中，位于同一行的相邻的两个所述存储单元的所述读取晶体管共用一个所述源极。
4.根据权利要求2或3所述的磁性随机存取存储器，还包括沿列方向延伸的读取字线，所述读取字线与所述栅极连接。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的磁性随机存取存储器，其中，所述磁性隧道结还包括底电极和互联线，所述磁性隧道结的自由层设置在所述底电极上，所述互联线一端与所述底电极连接，所述互联线另一端与所述读取晶体管连接。
6.根据权利要求5所述的磁性随机存取存储器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉辉，张云森，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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