【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及溅镀，尤其涉及一种封装体的磁控溅射镀膜方法及封装体。
技术介绍
1、磁控溅射是物理气相沉积的一种，一般的溅射法具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，因此广泛应用于为半导体封装体镀膜。
2、现有技术中，镀膜前，封装体上需要分为溅镀区和非溅镀区，非溅镀区为不需要镀层的部分，因此需要通过遮挡材料将非溅镀区遮挡，再进行溅镀，然后在溅镀后剥离遮挡材料，但是在遮挡材料剥离时，其与封装体的连接处会形成金属翘边或金属碎屑，金属碎屑在后续制程中有导致两pad短路的风险，目前的解决方案为采用毛刷等方式将金属碎屑清除，浪费人力物力的同时，清理不一定干净，导致产品良率降低。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种封装体的磁控溅射镀膜方法及封装体，旨在解决现有的工艺中将遮挡材料从封装体上剥离时，遮挡材料与封装体连接处容易产生金属翘边或金属碎屑，导致产品容易短路的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种封装体的磁控溅射镀膜方法，包括以下步骤：>
3、提供封装本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述在所述非溅镀区靠近所述溅镀区的一侧边缘制备凹槽的步骤包括：
3.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述在所述非溅镀区靠近所述溅镀区的一侧边缘制备凹槽的步骤包括：
4.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述凹槽的深度为15μm～100μm。
5.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述在所述非溅镀区上设置遮挡层的步骤包括：
...
【技术特征摘要】
1.一种封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述在所述非溅镀区靠近所述溅镀区的一侧边缘制备凹槽的步骤包括：
3.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述在所述非溅镀区靠近所述溅镀区的一侧边缘制备凹槽的步骤包括：
4.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述凹槽的深度为15μm～100μm。
5.如权利要求1所述的封装体的磁控溅射镀膜方法，其特征在于，所述在所述非溅镀区上设置遮挡层的步骤包括：
6.如权利要求1至5中任一项所述的封装体的...
【专利技术属性】
技术研发人员：田旭，王克德，柳瑞，李展坤，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。