【技术实现步骤摘要】
本申请涉及数据存储领域，特别是涉及一种数据写入方法、存储装置及计算机可读存储装置。
技术介绍
1、在存储装置中，需要使用存储介质来保存数据。常用的存储介质有ram(randomaccess memory，随机存储器)、rom(read-only memory，只读存储器)以及flash等。而flash又具有多种模式类型，例如slc、mlc、tlc、qlc等等。但是由于在tlc或qlc模式下，其存储数据的电压分层过多，很容易发生由于掉电引起的数据丢失。进一步地，受高低温以及读写寿命等因素的影响，tlc或qlc模式的flash不适宜进行固件数据的存储。slc模式可以较为稳定的存储数据，但是tlc或qlc模式的flash中，部分主控不支持slc模式。pslc模式虽然可以应用至tlc或qlc模式的flash中，但是存储装置全部使用pslc模式存在着操作复杂，开销资源大等问题。如何解决主控不支持slc模式，提高flash存储数据的稳定性成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请主要目的是提供一种数据写入方法、存储装置及计算机可读存储装置，能够解决主控不支持slc模式，提高flash存储数据稳定性的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是：提供一种数据写入方法。其应用于存储装置。该方法包括：获取存储装置的第一存储类型；以与存储装置的第一存储类型相适应的第二存储类型向存储装置写入第一数据，其中，第一数据用于将存储装置的存储类型更改为第三存
3、为解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是：提供一种存储装置。该存储装置包括存储器和处理器，存储器用于存储数据，数据能够被处理器执行，以实现如第一个技术方案中所述的方法。
4、为解决上述技术问题，本申请采用的第三个技术方案是：提供一种计算机可读存储装置。该计算机可读存储装置存储有程序数据，能够被处理器执行，以实现如第一个技术方案中所述的方法。
5、本申请的有益效果是：本申请通过获取存储装置的第一存储类型，确定了与存储装置相适应的第二存储类型，以第二存储类型向存储装置写入第一数据。执行第一数据时，会将存储装置的存储类型更改为第三存储类型，使得存储装置能够以第三存储类型进行数据写入。通过写入第一数据，使得存储装置能够支持不同于第一存储类型的第三存储类型。
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1.一种数据写入方法，其特征在于，应用于存储装置，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述以所述第二存储类型向所述目标字线对应的存储页写入所述第一数据包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
9.一种存储装置，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器用于存储数据，所述数据能够被所述处理器执行，以实现如权利要求1-8任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储装置，其特征在于，存储有程序数据，能够被处理器执行，以实现如权利要求1-8任一项所述的方法。
【技术特征摘要】
1.一种数据写入方法，其特征在于，应用于存储装置，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述以所述第二存储类型向所述目标字线对应的存储页写入所述第一数据包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈盼，柳耿，
申请(专利权)人：中山市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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