【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种gan封装结构。
技术介绍
1、gan(氮化镓)的能隙很宽，可以用在高功率、高速的光电元件中。gan芯片一般需要和控制芯片连接封装，以便提高器件的性能。
2、目前，gan封装结构为gan芯片正装设置在一封装基岛上，控制芯片正装设置在另一封装基岛上，控制芯片的控制引脚通过焊线与gan芯片的栅极进行连接，这种gan封装结构不仅散热性能差，而且封装体积大。
3、综上所述，如何提高gan封装结构的散热性能，并降低gan封装结构的封装体积，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的是提供一种gan封装结构，用于提高gan封装结构的散热性能，并降低gan封装结构的封装体积。
2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
3、一种gan封装结构，包括：
4、包含有第一基岛引脚和第二基岛引脚的封装基岛；
5、设置在所述封装基岛上的控制芯片和上表面覆有铜层的陶瓷基板；
6、倒装设置在所述陶瓷基板上的gan芯片；所述gan芯片的g极位于所述控制芯片的控制引脚的上方且与所述控制引脚相连，所述gan芯片的剩余电极通过所述铜层与所述第一基岛引脚相连，所述控制芯片的剩余引脚与所述第二基岛引脚相连；
7、用于塑封所述封装基岛、所述控制芯片、所述陶瓷基板及所述gan芯片的塑封体。
8、可选地，所述gan芯片的g极位于所述控制引脚的正
9、可选地，所述gan芯片的g极通过铜柱与所述控制引脚相连。
10、可选地，所述铜层包括第一铜层区域和第二铜层区域，所述第一铜层区域与所述gan芯片的d极及所述第一基岛引脚中的d极基岛引脚相连，所述第二铜层区域与所述gan芯片的s极及所述第一基岛引脚中的s极基岛引脚相连。
11、可选地，所述第一铜层区域中设置有与所述第一铜层区域相连的磁珠。
12、可选地，所述磁珠设置在所述第一铜层区域中除所述gan芯片的d极正对区域之外的区域中。
13、可选地，所述第一铜层区域通过焊线与所述d极基岛引脚相连，所述第二铜层区域通过焊线与所述s极基岛引脚相连。
14、可选地，所述第一铜层区域通过第一铜片与所述d极基岛引脚相连，所述第二铜层区域通过第二铜片与所述s极基岛引脚相连。
15、可选地，所述控制芯片的剩余引脚通过焊线与所述第二基岛引脚相连。
16、可选地，所述控制芯片的剩余引脚通过第三铜片与所述第二基岛引脚相连。
17、本申请提供了一种gan封装结构，包括：包含有第一基岛引脚和第二基岛引脚的封装基岛；设置在封装基岛上的控制芯片和上表面覆有铜层的陶瓷基板；倒装设置在陶瓷基板上的gan芯片；gan芯片的g极位于控制芯片的控制引脚的上方且与控制引脚相连，gan芯片的剩余电极通过铜层与第一基岛引脚相连，控制芯片的剩余引脚与第二基岛引脚相连；用于塑封封装基岛、控制芯片、陶瓷基板及gan芯片的塑封体。
18、本申请公开的上述技术方案，gan芯片倒装设置在上表面覆有铜层的陶瓷基板上，也即gan芯片的上表面(即gan芯片带有电极的表面)与陶瓷基板上表面的铜层相接触，以使得gan芯片上表面所产生的热量可以沿着铜层、陶瓷基板传递到封装基岛上，然后由封装基岛散发出去，从而缩短散热路径，提高gan封装器件的散热性能，减少热量在gan封装器件内的积累，进而提高gan封装器件的性能。并且通过将gan芯片与控制芯片设置在同一封装基岛上及使gan芯片的g极位于控制芯片的控制引脚的上方可降低gan封装结构的封装体积，并可缩短gan芯片的栅极与控制芯片的控制引脚的连接长度，以降低gan封装器件的封装电感。
19、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种GaN封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的GaN封装结构，其特征在于，所述GaN芯片的G极位于所述控制引脚的正上方。
3.根据权利要求2所述的GaN封装结构，其特征在于，所述GaN芯片的G极通过铜柱与所述控制引脚相连。
4.根据权利要求1所述的GaN封装结构，其特征在于，所述铜层包括第一铜层区域和第二铜层区域，所述第一铜层区域与所述GaN芯片的D极及所述第一基岛引脚中的D极基岛引脚相连，所述第二铜层区域与所述GaN芯片的S极及所述第一基岛引脚中的S极基岛引脚相连。
5.根据权利要求4所述的GaN封装结构，其特征在于，所述第一铜层区域中设置有与所述第一铜层区域相连的磁珠。
6.根据权利要求5所述的GaN封装结构，其特征在于，所述磁珠设置在所述第一铜层区域中除所述GaN芯片的D极正对区域之外的区域中。
7.根据权利要求4所述的GaN封装结构，其特征在于，所述第一铜层区域通过焊线与所述D极基岛引脚相连，所述第二铜层区域通过焊线与所述S极基岛引脚相连。
8.根据权利要求4所述的G
9.根据权利要求1所述的GaN封装结构，其特征在于，所述控制芯片的剩余引脚通过焊线与所述第二基岛引脚相连。
10.根据权利要求1所述的GaN封装结构，其特征在于，所述控制芯片的剩余引脚通过第三铜片与所述第二基岛引脚相连。
...【技术特征摘要】
1.一种gan封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的gan封装结构，其特征在于，所述gan芯片的g极位于所述控制引脚的正上方。
3.根据权利要求2所述的gan封装结构，其特征在于，所述gan芯片的g极通过铜柱与所述控制引脚相连。
4.根据权利要求1所述的gan封装结构，其特征在于，所述铜层包括第一铜层区域和第二铜层区域，所述第一铜层区域与所述gan芯片的d极及所述第一基岛引脚中的d极基岛引脚相连，所述第二铜层区域与所述gan芯片的s极及所述第一基岛引脚中的s极基岛引脚相连。
5.根据权利要求4所述的gan封装结构，其特征在于，所述第一铜层区域中设置有与所述第一铜层区域相连的磁珠。
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：卜小松，庞振江，洪海敏，周芝梅，赵金玉，温雷，黄首杰，文豪，
申请(专利权)人：深圳智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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