【技术实现步骤摘要】
本申请涉及功率半导体器件，尤其涉及一种功率半导体器件测试温度确定方法及系统。
技术介绍
1、以第三代半导体材料开发的各类功率半导体器件相较于传统硅半导体器件而言，应用环境恶劣，对可靠性要求高，适用于第一代半导体硅器件的h3trb（高湿高温反偏测试）的试验条件出现了一定局限性，于是，根据市场需求和现场故障经验总结，诞生了hv-h3trb（高温高湿高压反偏测试）的相关测试方法。
2、目前，对于第三代功率半导体器件的测试，hv-h3trb与h3trb的不同在于，取消了偏压≤100v的限制。对于第三代半导体功率器件，其阻断电压能做到千伏级别，80%阻断电压相对于100v高了一个数量级，在此情况下，功率半导体器件会因自热效应而导致结温升高，与环境温度的温度梯度过大，水汽传输路径受阻，使得功率半导体器件相对湿度下降较多，从而降低对功率半导体器件的测试准确性。
3、综上所述，如何便于提高功率半导体器件的测试准确性，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于...
【技术保护点】
1.一种功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，从所述预设温度调整所述试验箱的温度，包括：
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，根据所述功率半导体器件的当前结温与所述标定结温调整所述试验箱的温度，包括：
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，下调所述试验箱温度，包括：
5.根据权利要求2至4任一项所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，从所述预设温度下调所述试验箱的温度，
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【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，从所述预设温度调整所述试验箱的温度，包括：
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，根据所述功率半导体器件的当前结温与所述标定结温调整所述试验箱的温度，包括：
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，下调所述试验箱温度，包括：
5.根据权利要求2至4任一项所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，从所述预设温度下调所述试验箱的温度，包括：
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件测试温度确定方法，其特征在于，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑贵方，庞振江，占兆武，温雷，文豪，卜小松，
申请(专利权)人：深圳智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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