【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构。
技术介绍
1、现在电机驱动的应用线路是单机用量6只以上场效应管，每2只串联为一组，分为3组及以上，因此单机用量多占用的pcb面积大，对pcb尺寸有要求的一些产品无法实现。功率器件最大的问题就是散热，现在大多是采用贴片场效应管在pcb上面，pcb加大铜箔的面积使场效应管导热，在场效应管的正面塑封料的上面再加一个散热片增加散热。其缺点为1、是pcb的导热非常有限，器件的热不能充分导出；2、正面塑封料上面的散热片由于塑封料导热系数也是有限的，也不能充分把芯片的热量导出。功率器件如果产生的热不能及时导出就会出现失效死机的现象。应用工程师为了解决这个问题就是要求场效应管降低内阻值，降低内阻就要增加芯片尺寸，增加封装尺寸，成本大幅提高。如果应用线路尺寸较小，大小方面有些限制还无法解决问题。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服现有产品中的不足，提供一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构。
2、为了达到上述目的，本技术是通过以下技术
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1.一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构，其特征在于，包括塑封体(1)、基岛载片(2)、绝缘陶瓷片(3)、散热片(4),所述散热片(4)上面焊接所述绝缘陶瓷片(3)，所述绝缘陶瓷片(3)上面焊接所述基岛载片(2),所述塑封体(1)将基岛载片(2)、绝缘陶瓷片(3)、散热片(4)包封在一起，所述基岛载片(2)包括双基岛(21)、铝线(22)、若干个引脚，所述双基岛(21)通过铝线(22)与若干个引脚电性连接。
2.根据权利要求1所述一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构，其特征在于，所述若干个引脚为五个引脚。
3.根据权利要求2所述一种...
【技术特征摘要】
1.一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构，其特征在于，包括塑封体(1)、基岛载片(2)、绝缘陶瓷片(3)、散热片(4),所述散热片(4)上面焊接所述绝缘陶瓷片(3)，所述绝缘陶瓷片(3)上面焊接所述基岛载片(2),所述塑封体(1)将基岛载片(2)、绝缘陶瓷片(3)、散热片(4)包封在一起，所述基岛载片(2)包括双基岛(21)、铝线(22)、若干个引脚，所述双基岛(21)通过铝线(22)与若干个引脚电性连接。
2.根据权利要求1所述一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构，其特征在于，所述若干个引脚为五个引脚。
3.根据权利要求2所述一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构，其特征在于，所述双基岛(21)包括第一场效应管芯片m1、第二场效应管芯片m2，所述第一场效应管芯片m1的源极s1连接第二场效应管芯片m2的漏极d2。
4.根据权利要求3所述一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构，其特征在于，所述五个引脚为...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙俊宝，
申请(专利权)人：杭州骏爱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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