【技术实现步骤摘要】
本申请涉及rf放大器，尤其涉及一种具有稳定性改进的芯片封装键合方法及rf放大器。
技术介绍
1、功率放大器(pa)是rf前端(fem)不可缺少的部分，在rf集成电路设计中，放大器的稳定性至关重要，如果设计的放大器版图存在潜在的不稳定问题，一旦完成流片，那么后续要通过修改版图来提升稳定性，技术难度将大幅攀升，成本代价难以忍受。
2、rf集成电路设计跨越2个
，一是微电子技术，二是射频技术。微电子技术比较多的关注“路”，仿真多以spice为基础，对分布参数的建模不够完善，电路输入/输出量为电压、电流，通过电压增益、相位裕量、时域波形等来评估放大器的稳定性，存在较大的不确定性；射频技术比较多的关注“波”，仿真多以ads为基础，充分综合了分布参数的影响，电路输入/输出量是入射波、反射波，通过稳定因子来评判放大器的稳定性，可以得到稳定区和非稳定区，准确度较高。
3、一般，如果没有器件的ads模型，在后端布局布线完成后，难以准确评判放大器的稳定性，因此，流片完成后再测试，放大器可能会出现意想不到的自激或临界自激。为了挽救耗资不菲的rf芯片，只能在封装上修改寄生参数，或芯片外优化输入/输出网络，对芯片进行补偿，以便能够消除自激。
4、在rf
，评估rf放大器的稳定性常用k因子法，rf放大器稳定的充要条件表示为：
5、|δ|＝|s11s22-s12s21|＜1，且
6、稳定性分三种情况：不稳定、条件稳定、绝对稳定。不稳定是指输入/输出端连接任何性质的阻抗(r±jx)，放大器
7、实际工程中，做到绝对稳定有一定难度，作为一款可商用的rf器件，至少应保证在smith圆图|γ|＝0.85以内的阻抗区域，放大器稳定。
8、改善rf放大器稳定性的方法大致有：1)栅极串联小电阻，栅极对地并联电阻；2)引入负反馈；3)优化匹配网络；4)增大反向隔离；5)更换稳定因子高的pa器件。
9、其中，栅极串联小电阻、并联电阻可以吸收回波，降低器件的可用增益，将不稳定区牵引到单位圆外。引入负反馈、优化匹配网的目的是减小回波|s11|、|s22|，以增大k因子计算公式的分子，使k因子尽可能大。增大反向隔离的目的是减小|s12|，以减小k因子计算公式的分母，提高k因子。更换稳定因子高的pa器件，可降低匹配难度，使稳定区尽可能大。
10、上述几种方法中，方法1)、5)只能用在设计迭代阶段，一旦流片，便不可采用；方法2)除非体现在利用封装寄生参数，一般也用在设计迭代阶段；方法3)可用在设计迭代阶段，也可用在流片后；方法4)大多在流片后采用，但需要增加隔离器件，会推高成本。流片后，从低成本的角度，方法2)、3)是首选方案，但其仅针对条件稳定，解决在单位圆内的不稳定问题。
11、然而，上述方法难以单独在晶圆外解决放大器的稳定性问题。rf芯片，特别是复杂的transceiver芯片在流片后，如果测试发现rf放大器存在不稳定的情形，那么必须要采取改进措施来保证芯片的正常工作。若通过修改版图mask来改善稳定性，一是复杂度高，费用昂贵，二是不能保证一次成功。因此，在晶圆外解决稳定性问题，将成为首选方案。
技术实现思路
1、本申请提供了一种具有稳定性改进的芯片封装键合方法及rf放大器，其技术目的是在流片后，在片外通过适当的封装键合以及特殊的阻抗网络，低成本地、简洁地、快速地解决rf芯片的不稳定性问题，且不会明显增加芯片的应用成本。
2、本申请的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
3、一种具有稳定性改进的芯片封装键合方法，包括：将rf晶圆内放大器gnd端对应的pad结构键合至封装框架的引脚上，再从封装框架的引脚折回至封装框架的e-pad上，完成rf芯片的封装。
4、一种具有稳定性改进的rf放大器，该rf放大器包括rf芯片、输出阻抗匹配网络和输出带通滤波网络，所述rf芯片通过权利要求1所述的芯片封装键合方法进行封装得到，所述rf芯片的输出引脚与所述输出阻抗匹配网络连接，所述输出阻抗匹配网络输出至所述输出带通滤波网络；其中，当所述rf芯片的不稳定区低于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括级联的“并串并”结构切比雪夫带通滤波器和椭圆低通滤波器；当所述rf芯片的不稳定区高于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括级联的“串并串”结构切比雪夫带通滤波器和椭圆低通滤波器。
5、进一步地，所述输出阻抗匹配网络为l/c低通型匹配网络或全通型l匹配网络。
6、进一步地，当所述rf芯片的不稳定区低于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容和第五电容，第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容和第三电容构成“并串并”结构切比雪夫带通滤波器，第四电感、第三电容、第四电容和第五电容构成椭圆低通滤波器；
7、所述输出阻抗匹配网络的输出端连接至“并串并”结构切比雪夫带通滤波器的输入端，所述输出阻抗匹配网络的输出端与第一电感、第二电感和第一电容均连接，第一电感和第一电容的一端均接地、另一端并联且与第二电感均连接，第二电感与第二电容串联，第三电感和第三电容的一端接地、另一端并联且与第二电容、第四电容和第四电感均连接；第二电容与第四电容和第四电感均连接；
8、第五电容的一端接地、另一端与第四电容和第四电感均连接，第四电容与第四电感并联，第四电容、第四电感和第五电容与输出端均连接。
9、进一步地，当所述rf芯片的不稳定区高于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容和第三电容构成“串并串”结构切比雪夫带通滤波器，第四电感、第四电容、第五电容和第六电容构成椭圆低通滤波器；
10、所述输出阻抗匹配网络的输出端连接至“串并串”结构切比雪夫带通滤波器的输入端，所述输出阻抗匹配网络的输出端连接至第一电感，第一电感和第一电容串联，第二电感和第二电容的一端接地、另一端并联且与第一电容和第三电感均连接，第三电感和第三电容串联，第三电容与第四电容、第四电感和第六电容均连接；
11、第五电容的一端接地、另一端与第四电容和第四电感均连接，第六电容的一端接地、另一端与第三电容、第四电容和第四电感均连接，第四电感和第四电容并联，第四电容、第四电感和第五电容与输出端均连接。
12、本申请的有益效果在于：本申请所述的具有稳定性改进的芯片封装键合方法及rf放大器，通过适当控制rf芯片gnd键合线长度，消除rf芯片内功率放大器的自激问题；将gnd键合线回打到e-pad，使rf芯片的esd等级无明显下降本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有稳定性改进的芯片封装键合方法，其特征在于，包括：将RF晶圆内放大器GND端对应的PAD结构键合至封装框架的引脚上，再从封装框架的引脚折回至封装框架的E-PAD上，完成RF芯片的封装。
2.一种具有稳定性改进的RF放大器，其特征在于，该RF放大器包括RF芯片、输出阻抗匹配网络和输出带通滤波网络，所述RF芯片通过权利要求1所述的芯片封装键合方法进行封装得到，所述RF芯片的输出引脚与所述输出阻抗匹配网络连接，所述输出阻抗匹配网络输出至所述输出带通滤波网络；其中，当所述RF芯片的不稳定区低于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括级联的“并串并”结构切比雪夫带通滤波器和椭圆低通滤波器；当所述RF芯片的不稳定区高于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括级联的“串并串”结构切比雪夫带通滤波器和椭圆低通滤波器。
3.如权利要求2所述的RF放大器，其特征在于，所述输出阻抗匹配网络为L/C低通型匹配网络或全通型L匹配网络。
4.如权利要求2所述的RF放大器，其特征在于，当所述RF芯片的不稳定区低于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括第一电感、第二电感、第三
5.如权利要求2所述的RF放大器，其特征在于，当所述RF芯片的不稳定区高于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容和第三电容构成“串并串”结构切比雪夫带通滤波器，第四电感、第四电容、第五电容和第六电容构成椭圆低通滤波器；
...【技术特征摘要】
1.一种具有稳定性改进的芯片封装键合方法，其特征在于，包括：将rf晶圆内放大器gnd端对应的pad结构键合至封装框架的引脚上，再从封装框架的引脚折回至封装框架的e-pad上，完成rf芯片的封装。
2.一种具有稳定性改进的rf放大器，其特征在于，该rf放大器包括rf芯片、输出阻抗匹配网络和输出带通滤波网络，所述rf芯片通过权利要求1所述的芯片封装键合方法进行封装得到，所述rf芯片的输出引脚与所述输出阻抗匹配网络连接，所述输出阻抗匹配网络输出至所述输出带通滤波网络；其中，当所述rf芯片的不稳定区低于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括级联的“并串并”结构切比雪夫带通滤波器和椭圆低通滤波器；当所述rf芯片的不稳定区高于工作频段时，所述输出带通滤波网络包括级联的“串并串”结构切比雪夫带通滤波器和椭圆低通滤波器。
3.如权利要求2所述的rf放大器，其特征在于，所述输出阻抗...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯志成，张培，程晨，房爱兵，
申请(专利权)人：江苏芯云电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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