一种同质异质结电池制造技术

本申请提供了一种同质异质结电池，包括：硅基层；以朝向太阳为正面，以背向太阳为背面，以远离所述硅基层为方向排序，设置于所述硅基层正面的异质结，导电层和正电极，以及以远离所述硅基层为方向排序，设置于所述硅基层背面的同质结和负电极。在上述技术方案中，通过设置于所述硅基层正面的异质结，导电层和正电极以及设置于所述硅基层背面的同质结和负电极，以N型硅基层，结合正面P型HJT结构，背面N型TOPCon结构，其p‑n结设置于正面，使得异质结电池形成正结结构，能够提升电池的光电转换效率；同时降低对硅片质量的要求，进而降低对原材料的需求，实现降低电池生产成本的目的。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及到电池，尤其涉及到一种同质异质结电池。

技术介绍

1、随着碳达峰碳中和目标的提出，新能源由于其无污染，可再生的优点，得到了很大的发展机遇，提升新能源的转换效率成为行业追求的目标。异质结电池由于其两面均使用非晶硅钝化，界面复合得到极大抑制，其转换效率相比目前主流的perc电池高出1％左右，因此成为下一代高效电池的选择。

2、然而，由于硼的掺杂效率不高，需要较厚的掺硼非晶硅层才能构建强的内建电场，且掺硼非晶硅层的吸光比较严重。因此，目前主流的n型异质结电池均将掺硼层设置在背光面，形成背结电池。

3、n型异质结电池的掺硼非晶硅层位于背面，背结电池由于其载流子需穿过整个基体后在p-n结处分离形成电流，因此其对于硅片质量要求较高，且在大面积整片异质结电池切割时，切割损较大。

4、另外，异质结电池一般会使用铟基透明导电层材料，如ito等；由于铟的储量有限，铟储量限制了异质结电池的进一步扩产及应用。因此，其他过渡元素的应用也可降低对铟的需求，扩大异质结电池的产能。然而常见的非铟基透明导电层材料，如锌基材料，其在水汽环境下易水本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种同质异质结电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述异质结包括非晶硅层、微晶硅层、纳米晶硅层中的至少一种或多种。

3.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述同质结包括多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述导电层为ITO层，IWO层，ICO层中的任意一种；或者，

5.根据权利要求4所述的同质异质结电池，其特征在于，所述导电层还包括SiNx层和/或含铝氧化物层。

6.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述同质结中，与所述负电极接...

【技术特征摘要】

1.一种同质异质结电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述异质结包括非晶硅层、微晶硅层、纳米晶硅层中的至少一种或多种。

3.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述同质结包括多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述导电层为ito层，iwo层，ico层中的任意一种；或者，

5.根据权利要求4所述的同质异质结电池，其特征在于，所述导电层还包括sinx层和/或含铝氧化物层。

6.根据权利要求1所述的同质异质结电池，其特征在于，所述同质结中，与所述负电极接触区域的同质结材料厚度至少为100nm，未与所述负电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尧，陈达明，张学玲，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：