【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米技术及微电子器件，更为具体地，涉及一种用于调控原子点接触结构的器件及其调控和制备方法。
技术介绍
1、大数据和人工智能时代迫切需要发展高密度信息存储及功能集成器件，以实现海量信息数据的高效存储与处理。随着电子器件的小型化发展，传统晶体管信息器件正逼近原子尺寸，相应的加工和集成技术面临极大挑战。
2、原子点接触结构具有电导量子化特性，其分立的量子电导态有望用于多值信息存储及存算功能集成，为实现原子尺度高密度信息存储与处理提供解决方案。
3、然而，目前原子点接触结构缺乏对诸如光场、磁场等多场响应，传统的利用电场驱动三维非晶/多晶固态电介质中离子输运所构建的原子点接触结构，面临诸多瓶颈问题，如：稳定性差，调控量子电导态变化过快，难以精确调控量子电导态，难以实现复合运算功能集成等，阻碍了量子电导信息存储器的研发进程。
4、基于此，研究具有优异光电特性的原子点接触结构，发展基于光电多物理场协同作用高精度调控量子电导态的方法，对实现原子尺度高密度信息存储及感存算功能一体化集成具有重大意义。>
<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的“电极-介质层-电极”平面结构；其中，
2.如权利要求1所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
3.如权利要求2所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
4.如权利要求3所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
5.如权利要求3所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
6.一种原子点接触结构的调控方法，其特征在于，利用如权利要求1-5中任一项所述的器件进行原子点接触结构的调控；所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的“电极-介质层-电极”平面结构；其中，
2.如权利要求1所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
3.如权利要求2所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
4.如权利要求3所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
5.如权利要求3所述的用于调控原子点接触结构的器件，其特征在于，
6.一种原子点接触结构的调控方法，其特征在于，利用如权利要求1-5中任一项所述的器件进行原子点接触结构的调控；所述方法包括：
7.如权利要求6所述的原子点接触结构的调控方法，其特征在于，
8.如权利要求6所述的原子点接触结构的调控方法，其特征在于，通过调控电压、限流、光照，构建得到不同尺寸的原子点接触结构。
9.如权利要求6所述的原子点接触结构的调控方法，其特征在于，通过调控原子点接...
【专利技术属性】
技术研发人员：李佩典，朱小健，孙启浩，邵梦洁，蒋永韬，李润伟，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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