【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
1、顶栅(top gate)型tft(薄膜晶体管)结构因其高开态电流ion，低电容的优势，能够显著降低显示面板的功耗，逐渐被应用在oled和lcd的tft衬底制作中。
2、目前，阵列基板采用tgbc(top gate bottom contact，顶栅底接触结构)技术制作时，一般包括：衬底、有源层、栅极、源/漏极、和绝缘层。该阵列基板常出现源/漏极与有源层搭接劣化问题，造成tft开态电流ion降低，影响goa(gate on array，栅极驱动电路)和像素充电率，导致显示装置的品质降低。
技术实现思路
1、本公开实施例的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中源/漏极与有源层之间搭接电阻增大造成的tft开态电流低的问题。
2、本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一种阵列基板，包括：
4、衬底；
5、设置在所述衬底上的多个晶体管；所述晶体管包括有源层、第一极、第二极、第一绝缘层、栅极；所述第一绝缘层位于所述有源层背离所述衬底的一侧，所述栅极位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧；
6、设置在所述衬底上的相互交叉且异层设置的多条栅线和多条数据线，所述数据线位于所述有源层靠近所述衬底的一侧；
7、所述阵列基板还包括第一辅助电极，所述第一辅助电极将所述晶体管的所述第一极与所述数据线连接，所述第一辅助电极在所述
8、在一些实施例中，所述阵列基板还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述有源层靠近所述栅极的一侧，所述第二辅助电极在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影不交叠，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
9、在一些实施例中，所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二辅助电极在所述衬底上的正投影，所述第一辅助电极覆盖部分所述第二辅助电极靠近所述栅极一侧的表面。
10、在一些实施例中，所述第一辅助电极从所述第二辅助电极远离所述栅极的一端与其进行抵接。
11、在一些实施例中，所述第一辅助电极通过覆盖过孔形成；所述过孔包括第一贯穿部，所述第一贯穿部贯穿至所述第二辅助电极，使所述第一辅助电极覆盖所述第二辅助电极靠近所述栅极一侧的表面；或所述第一贯穿部贯穿至所述有源层，使所述第一辅助电极直接与所述有源层形成搭接，且所述第一辅助电极从侧面与所述第二辅助电极远离所述栅极的一端与抵接。
12、在一些实施例中，所述过孔还包括第二贯穿部，所述第二贯穿部贯穿至所述数据线，所述第一辅助电极通过覆盖所述第二贯穿部与所述数据线形成电连接。
13、在一些实施例中，所述衬底上设有遮光层，所述遮光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述栅极金属层在所述衬底上的正投影区域。
14、本公开实施例还提供了如上任一实施例的阵列基板的制作方法，至少包括：
15、制作衬底；
16、在衬底上布置多个晶体管，所述晶体管包括有源层、第一极、第二极、第一绝缘层、栅极；所述第一绝缘层布置于所述有源层背离所述衬底的一侧，所述栅极布置于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧；
17、在所述衬底上布置相互交叉且异层设置的多条栅线和多条数据线，所述数据线位于所述有源层靠近所述衬底的一侧；
18、在有源层上布置第一辅助电极，所述第一辅助电极将所述晶体管的所述第一极与所述数据线连接，所述第一辅助电极在所述衬底上的正投影与所述数据线在所述衬底上的正投影交叠，所述第一辅助电极覆盖所述有源层的所述第一极靠近所述数据线的侧表面。
19、本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置基于如上任一实施例所述的阵列基板组成，以形成goa区域和像素区域。
20、本实施例提供的阵列基板通过第一辅助电极6覆盖于有源层31靠近数据线5的侧表面311，可以在过孔10处有源层31呈现反导体化的情况下，保持tft ion不变，有效保障显示装置的产品品质。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述有源层靠近所述栅极的一侧，所述第二辅助电极在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影不交叠，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二辅助电极在所述衬底上的正投影，所述第一辅助电极覆盖部分所述第二辅助电极靠近所述栅极一侧的表面。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极从所述第二辅助电极远离所述栅极的一端与其进行抵接。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极通过覆盖过孔形成；所述过孔包括第一贯穿部，所述第一贯穿部贯穿至所述第二辅助电极，使所述第一辅助电极覆盖所述第二辅助电极靠近所述栅极一侧的表面；或所述第一贯穿部贯穿至所述有源层，使所述第一辅助电极直接与所述有源层形成搭接，所述第一辅助电极从侧面与所述第二辅助电极远离所述栅极的一端与抵接。
6.根据权利
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底上设有遮光层，所述遮光层在所述衬底上的正投影至少覆盖所述栅极金属层在所述衬底上的正投影。
8.一种权利要求1至7中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，至少包括：
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极位于所述有源层靠近所述栅极的一侧，所述第二辅助电极在所述衬底上的正投影与所述栅极在所述衬底上的正投影不交叠，所述第二辅助电极与所述第一辅助电极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二辅助电极在所述衬底上的正投影，所述第一辅助电极覆盖部分所述第二辅助电极靠近所述栅极一侧的表面。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极从所述第二辅助电极远离所述栅极的一端与其进行抵接。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极通过覆盖过孔形成；所述过孔包括第一贯穿部，所述第一贯穿部贯穿至所述第二辅...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢昱行，刘凤娟，胡合合，王东方，宁策，王利忠，李正亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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