【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅领域，具体是指一种单晶炉的水冷热屏结构。
技术介绍
1、单晶硅是光伏发电和半导体行业中的基础原料，单晶炉是多晶硅转化为单晶硅工艺过程中的必备设备。单晶硅作为现代信息社会的关键支撑材料，是目前世界上最重要的单晶材料之一，它不仅是发展计算机与集成电路的主要功能材料，也是光伏发电利用太阳能的主要功能材料。
2、单晶炉用水冷热屏结构的作用，是在单晶硅拉制过程中，通过水冷屏结构加快晶棒的冷却速率，从而提高拉速，降低单晶硅的成本。传统的水冷屏对晶棒的冷却效果不是很高，容易造成拉晶的速率不高、速度不均匀等现象。单晶硅生产的降耗降成本，亟需一种新的结构的水冷热屏。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是，针对以上问题提供一种单晶炉的水冷热屏结构。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种单晶炉的水冷热屏结构，包括水冷热屏，所述水冷热屏顶部两侧分别设有进水口和出水口，进水口和出水口之间通过水道连接，水冷热屏内侧为内屏，外侧为外屏，内屏、外屏以及底仓组成内腔，水道环形分布在内腔内，水道分为若干层，相邻两层水道之间设有水道隔条，内腔内部设有多组导流板，导流板环形阵列设置，相邻导流板之间设有导热铜翅。
3、作为改进，相邻导流板间均设置五条导热铜翅，导热铜翅的长度小于导流板长度。
4、作为改进，每层三十条导流板均设，间隔12°，均匀分部的导流板能够保证水流单向匀速流动。
5、作为改进，水道隔条与多级导流板
6、作为改进，内外屏均采用紫铜材质制作。
7、本专利技术与现有技术相比的优点在于：本专利技术能够有效的提高晶棒拉升速率，缩短生产周期，节能显著，明显降低单晶硅成本。本专利技术的外形和大小可依据单晶炉的尺寸调整。
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1.一种单晶炉的水冷热屏结构，包括水冷热屏(1)，其特征在于：所述水冷热屏(1)顶部两侧分别设有进水口(2)和出水口(3)，进水口(2)和出水口(3)之间通过水道(4)连接，水冷热屏(1)内侧为内屏(5)，外侧为外屏(6)，内屏(5)、外屏(6)以及底仓(7)组成内腔，水道(4)环形分布在内腔内，水道(4)分为若干层，相邻两层水道(4)之间设有水道隔条(8)，内腔内部设有多组导流板(9)，导流板(9)环形阵列设置，导流板(9)之间设有导热铜翅(10)。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉的水冷热屏结构，其特征在于：相邻导流板(9)间均设置五条导热铜翅(10)。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉的水冷热屏结构，其特征在于：每层三十条导流板(9)均设，间隔12°。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉的水冷热屏结构，其特征在于：水道隔条(8)与多级导流板(9)在内屏(5)外壁由下至上设置。
5.根据权利要求1所述的一种单晶炉的水冷热屏结构，其特征在于：内外屏均采用紫铜材质制作。
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉的水冷热屏结构，包括水冷热屏(1)，其特征在于：所述水冷热屏(1)顶部两侧分别设有进水口(2)和出水口(3)，进水口(2)和出水口(3)之间通过水道(4)连接，水冷热屏(1)内侧为内屏(5)，外侧为外屏(6)，内屏(5)、外屏(6)以及底仓(7)组成内腔，水道(4)环形分布在内腔内，水道(4)分为若干层，相邻两层水道(4)之间设有水道隔条(8)，内腔内部设有多组导流板(9)，导流板(9)环形阵列设置，导流板(9)之间设有导热铜翅(10)。
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