电容成像的方法技术

本发明专利技术提出一种电容式成像的方法，包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：以层为单位，计算差分电容值，若存在差分电容值大于等于第一阈值的点，则选出属于同一扫描面的差分电容值的最大值点，在各层确定成型区域；将各层的成形区域的差分电容值分别分布量化，并分别绘制同层的封闭曲线；逐层连接每层的封闭曲线，并成像。本发明专利技术的有益效果如下：可以快速、精确地实现物体成像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种成像的方法，特别是一种通过电容进行成像的方法。
技术介绍
随着电容式触控技术的成熟，电容式传感器感应信号越来越强，从而感应精度不 断提高。目前电容式触控板/屏已广泛运用于个人电脑、手机以及其它产品中。目前，摄像头作为监控的数据获取设备已经广泛运用到生活中。譬如电梯，就外置 了摄像头，以获取用户的影像资料，但是摄像头需裸露在外面，容易损坏，还影响美观。另 外，摄像头摄取的影像资料数据量大。在摄取具有凹凸外观的产品时，摄像头往往因为角度 或者光线的问题，导致不能反映出产品真正的外形特征。因此亟需一种能够准确并快速成像的装置。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术解决的技术问题是提供一种，使得 物体能够快速并准确地成像，并能清晰地反映物体真实轮廓的电容成像方法。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是这样实现的一种电容式成像的方法， 包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包 括以下步骤以层为单位，计算差分电容值，若存在所述差分电容值大于等于第一阈值的 点，则选出属于同一所述扫描面的差分电容值的最大值点，在各层确定成型区域；将各层的 所述成形区域的差分电容值分别分布量化，分别绘制同层的封闭曲线，分别绘制同层的封 闭曲线；逐层连接每层的所述封闭曲线，并成像。本专利技术的有益效果如下可以快速、精确地实现物体成像。附图说明图1是本专利技术实施例之架构示意图；图2是本专利技术实施例之扫描示意图；图3是本专利技术实施例之流程图；图4是本专利技术实施例成形区域之示意具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明如图1所示，成像系统100包括检测单元101、处理单元102和输出单元103。检 测单元101，包括多个检测电极，用于检测一定空间内的电容值。处理单元102，用于接收检 测单元101所发出的电容值数据，并处理该电容值数据，转换为影像数据。输出单元103用 于接收该影像数据，并输出。请参阅图2，检测单元101为一立方体，其4个侧面上布满了电容式电极，用来检测内部的电容值，物体200的横截面为椭圆，置于检测单元101中。故，检测单元101可以从 4个角度扫描物体200，扫描完成后，可以得到4个扫描面的电容数据。这里仅是以检测单 元102为一立方体为例，并不是用来限制其形状，检测单元102可以是封闭的造型，也可以 是不封闭的造型。请同时参阅图3、图4。检测单元101扫描物体200 (301)，从而得到物体200所处空 间的电容分布情况(303)。接着，以层为单位，计算差分电容值(305)，即沿着检测单元101 的纵轴或横轴选取一定的长度，这里规定为一层，再进行计算，得出每个侧面上的差分电容 值。根据每个侧面上的差分电容值，即可得到相应点的坐标。A、B、C、D四点分别为每个扫 描面上差分电容的最大值点，比较该四点的差分电容值与第一阈值(307)，若该四点的差分 电容值均大于等于第一阈值，则可以确定成形区域(309)为图4中虚线矩形区域；如果该四 点的差分电容值均小于第一阈值，则判断为没有物体被扫描(308)。确定好成形区域后，再 将差分电容值分布量化，并分别绘制同层的封闭曲线(311)，同层的封闭曲线根据物体的不 同可能是一条或多条。绘制完成后，再根据坐标关系，逐层连接每层的封闭曲线，构成封闭 体(313)，最后即可输出图像。在确定成形区域时，需要确定A、B、C、D的具体坐标，本专利技术是这样实现的在差分 电容值满足大于等于第一阈值的情况下，E点相对于0点的坐标分别可由E点在扫描面1和 扫描面2上的差分电容值计算出来。通过此方法，即可得出A、B、C、D四点的具体坐标，譬 如B点的坐标可以由扫描面1和扫描面3，或者由扫描面3和扫描面4进行确定。这可以由 用户自行指定。另外，第一阈值亦由用户指定，如此，即可避免系统运行的噪声或者其它物 体的干扰。在绘制同层的封闭曲线时，需要分布量化每个扫描面的差分电容值，即根据电容 值的变化，得到其它点。譬如，连接A、D两点时，将差分电容值分布量化后，即可沿着物体 200的轮廓线得到E点，以此类推，可以得到更多的点，从而使A、D两点之间的连线与物体 的轮廓线相符。若某一扫描面上的一部分差分电容值均大于等于第一阈值且相等，即说明 相应物体在该扫描面上的部分是平的，那只需将该部分直接相连即可。如此，即可在每一层 均得到至少一个封闭曲线。另外，在属于同一层的前提下，当被扫描物体在同一扫描面的差分电容值的最大 值点大于等于两个时，即物体在此扫描面上呈凹凸状，则在同一扫描面的差分电容值的最 大值之间，绘制短曲线。同样，亦可选择极大值点，并在其间绘制短曲线。为使成像为一立体，故需要将每层的封闭曲线相连，即将每层的封闭曲线与相邻 层的封闭曲线相连，接着再进行成像。在成像过程中，要根据差分电容值的不同，对图像做 相应的处理，譬如相邻区域的差分电容值相差很大，则需要进行边缘的锐化。另外，为使图 像易与观察，亦需要根据差分电容值进行对比度的调整等等。以上所述仅为本专利技术的较佳可行实施例，非因此即局限本专利技术的专利范围，故举 凡运用本专利技术说明书及图示内容所为的等效结构变化，均同理包括于本专利技术的范围内。权利要求一种电容式成像的方法，包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包括以下步骤(a)以层为单位，在同一层中，计算各扫描面的差分电容值，若存在差分电容值大于等于第一阈值的点，则选出属于同一所述扫描面的差分电容值的最大值点，并在各层确定成型区域；(b)将各层的所述成形区域的差分电容值分别分布量化，并分别绘制同层的封闭曲线；(c)逐层连接每层的所述封闭曲线，并成像。2.如权利要求1所述的电容式成像的方法，其特征在于，步骤(a)中，若存在所述扫描 面上的差分电容值均小于所述第一阈值，则没有物体在相应的扫描面被扫描。3.如权利要求1所述的电容式成像的方法，其特征在于，步骤(b)中，若属于同层且同 扫描面的差分电容值的最大值点大于等于两个，则根据所述差分电容值分别分布量化的结 果，优先绘制属于同扫描面的差分电容值的最大值点之间的短曲线。4.如权利要求3所述的电容式成像的方法，其特征在于，绘制属于同扫描面的差分电 容值的最大值点之间的短曲线后，再连接相邻扫描面且属于同层的所述短曲线。5.如权利要求1所述的电容式成像的方法，其特征在于，步骤(b)中，若同层且同扫描 面的差分电容值的最大值点为一个，则根据所述差分电容值分别分布量化的结果，在相邻 扫描面的差分电容值最大值点之间，绘制短曲线。6.如权利要求1所述的电容式成像的方法，其特征在于，所述同层的封闭曲线为至少 一个。7.如权利要求6所述的电容式成像的方法，其特征在于，将每一层的所述封闭曲线，根 据坐标关系，逐层相连成一封闭体。8.如权利要求1所述的电容式成像的方法，其特征在于，成像时，根据差分电容值的不 同，对成像做相应的处理，包括边缘的锐化、对比度的调整等等。9.权利要求1或2所述的电容式成像的方法，其特征在于，所述第一阈值由用户自定义。全文摘要本专利技术提出一种电容式成像的方法，包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包括以下步骤以层为单位，计算差分电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式成像的方法，包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：（ａ）以层为单位，在同一层中，计算各扫描面的差分电容值，若存在差分电容值大于等于第一阈值的点，则选出属于同一所述扫描面的差分电容值的最大值点，并在各层确定成型区域；（ｂ）将各层的所述成形区域的差分电容值分别分布量化，并分别绘制同层的封闭曲线；（ｃ）逐层连接每层的所述封闭曲线，并成像。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹建涛，张晶，
申请(专利权)人：苏州瀚瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]