【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，特别涉及一种可电擦写的非易失性半导体存储装置。
技术介绍
1、近年来，对低成本、非易失性和可编程存储元件的需求日益增加。这是因为：1、随着微处理器单元（mpu）/微控制器单元（mcu）和片上系统（soc）芯片中sram容量的增加，对冗余存储器的需求也在增加。2、液晶显示器（lcd）中对低成本、非易失性和可编程保险丝元件的需求也在增加。3、液晶显示器驱动器等应用领域的拓展，这些应用领域包括调整应用及个人身份和安全信息，例如，id码、解密密钥和ic卡注册号等，这些应用领域的设置在安装到电路板上后可单独更改。
2、可以通过标准cmos制造工艺形成的传统非易失性存储器包括熔断存储器，这些存储器使用多晶硅或者布线金属层，通过激光或者电流熔断，或者使用绝缘栅极薄膜，通过电压破坏。但是，由于熔断存储器使用的是熔断或者介电击穿现象，因此，只能进行一次编程，不适用于上述这样需要重写的应用场景。
3、另一方面，电浮动栅极型的非易失性存储元件可以用作保险丝元件，并且可以进行电擦除和编程，但必须在标准cmos结构...
【技术保护点】
1.一种可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，应用于外部接口电路和逻辑电路，具有至少一个具有单层栅极结构的MIS晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述存储晶体管的阈值电压在所述存储晶体管处于编程状态下为正，在所述存储晶体管处于擦除状态下为负。
3.根据权利要求1或2所述的可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述存储晶体管的控制方法包括：
4.一种可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，应用于外部接口电路和逻辑电路，具有至少一个具有单层栅极结构的MIS晶体管，
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【技术特征摘要】
1.一种可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，应用于外部接口电路和逻辑电路，具有至少一个具有单层栅极结构的mis晶体管，包括：
2.根据权利要求1所述的可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述存储晶体管的阈值电压在所述存储晶体管处于编程状态下为正，在所述存储晶体管处于擦除状态下为负。
3.根据权利要求1或2所述的可电擦写的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述存储晶体管的控制方法包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林和男，中岛盛义，
申请(专利权)人：威顿智存科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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