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本申请实施例提供一种可电擦写的非易失性半导体存储装置，应用于外部接口电路和逻辑电路，具有至少一个具有单层栅极结构的MIS晶体管，包括：选择晶体管，选择晶体管包括在第一导电类型阱中具有第二导电类型的源极和第二导电类型的漏极的MIS晶体管；存储...
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