【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、为了进一步提高器件性能，逻辑cmos器件的研究仍在继续。在过去的几年中，mosfet结构从平面结构转变为鳍形结构(finfet)，这一转变改善了短沟道效应，且具有更高的驱动电流和更低的漏电流。
2、然而，鳍形结构会使金属栅极板和源漏极板构成的平行板电容器具有较大的电容，从而影响器件的交流性能(ac)。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是减小金属栅极板和源漏极板构成的平行板电容器的电容。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种半导体结构的形成方法，用于形成平行板电容器结构，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上包括分立的鳍片、横跨所述鳍片的金属栅极板、所述鳍片中的源漏以及覆盖所述鳍片和所述源漏且表面和所述金属栅极板的顶面平齐的第一介质层；在所述金属栅极板和所述第一介质层上形成掩膜层；在相邻所述鳍片之间形成切割所述金属栅极板并隔开所述源漏的第二介质层，且所述第二介质层的表面高于所述源...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，用于形成平行板电容器结构，其特征在于，所述形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏极板为倒U型结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏极板的表面高于所述金属栅极板的顶面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏包括分别位于相邻所述鳍片中的源极和漏极；所述源漏极板的一侧为被所述第二介质层切割的金属栅极板，另一侧为未切割的金属栅极板，且所述源漏极板与两侧的金属栅极板分别形成平行板电容器结构。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，用于形成平行板电容器结构，其特征在于，所述形成方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏极板为倒u型结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏极板的表面高于所述金属栅极板的顶面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏包括分别位于相邻所述鳍片中的源极和漏极；所述源漏极板的一侧为被所述第二介质层切割的金属栅极板，另一侧为未切割的金属栅极板，且所述源漏极板与两侧的金属栅极板分别形成平行板电容器结构。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述掩膜层表面的第二介质材料，且对所述掩膜层和所述第二介质材料的刻蚀选择比为(0.01～0.03)∶1。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括二氧化硅，所述第二介质层的材料包括氮化硅和/或非晶硅。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏极板的形成方法包括：
9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分所述第三介质层、掩膜层及第一介质层。
10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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