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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上包括分立的鳍片、横跨所述鳍片的金属栅极板、所述鳍片中的源漏以及覆盖所述鳍片和所述源漏且表面和所述金属栅极板的顶面平齐的第一介质层；在所述金属栅极板和所述第一介质层上...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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