【技术实现步骤摘要】
本申请涉及雾化，特别是涉及一种电子雾化装置、雾化器、半导体雾化元件及其制作方法。
技术介绍
1、电子雾化装置主要由雾化器和电源组件构成。雾化器作为电子雾化装置产生气溶胶的核心装置，其雾化效果决定了气溶胶的质量与口感。普通的雾化器中，其加热体为弹簧状的发热丝，其制作过程为将线状的发热丝缠绕在一固定轴上。当该发热丝通电时，吸附在固定轴上的气溶胶基质经发热丝的加热作用雾化。
2、然而，这种电子雾化装置在使用过程中，由于所述发热丝呈线状，也就只能对位于发热丝本体附近的气溶胶基质加热使其雾化，而离发热丝本体较远的气溶胶基质(包括位于螺旋丝之间的气溶胶基质)即使能够雾化但由于其雾化温度相对低从而雾化颗粒比较大。
3、普通的雾化器中，另外一种加热体是陶瓷体，但陶瓷体存在孔径大小不等、加热电阻偏差大等问题。这些问题会导致对气溶胶基质的加热不均匀、干烧或炸油等现象，进而会导致雾化口感不好。
技术实现思路
1、本申请主要提供一种电子雾化装置、雾化器、半导体雾化元件及其制作方法，以解决雾化器中加热体的性能不佳的问题。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体雾化元件。所述半导体雾化元件包括：发热基板，设有导液雾化槽和导液孔，所述导液雾化槽的槽口位于所述发热基板的出雾面，所述导液孔贯穿所述发热基板，且穿过所述导液雾化槽，其中所述导液孔包括虹吸孔段，所述虹吸孔段连接所述导液雾化槽，所述导液雾化槽沿所述导液孔的贯穿方向上的横截面积大于所述导液孔的横
3、在一些实施例中，所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积逐渐增大。
4、在一些实施例中，所述虹吸孔段贯穿所述导液雾化槽，所述导液雾化槽的槽宽小于等于所述虹吸孔段在所述导液雾化槽内的孔段的孔径。
5、在一些实施例中，所述导液孔还包括导液孔段，所述导液孔段连接于所述虹吸孔段远离所述导液雾化槽的小端，其中所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积大于等于所述导液孔段沿所述贯穿方向上的横截面积。
6、在一些实施例中，所述虹吸孔段的大端远离所述导液孔段，且所述大端的孔径与所述导液孔段的孔径之比大于等于2且小于等于20。
7、在一些实施例中，所述导液孔段的孔径大于等于10um且小于等于100um。
8、在一些实施例中，所述半导体雾化元件还包括绝热层，所述绝热层层叠设置于所述发热基板背离所述导液雾化槽的槽口的一侧，且所述绝热层设置与所述导液孔段连接的过孔。
9、在一些实施例中，所述导液雾化槽、所述导液孔和所述过孔一一对应设置，且所述发热基板均布有多个所述导液雾化槽和多个所述导液孔，所述绝热层均布有多个所述过孔。
10、在一些实施例中，所述过孔与所述导液孔段均为直通孔，且孔径大小相同。
11、在一些实施例中，所述发热基板包括电极区和雾化区，两个所述电极区分设于所述雾化区的两侧，所述雾化区设有所述导液雾化槽和所述导液孔，其中所述电极区设有导电层。
12、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种半导体雾化元件的制作方法。该制作方法包括：在所述发热基板的一侧形成导液雾化槽；在所述发热基板上挖孔以形成导液孔，且所述导液孔贯穿所述发热基板且连通所述导液雾化槽；其中所述导液孔包括虹吸孔段，所述虹吸孔段连接所述导液雾化槽，所述导液雾化槽沿所述导液孔的贯穿方向上的横截面积大于所述导液孔的横截面积。
13、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种雾化器。所述雾化器包括如上述的半导体雾化元件。
14、为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电子雾化装置。所述电子雾化装置包括电芯和如上述的雾化器，所述电芯用于向所述雾化器供电。
15、本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请公开了一种电子雾化装置、雾化器、半导体雾化元件及其制作方法。通过在发热基板上设有导液雾化槽和导液孔，导液孔贯穿发热基板且穿过导液雾化槽，其中导液孔包括虹吸孔段，虹吸孔段连接导液雾化槽，虹吸孔段用于通过虹吸效应向导液雾化槽充液，从而可提升对导液雾化槽的充液效率，导液雾化槽具有导液、储液和雾化的作用，导液雾化槽在作业时消耗气溶胶基质以生成气溶胶，而虹吸孔段将持续补充导液雾化槽所消耗的消耗气溶胶基质；进一步地，导液雾化槽沿导液孔的贯穿方向上的横截面积大于导液孔的横截面积，则导液雾化槽的槽口面积大于虹吸孔段连通导液雾化槽的孔面积，从而可利于雾化所产生的气溶胶从导液雾化槽的槽口排除，防止气溶胶通过导液孔倒灌，从而可有效改善半导体雾化元件的雾化性能，使得其能够具有较好的雾化性能、供液快捷且可防止气溶胶倒灌。
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1.一种半导体雾化元件，其特征在于，所述半导体雾化元件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述虹吸孔段贯穿所述导液雾化槽，所述导液雾化槽的槽宽小于等于所述虹吸孔段在所述导液雾化槽内的孔段的孔径。
4.根据权利要求2所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述导液孔还包括导液孔段，所述导液孔段连接于所述虹吸孔段远离所述导液雾化槽的小端，其中所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积大于等于所述导液孔段沿所述贯穿方向上的横截面积。
5.根据权利要求4所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述虹吸孔段的大端远离所述导液孔段，且所述大端的孔径与所述导液孔段的孔径之比大于等于2且小于等于20。
6.根据权利要求5所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述导液孔段的孔径大于等于10um且小于等于100um。
7.根据权利要求4所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述半导体雾化元件还包括绝热层，所述绝热层层叠设置于所述
8.根据权利要求7所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述导液雾化槽、所述导液孔和所述过孔一一对应设置，且所述发热基板均布有多个所述导液雾化槽和多个所述导液孔，所述绝热层均布有多个所述过孔。
9.根据权利要求7所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述过孔与所述导液孔段均为直通孔，且孔径大小相同。
10.根据权利要求1至9任一项所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述发热基板包括电极区和雾化区，两个所述电极区分设于所述雾化区的两侧，所述雾化区设有所述导液雾化槽和所述导液孔，其中所述电极区设有导电层。
11.一种半导体雾化元件的制作方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述导液孔包括导液孔段和所述虹吸孔段；
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述在所述发热基板的一侧形成导液雾化槽之前，还包括：
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
15.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积逐渐增大，所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积大于所述导液孔段沿所述贯穿方向上的横截面积。
16.一种雾化器，其特征在于，所述雾化器包括如权利要求1至10任一项所述的半导体雾化元件。
17.一种电子雾化装置，其特征在于，所述电子雾化装置包括电芯和如权利要求16所述的雾化器，所述电芯用于向所述雾化器供电。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体雾化元件，其特征在于，所述半导体雾化元件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述虹吸孔段贯穿所述导液雾化槽，所述导液雾化槽的槽宽小于等于所述虹吸孔段在所述导液雾化槽内的孔段的孔径。
4.根据权利要求2所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述导液孔还包括导液孔段，所述导液孔段连接于所述虹吸孔段远离所述导液雾化槽的小端，其中所述虹吸孔段沿所述贯穿方向上的横截面积大于等于所述导液孔段沿所述贯穿方向上的横截面积。
5.根据权利要求4所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述虹吸孔段的大端远离所述导液孔段，且所述大端的孔径与所述导液孔段的孔径之比大于等于2且小于等于20。
6.根据权利要求5所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述导液孔段的孔径大于等于10um且小于等于100um。
7.根据权利要求4所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述半导体雾化元件还包括绝热层，所述绝热层层叠设置于所述发热基板背离所述导液雾化槽的槽口的一侧，且所述绝热层设置与所述导液孔段连接的过孔。
8.根据权利要求7所述的半导体雾化元件，其特征在于，所述导液雾化槽、所述导液孔和所述过孔一一对应设置，且所述发热基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：方伟明，
申请(专利权)人：海南摩尔兄弟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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