【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种电子级气体纯化方法及其纯化装置，是一种通过纯化装置对电子级气体进行纯化处理并对纯化装置进行再生处理的方法及其装置。
技术介绍
1、电子级气体(electronicgases)是超大规模集成电路、平面显示器件，化合物半导体器件，太阳能电池，光纤等电子工业生产不可缺少的原材料，它们广泛应用于薄膜、刻蚀、掺杂、气相沉积、扩散等工艺。例如在目前工艺技术较为先进的超大规模集成电路工厂的晶圆片制造过程中，全部工艺步骤超过450道，其中大约要使用50种不同种类的电子级气体。
2、而电子级气体纯度往往直接决定晶片制造的良率及可靠性，因此电子级气体纯化非常重要，举例几种电子级气体纯化方式如下：
3、(1)氩气/氦气纯化，如图1a所示，通常通过单管纯化瓶进行纯化处理，其中纯化瓶1a中具有吸气剂(getter)，由于针对氩气/氦气纯化所使用的单管纯化瓶1a内的吸气剂并无法再生重复使用，因此是属于耗材，另外由于大多是使用单管，故也无法多管切换使用。
4、(2)氢气纯化，如图1b所示，其中纯化瓶1b中具有吸附材(adsorber)，但吸附材仅能够吸附h2o、o2、co、co2，但无法吸附ch4及n2，因此必须要再靠纯化瓶1c中的吸气剂(getter)进行抓取，然而纯化瓶1b中的吸附材能够再生使用，而纯化瓶1c中的吸气剂却无法再生使用，因此也是属于耗材，无法重复使用。
5、(3)氮气纯化，如图1c所示，是通过具有触媒(catalyst)的纯化瓶1d、以及具有吸附材(adsorber)的纯化
6、(4)氧气纯化，其方式类似于图1c，但由于是氧气纯化，故不需要再额外注入微量的氧气，同样也是将触媒加热至250度，并额外注入微量的氧气，使氮气中的ch4与o2反应为co2及h2o，之后再经过纯化瓶1e将其他杂质吸附纯化，然而增加触媒的使用极为麻烦，故也是极需改善；另外由于吸附材(adsorber)无法吸附n2，若是要去除n2，则必须额外添加不同设备进行去除，如此必然增加成本。
7、因此，本案采用中空纤维管体搭配电子级气体纯化方式，用以进行吸附不同气体杂质，仅需于中空纤维管体内部添加去除不同气体杂质的材料即可用于不同气体杂质的纯化，故不需额外添加不同设备进行去除不同杂质；另外，本案的电子级气体纯化方法更搭配有再生处理的步骤，利用纯化后的电子级气体辅助进行再生处理，因此能够重复使用，故相较于前述案例中提到的耗材，本案明显能够减少更换耗材所需的成本，因此本专利技术应为一最佳解决方案。
技术实现思路
1、一种电子级气体纯化方法，其方法为：
2、(1)至少两个纯化装置分别与一气体输入单元相连，其中该纯化装置内部具有多个中空纤维管体，而该气体输入单元用以将一尚未纯化电子级气体输入该纯化装置进行气体纯化以去除杂质，并使一已纯化电子级气体由该纯化装置向外排出；
3、(2)将排出的已纯化电子级气体分流至一调压阀，并经过该调压阀降压，并对该降压的气体加热处理后，再输入任一未运作气体纯化的纯化装置内；
4、(3)将该降压与加热处理后的已纯化电子级气体由该未运作气体纯化的纯化装置内部排出，以将该多个中空纤维管体吸附的杂质带出以完成再生处理；以及
5、(4)于完成再生处理后，将一未经过降压与加热处理的已纯化电子级气体输入该未运作气体纯化的纯化装置内，以将该纯化装置内部的压力进行填补回压。
6、更具体的说，所述纯化装置能够通过该多个中空纤维管体去除杂质，该杂质为水(h2o)、氧气(o2)、氮气(n2)、氢气(h2)、甲烷(ch4)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)、非甲烷碳氢化合物(nmhc)、氩气(ar)、氮氧化物(nox)、总有机碳(toc)、酸(acid,例如so2)、碱(bases,例如nh3)、耐熔化合物(refactory compound,例如hmdso)、丙二醇甲醚(pgmea)、单乙醇胺(mea)的一种或多种。
7、更具体的说，所述纯化装置去除的杂质包括有一氧气(o2)时，于进行再生处理，需将一氢气(h2)注入该未运作气体纯化的纯化装置内，用以清除残留于该多个中空纤维管体内的氧气(o2)杂质。
8、更具体的说，所述尚未纯化电子级气体或是去除的杂质为一氢气(h2)时，若发生氢气泄漏，能够将一氩气(ar)注入该未运作气体纯化的纯化装置内，用以将该多个中空纤维管体内部残存的氢气(h2)进行吹净并排掉。
9、更具体的说，所述纯化装置、该气体输入单元、该调压阀及该过滤器分别通过不同管路相连通，其中该纯化装置进行气体纯化所连通的管路管径大于该纯化装置进行再生处理所连通的管路管径，其中进行再生处理的气体流量为进行气体纯化所使用的气体流量的1～5％。
10、一种纯化装置，包括：一气瓶，具有一前端开口及一后端开口；一纯化组件，设置于该气瓶内部，该纯化组件至少包括有一纯化材料本体，该纯化材料本体包括有成束的多个中空纤维管体；一前端盖体，盖设于该气瓶的前端开口上，该前端盖体表面具有一前端气体连接端，而该前端盖体内侧设置有一前端金属烧结过滤器，该前端金属烧结过滤器上具有多个前端气流通孔，其中该前端气体连接端与该前端金属烧结过滤器之间具有一前端气体流动空间，而该前端金属烧结过滤器与该纯化材料本体一端之间皆具有一前端间隔空间；以及一后端盖体，盖设于该气瓶的后端开口上，该后端盖体表面具有一后端气体连接端，而该后端盖体内侧设置有一后端金属烧结过滤器，该后端金属烧结过滤器上具有多个后端气流通孔，其中该后端气体连接端与该后端金属烧结过滤器之间具有一后端气体流动空间，而该后端金属烧结过滤器与该纯化材料本体另一端之间皆具有一后端间隔空间，且该后端气流通孔的孔径小于该前端气流通孔的孔径。
11、更具体的说，所述前端气流通孔的孔径为100～200mm，而该后端气流通孔的孔径为20～100mm。
12、更具体的说，所述纯化组件更包括有一前端金属套环、一后端金属套环及至少一个金属束环，该纯化材料本体一端套设有该前端金属套环，该纯化材料本体另一端套设有该后端金属套环，且该前端金属套环及该后端金属套环更以一焊接方式分别与该气瓶内壁进行熔接固定。
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1.一种电子级气体纯化方法，其特征在于，其方法为：
2.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该纯化装置能够通过该多个中空纤维管体去除杂质，该杂质为水(H2O)、空气(Air)、氧气(O2)、氮气(N2)、氢气(H2)、甲烷(CH4)、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、非甲烷碳氢化合物(NMHC)、氩气(Ar)、氮氧化物(NOX)、总有机碳(TOC)、酸(Acid)、碱(Bases)、耐熔化合物(Refactory compound)、丙二醇甲醚(PGMEA)、单乙醇胺(MEA)的一种或多种。
3.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该纯化装置去除的杂质包括有一氧气(O2)时，于进行再生处理，需将一氢气(H2)注入该未运作气体纯化的纯化装置内，用以清除残留于该多个中空纤维管体内的氧气(O2)杂质。
4.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该尚未纯化电子级气体或是去除的杂质为一氢气(H2)时，若发生氢气泄漏，能够将一氩气(Ar)注入该未运作气体纯化的纯化装置内，用以将该多个中空纤维管体内部残存的氢气(H
5.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该纯化装置、该气体输入单元、该调压阀及该过滤器分别通过不同管路相连通，其中该纯化装置进行气体纯化所连通的管路管径大于该纯化装置进行再生处理所连通的管路管径，其中进行再生处理的气体流量为进行气体纯化所使用的气体流量的1～5％。
6.一种纯化装置，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的纯化装置，其特征在于，该前端气流通孔的孔径为100～200mm，而该后端气流通孔的孔径为20～100mm。
8.如权利要求6所述的纯化装置，其特征在于，该纯化组件更包括一前端金属套环、一后端金属套环及至少一个金属束环，该纯化材料本体一端套设有该前端金属套环，该纯化材料本体另一端套设有该后端金属套环，且该前端金属套环及该后端金属套环更以一焊接方式分别与该气瓶内壁进行熔接固定。
...【技术特征摘要】
1.一种电子级气体纯化方法，其特征在于，其方法为：
2.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该纯化装置能够通过该多个中空纤维管体去除杂质，该杂质为水(h2o)、空气(air)、氧气(o2)、氮气(n2)、氢气(h2)、甲烷(ch4)、一氧化碳(co)、二氧化碳(co2)、非甲烷碳氢化合物(nmhc)、氩气(ar)、氮氧化物(nox)、总有机碳(toc)、酸(acid)、碱(bases)、耐熔化合物(refactory compound)、丙二醇甲醚(pgmea)、单乙醇胺(mea)的一种或多种。
3.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该纯化装置去除的杂质包括有一氧气(o2)时，于进行再生处理，需将一氢气(h2)注入该未运作气体纯化的纯化装置内，用以清除残留于该多个中空纤维管体内的氧气(o2)杂质。
4.如权利要求1所述的电子级气体纯化方法，其特征在于，该尚未纯化电子级气体或是去除的杂质为一氢气(h2)时，若发生氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄柏玮，
申请(专利权)人：芯动能设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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