【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏。
技术介绍
1、在半导体
，微显示发光像素间的串扰、发光分布对显示质量、耦合进光波导的效率存在重要影响，如正常垂直结构的发光二极管（light emitting diode，led）芯片发光角在±55°左右。
2、相关技术中，多采用像素间黑矩阵 (black matrix，bm)或者制作微透镜（microlens）的技术方案，来实现微显示发光像素间串扰、发光分布的约束。在黑矩阵方案中，黑矩阵为有机材料体系，其耐温性、机械强度不够，可靠性存在缺陷，并且黑矩阵吸光，会导致整体亮度损失。在微透镜方案中，制备的微透镜属于有机材料体系，其耐温性、机械强度不够，可靠性存在缺陷，并且像素间无法实现完全光学隔绝，当像素尺寸继续微缩时，±55°的发光角会出现进入微透镜之前，即出现相邻像素串扰的问题。
3、因此，亟需提供一种可以避免上述缺陷的新的微显示发光像素的制备方案。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏，通过贯穿式的沟槽结构进行发光约束，实现更好的光学串扰隔绝。
2、为实现上述专利技术目的，本专利技术提出如下技术方案：
3、一方面，提供了一种防串扰的微显示发光像素，所述微显示发光像素包括：
4、驱动背板；
5、显示模组，所述显示模组设于所述驱动背板之上，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结
6、在一种可选的实施方式中，所述显示模组至少包括：第一显示器件层；所述第一显示器件层包括：
7、第一发光单元，所述第一发光单元中的第一p型欧姆接触层连接有通孔，所述第一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳极触点相导通；
8、第一绝缘层，所述第一绝缘层填充形成在所述第一发光单元的外部；
9、第一沟槽结构，所述第一沟槽结构贯穿于所述第一绝缘层中，所述第一沟槽结构的一端与所述第一发光单元中的第一n型欧姆接触层相连，另一端与所述驱动背板的外围共阴极相连。
10、在一种可选的实施方式中，所述显示模组还包括：设置于所述第一显示器件层之上的第二显示器件层；所述第二显示器件层包括：
11、第二绝缘层，所述第二绝缘层填充形成在所述第一显示器件层远离所述驱动背板的一侧；
12、第二沟槽结构，所述第二沟槽结构贯穿于所述第二绝缘层、所述第一n型欧姆接触层中，所述第二沟槽结构的一端与所述第一沟槽结构相连。
13、在一种可选的实施方式中，所述第二沟槽结构的宽度小于所述第一沟槽结构的宽度。
14、在一种可选的实施方式中，所述显示模组至少包括：第三显示器件层；所述第三显示器件层包括：
15、第二发光单元，所述第二发光单元中的第二p型欧姆接触层与所述驱动背板之间具有键合层，所述第二发光单元通过所述键合层与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述第二发光单元中的第二n型欧姆接触层的表面覆设有部分的阴极层；
16、第三绝缘层，所述第三绝缘层填充形成在所述第二发光单元的外部；
17、第三沟槽结构，所述第三沟槽结构贯穿于所述第三绝缘层中，所述第三沟槽结构的一端与所述阴极层相连。
18、在一种可选的实施方式中，所述阴极层包括：中间阴极层以及两侧的侧边阴极层，所述中间阴极层覆设于所述第二n型欧姆接触层的表面；
19、所述第二发光单元的侧壁、所述驱动背板的表面覆设有钝化层，所述侧边阴极层覆设于所述钝化层的表面；
20、或，
21、所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面。
22、在一种可选的实施方式中，在所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面的情况下，所述第二发光单元的侧壁及所述驱动背板表面还覆设有钝化层。
23、在一种可选的实施方式中，所述沟槽结构处于所述显示模组的内部；
24、或，
25、所述沟槽结构处于所述显示模组的外周围。
26、在一种可选的实施方式中，所述沟槽结构俯视后对应的沟槽图形，包括：
27、圆形、矩形、六边形和八边形中的一种。
28、在一种可选的实施方式中，所述显示模组还包括：微透镜；
29、所述微透镜设置于所述发光单元、所述沟槽结构之上。
30、在一种可选的实施方式中，所述沟槽结构中填充的金属材料包括：
31、依次垂直沉积的铝、镍钒、铜；
32、或，沉积的铝；
33、或，沉积的钨。
34、另一方面，提供了一种微显示发光像素的制备方法，所述方法用于制备如上述方面所述的微显示发光像素，所述方法包括：
35、制备驱动背板；
36、制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结构，所述发光单元与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述沟槽结构围绕在所述发光单元周围，并将所述显示模组所在的垂直区域贯穿，所述沟槽结构中填充有金属材料，所述发光单元为无机化合物半导体。
37、在一种可选的实施方式中，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
38、对无机化合物半导体进行台阶刻蚀，制备第一发光单元；
39、使用绝缘材料对所述第一发光单元进行台阶填充，形成第一绝缘层；
40、对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成与所述第一发光单元中第一p型欧姆接触层连接的通孔、以及围绕在所述第一发光单元周围的第一沟槽结构；
41、对所述通孔、所述第一沟槽结构填充金属材料，所述第一发光单元、所述第一绝缘层、所述第一沟槽结构组合为第一显示器件层；
42、通过混合键合工艺，将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合，结合时所述第一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳极触点相导通。
43、在一种可选的实施方式中，在将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合之后，所述方法还包括：
44、去除所述第一发光单元中的化合物衬底；
45、对去除衬底后的所述第一发光单元进行表面粗化。
46、在一种可选的实施方式中，在形成所述第一显示器件层之后，所述方法还包括：
47、使用绝缘材料对所述第一显示器件层进行填充，形成第二绝缘层；
48、对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成一端与所述第一沟槽结构相连的第二沟槽结构；
49、对所述第二沟槽结构填充金属材料，所述第二绝缘层、所述第二沟槽结构组合为第二显示器件层。
50、在一种可选的实施方式中，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种防串扰的微显示发光像素，其特征在于，所述微显示发光像素包括：
2.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组至少包括：第一显示器件层；所述第一显示器件层包括：
3.根据权利要求2所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组还包括：设置于所述第一显示器件层之上的第二显示器件层；所述第二显示器件层包括：
4.根据权利要求3所述的微显示发光像素，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组至少包括：第三显示器件层；所述第三显示器件层包括：
6.根据权利要求5所述的微显示发光像素，其特征在于，所述阴极层包括：中间阴极层以及两侧的侧边阴极层，所述中间阴极层覆设于所述第二N型欧姆接触层的表面；
7.根据权利要求6所述的微显示发光像素，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述沟槽结构俯视后对应的沟槽图形，包括：
10.根据权利要求1所述的微显示
11.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述沟槽结构中填充的金属材料包括：
12.一种微显示发光像素的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1至11任一项所述的微显示发光像素，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合之后，所述方法还包括：
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述第一显示器件层之后，所述方法还包括：
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆设阴极层对应的方法中，在使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层之前，所述方法还包括：
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在制备结合于所述驱动背板之上的显示模组之后，所述方法还包括：
19.一种微显示屏，其特征在于，所述微显示屏包括：
...【技术特征摘要】
1.一种防串扰的微显示发光像素，其特征在于，所述微显示发光像素包括：
2.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组至少包括：第一显示器件层；所述第一显示器件层包括：
3.根据权利要求2所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组还包括：设置于所述第一显示器件层之上的第二显示器件层；所述第二显示器件层包括：
4.根据权利要求3所述的微显示发光像素，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组至少包括：第三显示器件层；所述第三显示器件层包括：
6.根据权利要求5所述的微显示发光像素，其特征在于，所述阴极层包括：中间阴极层以及两侧的侧边阴极层，所述中间阴极层覆设于所述第二n型欧姆接触层的表面；
7.根据权利要求6所述的微显示发光像素，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述沟槽结构俯视后对应的沟槽图形，包括：
10.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组还包括：微透镜；
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱酉良，林肖，潘安练，王亚洲，
申请(专利权)人：诺视科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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