【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片检测，具体为一种芯片检测方法及系统。
技术介绍
1、在电子设备中，芯片是设备的核心部件，其性能直接影响到设备的正常运行。然而，芯片的运行温度和硅脂的导热性能以及芯片的热对流效果，都会对芯片的性能产生影响。因此，实时监测和评估芯片的运行温度以及热对流效果和硅脂的导热性能对于维护和优化设备性能具有重要意义。
2、在申请公布号为cn117129029a的中国专利技术申请中，公开了一种芯片检测方法及系统，该方法包括：当获取到待检测芯片时，通过低倍镜头构建出与待检测芯片适配的检测模板以及检测区域，检测模板设于检测区域内；启用高倍镜头，并通过高倍镜头实时采集待检测芯片的高倍芯片图像；基于预设规则构建出低倍镜头与高倍镜头之间的映射关系，并根据映射关系将高倍芯片图像映射至检测模板中，以对应完成待检测芯片的检测。
3、在申请公布号为cn116304956a的中国专利技术申请中，公开了一种芯片温度异常在线检测方法，包括：采集芯片内部的温度数据及功耗数据；根据同一时刻每个传感器的温度数据获取每个传感器每个时刻的第一温度异常特征，根据温度数据及功耗数据获取每个传感器受其他传感器影响的辐射比例，根据温度数据及传感器分布获取每个辐射比例对应的调整系数；根据辐射比例及调整系数获取每个传感器每个时刻的理论温度数据，获取每个传感器每个时刻的第二温度异常特征，得到每个传感器每个时刻的综合温度异常特征；根据温度数据通过综合温度异常特征选取自适应k邻域范围，完成温度数据的异常检测。
4、结合现有技术，以上申请还存在
5、1、上述专利技术都专注于芯片本身的检测，实际上，芯片的散热效果还受到与其直接接触的散热装置(如散热片、散热器等)以及热传导对象(如导热硅脂、导热垫等)的影响，因此，在评估芯片的散热效果时，仅仅关注芯片本身的温度是不够的；
6、2、由于芯片的性能变化趋势会受到许多因素的影响，除了对芯片本身进行实时检测外，还需要结合历史数据对芯片的性能和故障进行检测，因此，仅仅通过物理和功能性能的检测，并不能完全确定芯片的性能变化趋势。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种芯片检测方法及系统，通过芯片的运行功率p、表面温度tc和环境温度ta，计算获取芯片的热阻系数r，通过芯片的历史热阻系数rw以及实时热阻系数ri，计算出芯片的热阻偏差系数rd，对芯片实时热量散发情况进行评估；通过芯片的表面温度tc，导热硅脂的温度ts，计算获得导热硅脂的导热系数λ，通过导热硅脂的历史导热系数λw以及实时导热系数λi，计算出导热硅脂的导热偏差系数λd，对导热硅脂实时的导热性能进行评估；通过芯片的表面温度tc和芯片的内部温度ti，计算芯片的对流换热系数通过芯片的实时对流换热系数以及历史对流换热系数的平均值计算芯片的对流换热偏差系数对芯片实时热对流散热效果进行评估，解决了
技术介绍
中提到的不足。
3、(二)技术方案
4、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种芯片检测方法，包括以下步骤：
5、通过传感器收集芯片、导热硅脂以及环境的温度数据，并将收集到的数据传输至存储端；
6、获取芯片运行的历史数据，以相同时间间隔作为采样周期，建立样本数据集；
7、通过芯片的运行功率p、表面温度tc和环境温度ta，计算获取芯片的热阻系数r，通过芯片的历史热阻系数rw以及实时热阻系数ri，计算出芯片的热阻偏差系数rd，当芯片的热阻偏差系数rd大于或等于热阻偏差阈值时，自动发出告警，并对导热硅脂实时的导热性能和芯片的实时热对流散热效果进行评估；
8、通过芯片的表面温度tc，导热硅脂的温度ts，计算获得导热硅脂的导热系数λ，通过导热硅脂的历史导热系数λw以及实时导热系数λi，计算出导热硅脂的导热偏差系数λd，对导热硅脂实时的导热性能进行评估；
9、通过芯片的表面温度tc和芯片的内部温度ti，计算芯片的对流换热系数通过芯片的实时对流换热系数以及历史对流换热系数的平均值计算芯片的对流换热偏差系数对芯片实时热对流散热效果进行评估。
10、进一步的，通过芯片的运行功率p、表面温度tc和环境温度ta，计算获取芯片的热阻系数r，计算公式如下：
11、
12、其中，α为热生成系数，且α>0。
13、进一步的，通过芯片的历史热阻系数以及实时热阻系数，对芯片实时热量散发情况进行评估，计算出芯片的热阻偏差系数rd，计算公式如下：
14、
15、其中，rw表示芯片的实时热阻系数，ri表示芯片的历史热阻系数，i表示取样时间点，n表示样本数量。
16、预先设置热阻偏差阈值，当芯片的热阻偏差系数rd大于或等于热阻偏差阈值，表示芯片当前热量散发情况异常，自动发出告警，并对导热硅脂实时的导热性能和芯片的实时热对流散热效果进行评估。
17、进一步的，通过芯片的表面温度tc，导热硅脂的温度ts，计算获得导热硅脂的导热系数λ，对导热硅脂的导热性能进行评估，计算公式如下：
18、
19、其中，q表示为热流量，a表示为热传导方向的截面积。
20、进一步的，通过导热硅脂的历史导热系数和实时导热系数，对导热硅脂实时的导热性能进行评估，计算出导热硅脂的导热偏差系数λd，计算公式如下：
21、
22、其中，λw表示导热硅脂的实时导热系数，λi表示导热硅脂的历史导热系数，i表示取样时间点，n表示样本数量。
23、进一步的，预先设置导热偏差阈值，并与导热硅脂的导热偏差系数λd进行比对，根据比对结果作出相应的措施，具体包括：
24、当导热硅脂的导热偏差系数λd小于导热偏差阈值时，表示当前导热硅脂的导热性能正常；当导热硅脂的导热偏差系数λd大于或等于导热偏差阈值时，表示当前导热硅脂的导热性能异常，自动发出告警，提示需要更换导热硅脂。
25、进一步的，通过芯片的表面温度tc和芯片的内部温度ti，计算芯片的对流换热系数对芯片热对流散热效果进行评估，计算公式如下：
26、
27、其中，q表示热流量，s表示对流换热表面的面积。
28、进一步的，通过芯片的实时对流换热系数以及历史对流换热系数，计算芯片的对流换热偏差系数对芯片实时热对流散热效果进行评估，计算公式如下：
29、
30、其中，为芯片历史对流换热系数的平均值，为实时对流换热系数。
31、进一步的，预先设置对流换热偏差阈值，并与芯片的对流换热偏差系数进行比对，根据比对结果进行相应措施，具体包括：
32、当芯片的对流换热偏差系数大于或等于对流换热偏差阈值时，表示芯片的热对流散热效果正常；
33、当芯片的对流换热偏差系数大于或等于对流换热偏差阈值时，表示芯片的热对流散热效果异常，自动发出告警，提示需要对芯片本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
10.一种芯片检测系统，其特征在于，用于实现权利要求1至9中任一项所述方法，
【技术特征摘要】
1.一种芯片检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种芯片检测方法，其特征在于，
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：田永礼，
申请(专利权)人：大连榕佳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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