【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，具体而言，涉及一种掩膜板及其制作方法。
技术介绍
1、由于硅基oled具有较高的像素密度，传统的精细金属掩膜板(fmm)无法满足需求，需要适用更高像素密度的精细硅掩模板(fine silicon mask，fsm)。
2、而当前的精细硅掩模板会造成蒸镀膜层中间高边缘低，使得单个发光器件的光学微腔不一致，影响子像素的色准度。同时，相邻发光器件间的发光层的膜层堆叠情况也无法很好的控制，这会造成低灰阶下，子像素间的亮度均一性差。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于克服精细硅掩模板会造成蒸镀膜层中间高边缘低的问题，提供一种掩膜板及其制作方法。
2、根据本公开的一个方面，提供一种掩膜板，包括掩膜板本体和倒角控制部，掩膜板本体设有阶梯状通孔，阶梯状通孔包括第一开口以及连接于第一开口两端的第二开口，第一开口在掩膜板本体上的正投影位于第二开口在掩膜板本体上的正投影内，第二开口与第一开口之间的部分为支撑部；倒角控制部设于支撑部相对的两侧，倒角控制部的厚度沿第二开口的边缘向第一开口的边缘逐渐变小，使得倒角控制部远离支撑部的一侧形成倾斜面，倾斜面与支撑部的表面之间的夹角为45度至60度。
3、在本公开的一个实施例中，掩膜板本体包括支撑层和设于支撑层相对的两侧的刻蚀限定层，第一开口贯穿支撑层，两个第二开口
4、在本公开的一个实施例中，倒角控制部覆盖第二开口的侧面和支撑部的表面，第二开口的侧面垂直于支撑部的表面，支撑部的宽度越大，倾斜面与支撑部的表面之间的夹角越小。
5、在本公开的一个实施例中，沿第二开口的边缘向第一开口的边缘，倒角控制部的厚度的减小幅度先逐渐增大后逐渐减小。
6、在本公开的一个实施例中，支撑层的厚度与掩膜板本体的厚度的比值小于20％。
7、在本公开的一个实施例中，支撑层的材料为氮化硅，刻蚀限定层的材料为氧化硅，倒角控制部的材料为镍。
8、根据本公开的另一个方面，提供一种掩膜板的制作方法，用于制作本公开的一个方面所提供的掩膜板，该方法包括：形成掩膜板本体；在掩膜板本体的两侧分别形成第二开口，并在掩膜板本体位于两个第二开口之间的半刻区域的外围形成倒角控制部；在半刻区域位于倒角控制部之间的部分形成第一开口，第二开口与第一开口之间的部分为支撑部。
9、在本公开的一个实施例中，形成掩膜板本体包括：形成第一层刻蚀限定层；在第一层刻蚀限定层的一侧形成支撑层；在支撑层远离第一层刻蚀限定层的一侧形成第二层刻蚀限定层。
10、在本公开的一个实施例中，在掩膜板本体的两侧分别形成第二开口，并在掩膜板本体位于两个第二开口之间的半刻区域的外围形成倒角控制部，包括：
11、在第一层刻蚀限定层上形成第二开口，并在第二开口内形成露出支撑层一侧的倒角控制部，包括：在第一层刻蚀限定层上形成第二开口，并在第一层刻蚀限定层的第二开口内形成倒角覆盖部；对倒角覆盖部进行湿刻露出支撑层的一侧，在支撑层的一侧的露出区域的外围形成倒角控制部；
12、以与在第一层刻蚀限定层上形成第二开口和倒角控制部相同的方式，在第二层刻蚀限定层上形成第二开口，并在第二层刻蚀限定层的第二开口内形成露出支撑层的另一侧的倒角控制部。
13、在本公开的一个实施例中，在第一层刻蚀限定层上形成第二开口，并在第一层刻蚀限定层的第二开口内形成倒角覆盖部，包括：在第一层刻蚀限定层上形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层具有刻蚀开口；以图案化的光刻胶层为掩膜，对第一层刻蚀限定层进行干刻，在刻蚀开口内形成第二开口；在光刻胶层远离第一层刻蚀限定层的一侧形成倒角覆盖层，倒角覆盖层覆盖第二开口、刻蚀开口以及光刻胶层；去除光刻胶层、倒角覆盖层位于光刻胶层的表面以及位于刻蚀开口内的部分，在第二开口内形成倒角覆盖部。
14、本公开的掩膜板包括掩膜板本体，掩膜板本体包括第一开口以及连接于第一开口两端的第二开口，第二开口与第一开口之间的部分为支撑部，支撑部相对的两侧设有倒角控制部，倒角控制部远离支撑部的一侧形成倾斜面，倾斜面与支撑部的表面之间的夹角为45度至60度，通过倒角控制部蒸镀形成的发光层变为中间平坦，边缘为蒸镀阴影的堆叠形式，能够改善发光器件的光学微腔一致性，并控制子相邻发光器件间的发光层的膜层堆叠情况，提高子像素的色准度和子像素间的亮度均一性。
15、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板本体包括支撑层和设于所述支撑层相对的两侧的刻蚀限定层，所述第一开口贯穿所述支撑层，两个所述第二开口分别贯穿所述刻蚀限定层，并露出所述支撑层，所述支撑部为所述支撑层位于所述第二开口与所述第一开口之间的部分。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述倒角控制部覆盖所述第二开口的侧面和所述支撑部的表面，所述第二开口的侧面垂直于所述支撑部的表面，所述支撑部的宽度越大，所述倾斜面与所述支撑部的表面之间的夹角越小。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，沿所述第二开口的边缘向所述第一开口的边缘，所述倒角控制部的厚度的减小幅度先逐渐增大后逐渐减小。
5.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑层的厚度与所述掩膜板本体的厚度的比值小于20％。
6.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑层的材料为氮化硅，所述刻蚀限定层的材料为氧化硅，所述倒角控制部的材料为镍。
7.一种权利要求1至6任一项所述的掩膜板的制作
8.权利要求7所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，形成掩膜板本体包括：
9.权利要求8所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，在所述掩膜板本体的两侧分别形成第二开口，并在所述掩膜板本体位于两个所述第二开口之间的半刻区域的外围形成倒角控制部，包括：
10.权利要求9所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，在所述第一层刻蚀限定层上形成第二开口，并在所述第一层刻蚀限定层的第二开口内形成倒角覆盖部，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板本体包括支撑层和设于所述支撑层相对的两侧的刻蚀限定层，所述第一开口贯穿所述支撑层，两个所述第二开口分别贯穿所述刻蚀限定层，并露出所述支撑层，所述支撑部为所述支撑层位于所述第二开口与所述第一开口之间的部分。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述倒角控制部覆盖所述第二开口的侧面和所述支撑部的表面，所述第二开口的侧面垂直于所述支撑部的表面，所述支撑部的宽度越大，所述倾斜面与所述支撑部的表面之间的夹角越小。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，沿所述第二开口的边缘向所述第一开口的边缘，所述倒角控制部的厚度的减小幅度先逐渐增大后逐渐减小。
5.根据权利要求2所述的掩膜板，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴操，李育豪，黄寅虎，申晓斌，童慧，冯兵明，苏冬冬，蔡勤山，任友涛，王欢欢，金世遇，张大成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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